瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

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為了提供最優異的多媒體體驗，SH-Mobile Application Engine 4 整合了多種專用處理引擎。內建 ISP 可支援 16M 畫素靜態影像及 Full HD 1080p 高畫質動畫影像。專屬高效能多重編解碼影像處理單元可以超低耗電量處理視訊，使裝置能夠支援 Full HD 1080p 多重標準視訊，使用方式包括以每秒 30 畫格 (fps) 的速度編碼（錄影）及解碼（播放）Full HD 1080p 高畫質影片。結合多重相位視覺引擎，例如 IP 可強化影像邊緣或median filtering，使高畫質 HD 影像的逼真度，超越消費者過去所有的行動裝置體驗。
為了支援高速 3D 圖形處理，呈現精細的 3D 使用者介面並提供先進的遊戲體驗，本產品配備 Imagination Technologies 授權的強大 POWERVR SGX*2 3D 繪圖引擎，支援的繪圖 API 包括 OpenGL*3 ES1.1/2.0 及 Open VG*3等。
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7 m7 T' O* W5 K, I' ?* m為了提供完整的多媒體體驗，SH-Mobile Application Engine 4 亦整合了優異的音訊子系統，利用標準的手機電池可播放音訊達一百小時以上。
& j) Z9 y4 `2 g0 c" k7 [4 T為了提高設計的彈性並降低系統 BOM，SH-Mobile Application Engine 4 內含多種晶片內建周邊功能及連接介面，包括兩個 USB 2.0 Host/Function 模組（支援高速資料傳輸模式）、三個支援高速資料傳輸模式的 SD 主控制器、以及一個最高支援 WXGA+ 螢幕尺寸的 24 位元 TFT 彩色 LCD 控制器，同時還整合了 PAL/NTSC 編碼器及 HDMI 傳輸器，以及完整的 HDMI v1.3a 及 CVBS TV-Out 介面。

( M- _, \4 c' d- S; \SH-Mobile Application Engine 4 採用 0.4mm 間距、12mm x 12mm BGA 封裝，可垂直疊層封裝低耗電、多重晶片封裝 (MCP) 記憶體，例如 LP DDR2，大幅降低結合記憶體與處理器的產品尺寸。

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<備註>
) g) V1 @$ m& ^7 X5 j. Z1.  ARM 為 ARM Limited 之註冊商標。Cortex 為 ARM Limited 之註冊商標。
2.  POWERVR 為 Imagination Technologies Limited 公司之商標或註冊商標。
1 p! `$ x* z5 @7 G# q4 q: k3.   OpenGL 是 Silicon Graphics International Corp. 在美國及/或其他國家的註冊商標。OpenVG 為 Khronos Group Inc. 之商標。
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+ I) j& [; C2 \! a: J* 本文件所述其他產品、公司，與品牌之名稱，為其個別所有人之財產。

< Typical Applications >
·         Smartphone or netbook incorporating an open OS and its applications
: O  U8 f, Y! T8 {0 w! z6 Z·         Mobile phone handsets incorporating full HD multimedia applications
·         Mobile devices for the consumer market incorporating video applications

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瑞薩科技開始量產 12 款功率 MOSFET，具有能源效率低損耗特性，涵蓋多種電壓範圍（40 V、60 V、80 V、100 V），適用於隔離式 DC-DC 整流器
3 j7 b( |9 a' k' q+ q: h7 J! K經過最佳化之第十代製程，可提升晶片特性，高效能封裝可提供更優良的電源供應效率並節省能源 �

2009 年 12 月 21 日台北訊 — 瑞薩科技公司發表 12 款適用於隔離式 DC-DC 整流器*1之第十代功率 MOSFET，可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器。新推出的功率 MOSFET 可降低開關損耗*2，提升能源效率並涵蓋多種電壓範圍（40 V、60 V、80 V、100 V）。於 2009 年 12 月 3 日開始量產。
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上述 12 款新產品所採用的第十代製程，在先前針對導通電阻*2 而設計的功率 MOSFET（主要用於非隔離式 DC-DC 整流器）產品中已證實其優點，並且經過最佳化，相較於瑞薩過去的產品，最高可使汲閘負載電容 (Qgd)*3 降低 50%。汲閘負載電容 (Qgd) 是使功率 MOSFET 達到低開關耗損的關鍵特性。另外，高效能封裝（瑞薩科技封裝代碼：LFPAK）可降低封裝阻抗並提升散熱特性，進一步提升產品效能，使隔離式 DC-DC 整流器達到更高的效率並降低耗電量。

