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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。7 j! k( O, G7 H7 _  H9 g
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
7 r( ~: J9 d  T5 X; ?) B9 k% T$ ]1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些% a+ D6 Y7 Y7 s5 c5 p* J* Q) S+ H* R: n
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到$ s( I6 s* `# h8 Q2 U* b* ~
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧$ D3 Q% W1 e& M+ c- s# K/ K4 q
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
/ z( ~4 w5 Z* V; w4 b. E4 ]) K0 F) ~2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
! j" J; T) o2 @! S3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~5 B7 H' s  S8 c
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
! [8 m) K0 H* W$ r6 J2 [9 u: V# a8 r8 c  g
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
( |- A& \% Y+ S3 h非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
( H$ v# o. f/ ^5 d. z; o1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
6 s. e2 Y" ]$ A; u  i) `( I2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸0 m0 n# q% g2 L* P1 V
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意2 @7 M6 Z: i% f# E0 a3 x; N8 R
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
4 o+ A& R" J6 U' @/ n
& Y4 u( u- ~) N( K2 y$ U. |1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。) R5 w# D! g: R9 X& K
2。一般會比pad稍為小一點。
! B. s2 ?  n6 ?8 ~3 M. {  r0 ~3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
- C5 e3 J) j4 M3 }" `4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
4 _- v, U' ?3 q5 w0 b; w5 N" \|||||
5 n0 R- u, F- K" z, Z/ {|||||, H8 ^, p1 K& M1 \. S6 [! h7 p+ W
|||||→普通
% ?2 R0 P) A" }; d, f& {9 f, Q' o+ E' ?) Y- }/ ~  \6 B
|||||
4 A6 g  R% q* y( H) g≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 7 \/ c$ c! b. H9 K/ @0 Y
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
9 r3 Q4 }0 H% f( C這些專業知識+ f6 k/ X7 R! c1 `' h: i$ w  \
對我來說
7 k$ a- A; D0 ~; Z5 n* {是非常有幫助的
3 y$ d" [9 j, @6 P" X( D感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手( z4 E1 Z; B. e* ^
這些專業知識
% q0 g9 b5 T8 v, y; n% \對我來說4 A7 r2 ?! m+ {& r/ M9 |5 [6 e7 V
是非常有幫助的6 ~5 x& h# i% w  m" N" z7 d8 r
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
% Y8 R" c; k" u& N* o- y先學下來以備不時之需囉
* j, w& T3 f# d* P' |& `謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下  O% c. r5 ~0 N( r- V* `, j
哈哈哈) j# ~6 \( U3 {0 A# r
谢谢分享
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