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新款功率 MOSFET 的產品特色如下。

8 h+ k& F0 c8 i) @* O1.相較於瑞薩科技過去的產品（RJK1056DPB，可承受100 V電壓），汲閘負載電容 (Qgd) 約降低50%
為了降低隔離式 DC-DC 整流器的耗電量，必須使功率 MOSFET 具有較低的汲閘負載電容 (Qgd)，汲閘負載電容是達到較低開關耗損的關鍵因素。本次新推出的 12 款功率 MOSFET 採用瑞薩科技的 0.18 μm 第十代製程，並已針對此應用最佳化。例如，可承受 100V 電壓的 RJK1056DPB，汲閘負載電容 (Qgd) 為 7.5nC，約為瑞薩科技早期產品 HAT2173H (14.5 nC) 的二分之一。
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2.產品涵蓋多種電壓耐受範圍（40 V、60 V、80 V、100 V）
隔離式 DC-DC 整流器的輸入及輸出電壓，依據所採用之功率 MOSFET 的電壓耐受範圍而定。在隔離元件方面，隔離式 DC-DC 整流器包含一個主要電源供應器做為輸入端，以及次要電源供應器做為輸出端。新款的功率 MOSFET 包括承受電壓 80 V 及100 V 的產品，主要適用於輸入端，另有承受電壓40 V 及 60 V 的產品，主要適用於輸出端。客戶可選擇最符合需求的產品。
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1 `+ M# f6 w, J" w9 w! b3.高效能封裝提升效率
新款 MOSFET 採用瑞薩科技經過實證的 LEPAK （瑞薩科技封裝代碼）*4 高效能封裝， 可同時提供較低的封裝阻抗及優異的散熱特性，避免元件過熱。相較於傳統的 SOP-8 或類似封裝，此種封裝本身有助於產品的低損耗特性。內部的連接與框架直接相連，可降低封裝電感並確保適用於高頻率運作。

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<產品背景>

近年來，由於電腦的普及，使伺服器的需求持續成長，而手機與網際網路的普及化，也使得通訊設備需求日漸增加，因此刺激了運用於上述設備之電源供應器的隔離式 DC-DC 整流器需求。另一方面，由於全球暖化因素以及節省能源考量，對於提升隔離式 DC-DC 整流器與電源供應器效率的需求，也逐漸提高。因此，對於降低運用於隔離式 DC-DC 整流器之功率 MOSFET 開關損耗的需求，也隨之增加。

為了因應上述需求，瑞薩科技推出針對低導通電阻的 MOSFET 產品，利用通道閘製程、封裝提升等技術降低損耗。這些 MOSFET 運用於多種產品中。
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新款的功率 MOSFET 採用最佳化第十代製程，以回應市場對於具有較低損耗特性之隔離式 DC-DC 整流器的需求。相較於瑞薩科技的第八代產品，新款產品可減少汲閘負載電容 (Qgd) 達50%，而汲閘負載電容是開關損耗特性的關鍵因素。為了適用於各種應用領域，上述產品提供多種電壓範圍： 40 V、60 V、80 V及100 V。

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<註解>
1.隔離式 DC-DC 整流器： 一種電源供應器單元類型，主要用於伺服器及通訊設備。一般而言，設備在內部將交流電 (AC) 轉換為直流電 (DC) 參考電壓，然後轉換為個別電路區塊的特定 DC 電壓。從參考電壓轉換至特定 DC 電壓的作業，由電源供應器中的 DC-DC 整流器執行。在 DC-DC 整流器的類型中，輸入與輸出互相隔離者，稱為隔離式 DC-DC 整流器。
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0 g6 l, k' z/ K; x: C2.開關損耗及導通電阻： 開關損耗是指功率 MOSFET 在開與關狀態之間切換時，所產生的功率損耗。導通電阻是功率 MOSFET 進入開啟狀態時的運作阻抗。上述兩者皆為決定功率 MOSFET 效能的主要特性，兩者皆為數字越小表示效能越高。但是在實務上，開關損耗與導通電阻是互相抵觸的特性，通常很難使這兩項特性同時達到高效能。
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3 Z! [0 l( Q: |$ u3.汲閘負載電容 (Qgd)： 功率 MOSFET 的特性之一，代表切換關至開（開至關）時閘極的電荷量（已放電）。當電荷較小時，開關時間較短，可減少開關損耗。
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4.LFPAK（瑞薩科技封裝代碼）： LFPAK是「loss free package」（無損耗封裝）的縮寫。瑞薩科技開發出此封裝類型，並且已在量產中獲得證實。此封裝採用 MOSFET 晶片頂層與底層表面連接至框架的組態方式，其電流為垂直流通， 如此可使封裝阻抗減半，從傳統封裝的 1 m�降低至 0.5 m�，而且熱度可由頂層及底層表面散發，避免晶片過熱。另外，相較於使用佈線的傳統封裝方式，其電感也較低，因此可適用於高頻率運作。

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瑞薩科技推出符合 DrMOS 標準且適用於筆記型電腦 CPU 電源供應之 R2J20653ANP，可達到業界最高 91% 供電效率
− 可為筆記型電腦提供更高的電壓耐受度，而且由於採用整合式裝置，相較於傳統分離式配置方式，安裝面積約可減少至70% −

2009 年 12 月 23 日台北訊 — 瑞薩科技公司發表 R2J20653ANP，整合了驅動器與 MOSFET，適用於筆記型電腦 CPU、記憶體等穩壓器 (VR)。此產品符合整合式驅動器 MOSFET (DrMOS) 標準，可承受高電壓；輸入電壓最高達 27V，並可達到 91% 業界最高供電效率（以輸入電壓 20V 及輸出電壓 1.1V 運作時），且於 2009 年 12 月 7 日開始量產。
整合式驅動器 MOSFET (DrMOS) 是由 Intel 公司提出的半導體裝置封裝標準*1，DrMOS 將 CPU 等電源供應器所需要的兩種類型功率 MOSFET 及單個驅動 IC 整合於單一封裝中。R2J20653ANP 是符合此標準的高度整合裝置，用途包括將 20V 輸入電壓轉換為 1.1V CPU 電源供應電壓。以下為 R2J20653ANP 之主要特色摘要。

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(1)相容於 DrMOS 並可承受高電壓，適用於筆記型電腦變壓器之 20V 電壓
# B+ E2 F& w& W. y  F3 T- |- ?& e瑞薩科技長期以來提供相容於 DrMOS 之產品，適用於輸入電壓 12V 的伺服器與桌上型電腦。新推出的 R2J20653ANP 使系列產品擴大至筆記型電腦所使用的 20V 變壓器電壓，成為瑞薩科技此類產品中第一款可承受高電壓的產品。此產品的推出，將有助於縮小筆記型電腦 CPU 電源供應器的尺寸，並提供更優異的效能，預期將帶動 DrMOS 標準的廣泛採用。

5 z, p, e6 \7 D& Z  v(2) 輸入電壓 20V，可提供業界最高的供電效率
! i# I4 v  U4 q; {藉由單一封裝整合，並配對具有業界頂尖效能之功率 MOSFET 及高效能驅動 IC，藉此達到高效率。例如，在輸入電壓 20V、輸出電壓 1.1V（頻率 300 kHz）的情況下，供電效率可達到 91%，為業界最高水準。如此將有助於電源供應器降低耗電量，並容納更大的電流容量。

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(3)小尺寸 (6 mm × 6 mm) 及高散熱封裝，可縮小 CPU 電源供應器尺寸
R2J20653ANP 將 CPU 等電源供應器所需要的兩種類型功率 MOSFET 及單個驅動 IC 整合至單一 40pin QFN 封裝，尺寸僅 6.0 × 6.0 × 0.95 (mm)。相較於傳統使用三個封裝的分離式產品（與瑞薩科技產品比較），如此可使安裝面積降低至約 70%。另外，本產品的高散熱封裝適用於高速切換，因此可縮小外部被動元件（例如電感或電容）的尺寸與數量。
5 F, n" W) U) c, E% W% {# @其封裝的針腳相容於瑞薩科技支援 12V 輸入電壓—適用於伺服器等之 R2J20651ANP DrMOS 相容產品。如此將可縮短將 R2J20653ANP 運用於現有系統所需的開發時程。
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(4)兩階段過熱保護功能
為了避免筆記型電腦過熱甚至燃燒，產品的散熱設計非常重要。例如，在產品設計階段可提供獨立的過熱保護功能。R2J20653ANP 是業界第一款 DrMOS 相容並且在驅動 IC 中整合兩階段過熱保護功能之產品，包括過熱警示功能及過熱停止運作功能， 使得本裝置更加安全且具有高可靠性。

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<產品背景>
由於資料裝置如筆記型電腦等日漸趨向小型化及輕量化，其內部元件如 CPU 及記憶體，在效能方面也越來越提升。同時，為這些半導體元件提供電力的電源供應器，也必須降低耗電量，提供更高的效率並縮小體積。
為了因應上述電源供應器關鍵裝置之電源半導體元件市場的需求，瑞薩科技積極為市場引進分離式、高效能功率 MOSFET 及 DrMOS 相容產品。值得一提的是，瑞薩科技是業界第一家提供支援 12V 輸入電壓之 DrMOS 相容產品的廠商，適用於伺服器及桌上型電腦，目前更提供豐富的相關系列產品。在筆記型電腦市場方面，對於更小型且更高效率之電源供應器的需求正持續成長。針對上述需求，瑞薩科技開發了相容於 DrMOS 之整合式驅動器 MOSFET R2J20653ANP，本產品可承受高電壓，支援筆記型電腦所使用的20 V變壓器電壓。

+ X/ ^+ y% c: ~# \8 u# ], p) A: @<產品詳細資訊>
  {+ u0 R1 ~9 K' z2 eR2J20653ANP 在單一 40 pin QFN 封裝中整合兩個功率 MOSFET（一個High-side與一個 Low-side MOSFET）及一個功率 IC。整合至單一封裝，可使裝置之間的線路寄生電感大幅降低，有助於高頻率運作。本產品所使用的功率 MOSFET 為瑞薩科技的最新設計，可提供業界最高效能。Low-side MOSFET 整合了蕭特基功率二極體，可以減少開關損耗。驅動 IC 亦針對所採用之 MOSFET 的開關控制進行最佳化。

本產品的無鉛、高散熱封裝符合 DrMOS 標準，具有小尺寸的安裝面積。本產品封裝內採用無線銅板做為內部連接(非傳統之有線接合)，因此可大幅度降低封裝內的阻抗。佔用封裝背面大部份表面的接腳用於加大電流路徑，以避免發生電流及散熱的相關問題。

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因此，業界最高等級的效率及適合高頻率運作的特性，使本產品能夠縮小尺寸與外部被動元件的數量，藉此縮小電源供應器的整體尺寸。
6 L$ |7 n; Q$ K7 g# G, {  s9 ^為了因應不斷變化的客戶需求，同時擴大產品銷售，瑞薩科技計畫提供功能更強大、功率耗損更低的DrMos 相容新產品，用於筆記型電腦。
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+ {/ a) E0 v1 P" L& y<註解>
1.Intel 及 Intel 標誌為 Intel Corporation 在美國及其他國家之商標。
2.High-side/Low-side MOSFET：High-side及Low-side MOSFET使用於非絕緣型 DC-DC 轉換器開關，藉由在這些裝置之間切換開關以轉換電壓。 High-side MOSFET 用於 DC-DC 轉換器控制，Low-side MOSFET 則用於同步整流。
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- b; e8 R* W$ G0 D*本文件所述其他產品、公司，與品牌之名稱，為其個別所有人之財產。
1 v- z. X. J. V, G<主要用途>
•筆記型電腦之 CPU 穩壓器
& l3 F: M. Z6 Y* o•伺服器及桌上型電腦之 DC/DC 轉換器

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日本東京訊，2010 年 5 月 13 日－先進半導體解決方案的頂尖供應商瑞薩電子 (TSE: 6723) 針對其核心競爭主力的微控制器 (MCU) 事業，發表了「全球化與綠色概念」(Global & Green) 的嶄新企業願景。「全球化與綠色概念」代表了瑞薩電子針對不同區域提供最適切解決方案以促進全球成長的承諾，並提供可因應不斷高漲的節能聲浪，並實現綠色社會呼聲的 MCU 與技術。

: \* ?4 d$ u  @1. 「全球化」(Global)：針對不同區域提供最適切的解決方案，以促進全球市場的成長
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瑞薩電子將針對全球市場（特別是如中國等新興國家）提供搭載 MCU 的電腦化解決方案，尤其在中國汽車及家電市場方面，瑞薩電子更計畫提供結合該公司 MCU 與電源裝置的套裝解決方案、並透過與當地設計公司的進一步合作，致力於因應新興客戶的需求。而針對如日本、歐洲及美洲等市場方面，瑞薩電子將為客戶提供更具附加價值的半導體產品及技術，以促進社會的便利性與多元化。例如其所提供的可防止車輛衝撞行人、白線識別以及自動前車偵測追蹤等先進功能的 MCU 產品。

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2. 「綠色概念」(Green)：提供可實現綠色社會的 MCU 與技術

; E, R+ G, O+ i: F5 T目前，全球各國政府均力圖落實環保政策，其中包括藉由通訊及 IT 技術來建立電子「智慧網絡」，以便更有效率、更可靠地為用戶供電，同時也致力於推廣油電混合車與電動車的使用及開發生產。為了因應這些改變，瑞薩電子也針對可大幅減少耗電量的變頻控制應用（如冷氣機及電冰箱等產品），提供 MCU 組件，並提出有助於實現使用電度表來達成高效家庭自動化的「智慧家庭」(Smart Homes) 技術。
; L8 F$ p5 _  f5 B7 D由瑞薩科技與 NEC 電子合併而成的「瑞薩電子」，自 2010 年 4 月 1 日起正式營運，業務範圍著重於MCU、SoC 解決方案以及類比與電源裝置等三大科技專業領域。

. i# C2 M7 z+ i瑞薩電子將根據其對於 MCU 事業所訂立的「全球化與綠色概念」願景，制訂並執行各項相關措施，並計畫於 2010 年 3 月將 Flash MCU 的總出貨量提高為 38 億五千萬顆、 2011 年3 月增加至 50 億顆，並希望在 2015 年達到 100 億顆的總出貨量。此外，該公司也計畫在兩年內將其外銷比例從目前的 50％ 提升為 60％。

8 X+ W  r1 R- |8 f6 ]. z) W# B% p* X7 v關於瑞薩電子
瑞薩電子株式會社(TSE:6723)為全球第一的微控制器供應商，同時也是SoC系統晶片與各式類比及電源裝置等先進半導體解決方案的領導品牌之一。經由NEC電子(TSE:6723)與瑞薩科技的業務整合，瑞薩電子自2010年4月1日起正式營運，業務範圍則涵蓋了各種應用裝置的研發、設計與生產。總部位於日本的瑞薩電子，子公司遍及全球20個國家，如欲了解更多資訊，請造訪www.tw.renesas.com。

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2010年5月27日本東京訊 -- 先進半導體解決方案主要供應商瑞薩電子公司 (TSE: 6723) 今日宣佈推出新款小尺寸薄型光耦合器產品PS2381-1，達到世界安全標準的8mm長沿面距離。

2 h9 ]+ o6 k' n+ G8 }這款新產品採用4-pin LSOP (long small outline package) 封裝，封裝表面上的LED (發光二極體) 側接腳與受光器側接腳之間的最短距離 (沿面距離) 為8mm。此封裝達到0.4 mm的絕緣厚度，此為封裝中互相隔離的LED元件與受光元件之間的最短距離。除了上述特色之外，此新款光耦合器的設計可提供2.3 mm封裝厚度，相較於現有4-pin DIP (Dual-Inline封裝) 減少40%，作業環境溫度為115°C，保證隔離電壓為5,000 Vrms，維持與4-pin DIP封裝相同的電壓。

$ t$ G. j6 k6 @1 X! j光耦合器為半導體元件，在單一封裝中，輸入端黏著用於將電子訊號轉換成光線的LED元件，在輸出端則黏著將光線(光束)轉換成電子訊號的受光元件。由於利用光線(光束)傳送訊號，光耦合器可完全隔絕輸入端與輸出端，因此可用於保護電子設備之間的電子迴路、降低雜訊，同時亦使用於電視遊樂器的電源供應器、手機充電器、辦公室及工廠自動化設備、家用電器等各種電源供應電路。

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在上述用途中，更小、更薄的電視遊樂器之電源供應器及手機充電器的需求正持續成長。為了因應此種市場需求，包括光耦合器在內的各種類型電子元件，都必須進一步小型化及薄型化。但是，小型化及薄型化之後，沿面距離及絕緣厚度等一直無法達到其他國家所要求的電子安全標準。

" b( Z; {& I% |, e6 s; {7 d$ s瑞薩電子新推出的光耦合器克服了上述問題，增加了LED與受光元件之間的距離，而且發光元件的尺寸經過最佳化，以維持目前的傳輸率，亦即受光元件所接收到的光線強度。
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瑞薩電子新推出的光耦合器並藉由最佳化材料，使作業環境溫度提升至115°C，同時採用現有光耦合器產品的高可靠度雙重塑模結構，可提供5,000 Vrms的高絕緣電壓。上述特色可使系統設計師(客戶端)輕鬆開發尺寸更小、更薄，且符合全球安全標準的系統。

$ x7 {$ X0 u" z以下是這款新產品的主要功能摘要：

& i9 U' B2 T6 K5 x(1) 封裝厚度比現有產品減少40%，達到更薄的外型
  F9 g) l% g" a' l5 U7 c$ f0 u2 w新款光耦合器採用的架構使發光與受光元件之間的距離加大，達到8 mm沿面距離及0.4 mm絕緣距離。發光元件的尺寸亦經過最佳化，以維持現有的傳輸率。另外，封裝厚度為2.3 mm，比現有4-pin DIP產品的厚度減少40%。因此，系統設計師將可開發尺寸更小、更薄，且符合全球安全標準的系統。

(2) 業界首度達到115°C作業環境溫度的4-pin LSOP封裝
6 K7 Z) r( g7 W, R% P. i8 m藉由改變導線架的材質，以降低封裝的熱阻並提升散熱效能，即使是4-pin LSOP迷你薄型封裝亦可提升至115°C作業環境溫度，使系統設計師可開發尺寸更小、更薄，適用溫度範圍更廣的系統。
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" p/ P  F, i- ~. A. X6 R) W3 Z0 s& Y0 p# X(3) 領先業界的4-pin LSOP封裝高絕緣電壓5,000 Vrms
新款光耦合器採用現有光耦合器產品的高可靠度雙重塑模結構，維持目前的光耦合器傳輸率，並確保LED與受光元件之間的絕緣厚度，達到領先業界的高絕緣電壓5,000 Vrms。
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價格和供貨
新款PS2381-1光耦合器已經可供應樣品，單價0.5美元。目前已開始大量生產，預計自2010秋季起，每月產能可達到200萬顆。

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瑞薩電子新款光耦合器PS2381-1主要特色
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6 Y5 A( R3 R* k- l產品特色
5 G5 Q3 X  n* X. j  R- 作業環境溫度： 115℃
- 絕緣距離：0.4 mm (最小)
0 [6 |* }) B2 [, R- 高絕緣電壓：BV = 5 000 Vr.m.s.
- 長沿面距離：8mm
- 4-LSOP (Long Mini-Flat Small Outline Package) 封裝類型
- 高速切換 (tr = 4 us TYP.；tf = 5 us TYP.)
- 捲帶包裝：PS2381-1-F3：3,000 pcs/捲
- 無鉛產品

安規認證
' `, C7 A$ H- t/ J0 _- UL認證：No. E72422
# T3 T& i2 o: U# x! `- CSA認證：No. CA 101391 (CA5A, CAN/CSA-C22.2 60065, 60950)
- SEMKO認證：No. 911049
- VDE認證 DIN EN60747-5-2 (VDE0884 Part2)：No. 40028917 (選擇性)
- CQC認證：CQC10001041058 for GB4943-2001
CQC10001041059 for GB8898-2001

+ u4 n, q) E" F- H9 J7 ]! A應用範圍
- 電源供應器
- 可程式邏輯控制器

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瑞薩電子推出新USB 3.0主控LSI，功耗降低85%
－以低功耗、低單價，加速USB 3.0的普及－
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; [" L4 A/ I' b9 q: I; i2010年7月14日東京訊—瑞薩電子推出新USB 3.0主控晶片「µPD720200A」，在滑鼠等周邊設備未連接的狀態下，新產品功耗較現在產品降低85%。

支援5Gbps高傳輸效能的新產品，其主要特色有：（1）在USB周邊設備未連接的狀態下，功耗為50mW，比現在µPD720200產品降低了85%；（2）腳位排列與現行產品相同，此舉可使設計者延用既有的印刷電路板。這些特色，可使系統設計者在維持高傳輸效能的同時也兼顧電池的長效能。

) V6 G- U8 f6 _2 p' t. W2 m4 vUSB是電腦及數位家電、滑鼠等周邊設備的標準介面規格，已在全球範圍廣泛普及。起初是用於鍵盤、滑鼠等低速的電腦周邊，然而，隨著影像資料量的增加以及傳輸容量的激增，使用者對於提高資料傳輸速率的需求越來越高。USB 3.0正是為了滿足大容量資料傳輸所推出的標準，不僅與目前流行的USB 2.0相容、速度也提高到10倍快，更達到5Gbps的高速資料傳輸速率。
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瑞薩電子（以前的恩益禧電子）自1996年成為USB-IF（USB Implementers Forum）會員以來，即在定義USB標準與開發USB技術方面持續扮演領導角色。自2000年4月推出全球首顆USB 2.0標準的主控晶片µPD720100後，多年來亦提供了諸多支援USB 2.0的系列產品，不論在品質或供貨方面均已獲得市場肯定。
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2009年5月，瑞薩電子再次向市場推出全球首顆USB 3.0標準的主控晶片µPD720200，四個月後在同年9月份，成為全球首獲USB-IF「USB 3.0認證」的產品，並開始量產出貨。為與當前市場上數十億的USB 2.0周邊產品保持良好的相容性，瑞薩電子已經與多家主要周邊設備廠商共同進行了相容性試驗，同時自行研發的驅動程式，可對該產品進行精密控制，並完全相容於既有的USB 2.0設備，包含帶有特殊運用的周邊設備。

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瑞薩電子同時也開發出UASP協定的驅動程式，可使該主控晶片更優越，增進周邊產品效能。

藉由開發USB 2.0規格多種SoC過程中所累積的信賴度及成熟技術，µPD720200成為全球第一個也是目前唯一(截至2010年7月13日為止)獲得USB 3.0主控晶片認證的商業產品。而瑞薩電子穩定的供貨能力，亦有助於全球諸多電腦廠商與主機板廠商安心採用。至2010年3月為止僅六個月的時間，µPD720200的累計出貨量已達300萬顆，說明它已確實成為業界USB 3.0的公版主控晶片。
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瑞薩電子此次推出的新一代產品µPD720200A除了可延長筆記型電腦及小筆電電池續航能力之外，並有助於實現桌上型電腦及家電等產品的低功耗設計。日後，瑞薩電子也將在實現綠色節能的同時，積極開展USB 3.0的推廣普及工作。

$ F. r  G3 t7 p& @- p5 J- ?" A/ t價格及供貨
µPD720200A即日起開始提供樣品，樣品單價為10美元，內含Windows®周邊驅動程式軟體。瑞薩電子計畫從2010年10月開始量產，規模預估將達每月200萬個，隨訂單內容及數量的不同，有機會下探3塊美元。

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        支援USB Implementers Forum, Inc制定的Universal Serial Bus 3.0 Specification Revision 1.0標準
        支持Intel公司制定的eXtensible Host Controller Interface (xHCI) Specification Revision 0.96標準
        支援PCI SIG制定的PCI Express(R)(※1) Base Specification 2.0標準
$ K" Z( o/ |5 w) ^        支援以下USB資料傳輸速率
6 c/ h; u) S; G  S        Low-speed(1.5Mbps)／Full-speed(12Mbps)／
        High-speed(480Mbps)／Super-speed (5Gbps)
        支援以下的USB資料傳輸類型
' R3 E6 f% Y; G! {' S        Control／Bulk／Interrupt／Isochronous transfer
- G4 x$ A2 f2 ]9 |1 ^        支援2個USB下游介面
        相容USB低版本介面
( w9 Q' w( h# F- N, ~        支持PCI Express的各種擴展卡
        ExpressCard(R)(※2） Standard Release1.0
: y( B$ w* U1 E: |9 b/ m) d        PCI Express Card Electromechanical Specification Revision 2.0
        PCI Bus Power Management Interface Specification Revision 1.2
        在PCI存放裝置直接配置控制寄存器
( M8 ]$ K0 Y' \3 b$ ]        外置Serial Peripheral Interface(SPI)類型的FLASH PROM
        低功耗設計（設備未連接時，約50mW）
        24MHz晶體諧振或48MHz外部時鐘工作
- a2 R, v' A: E8 \+ Y        工作電壓：3.3V、1.05V
9 C1 r$ m& X: |0 ?/ t! l$ \        176pin 塑膠封裝 FBGA (10x10mm, 0.65mm ball pitch)
. x/ U4 ^: {( r% A! K: h2 \* u, K
! I& z3 j: P0 \8 m(※1) PCI Express為PCI-SIG公司的注冊商標。
(※2) ExpressCard為PCMCIA的注冊商標。
9 p( ]0 J+ _! F! N% k1 d

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2010年9月28日台北訊—先進半導體解決方案之主要供應商瑞薩電子公司（TSE：6723）宣佈擴展其微控制器（MCU）事業之新策略，使其成長速度超越市場。
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# ]; {; _* \  I- b5 ]8 P2010年4月1日，NEC電子與瑞薩科技合併成為瑞薩電子公司，自成立以來，瑞薩電子不斷研擬各種方案使其MCU事業在經營方向及產品組合方面收到最大的綜效，。現在，瑞薩電子已開始傾全力執行以下策略：(1)加速推出各應用領域之最佳MCU產品並擴充產品線。(2)支援客戶提高軟體開發效率。(3)建構高彈性之製造系統「fab network」。

(1)加速推出各應用領域之最佳MCU產品並擴充產品線
瑞薩電子將針對所有周邊IP（智慧財產）進行標準化，例如計時器及通訊功能，並整合至MCU產品中，使其能夠與瑞薩電子的所有CPU核心相容，包括78K、R8C、RX、SuperH™及V850。瑞薩電子亦將結合CPU核心、周邊功能及內建記憶體裝置，整合其開發MCU產品之基礎架構（平台），並將產品開發時程縮短約三分之二。
* e! ]0 n4 Y7 p7 M瑞薩電子過去的做法是針對個別CPU核心分別開發配置於MCU產品的周邊功能，現在，瑞薩電子將可改善其產品開發資源的運用，並運用這些資源加速產品線的擴充，發展出一個能夠因應市場需求即時供應產品的架構。
+ ^1 |$ K9 t  A( E+ V2 }3 m; K
$ x3 z7 Z6 `; a(2)支援客戶提高軟體開發效率
瑞薩電子將提供客戶標準化的開發工具，適用於所有瑞薩電子的CPU核心，包括78K、R8C、RX、SuperH™及V850，使客戶能夠有效利用軟體資產並提升軟體開發效率。
2 ]! _9 Z4 ]2 R2 j  m( {9 o特別是硬體開發工具，包括完全相容於所有瑞薩電子之CPU核心的模擬器及快閃記憶體寫入工具（flash writer），預計將於2012年12月開始提供。另外，整合開發環境（IDE）及包括編譯器的軟體開發工具，預計於2011年4月開始提供，使系統設計師可在所有MCU上執行相同的作業。
因此，除了讓系統設計師能夠使用相同的開發工具來處理使用任何一款CPU核心的MCU，提供其無壓力的軟體開發環境之外，這項支援亦將使系統設計師能夠有效地利用現有的軟體資源，更進一步提升軟體開發效率。