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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表
5 C7 x. \& z1 M" i. X& @方案一:) O) d4 @5 r- P) K8 j' w  u
  AB     AB
& _! g/ q0 x+ x9 W- t% P        x8 u' |, n, j' R
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central3 u% I* X8 J# `. `# z) w0 x2 A8 j
+ D3 ]5 I3 N4 [0 d  O1 ]
如果不共用! z2 p5 ~5 j0 `  \2 |; T9 I1 Y
 A      B          A      B8 |0 ]4 N3 h: h2 X0 R/ a! z$ y) W
        x        X         x
) e2 n; w7 z- w2 B* K( n3 k B      A          B      A   ' T& @6 h/ i) M* j$ J; ~6 [
   ...

( U. O( t; M' B# z% F
. V. k9 ~) s  {方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
1 J( Q' G: R( i* E# I9 [" ]6 M- I1 Q+ Y) l9 V( m8 @; K
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.9 D4 m6 C! E! N
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 $ S+ _9 _1 \3 p' k( n; Q3 N
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
/ K8 d1 t: c: _RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

) V& z; T+ ]8 @/ Z' t
3 I- T; Y7 q  \: R' E2 t! |  ?7 I$ E+18 ^% r9 R: L2 P
/ u7 @; C% X  J! U6 t, |' K6 X/ T- `
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊5 ^$ E! f; B# x8 P5 ?
1  面积小2 g, L; r& f6 H
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小  U; Y* P1 o) g
3 符合common central  
9 W- R* T! G" u1 z$ B. z5 c( `" M- N7 x7 c0 x/ H/ K, ]
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者

% s9 \6 z: b' K6 ^3 P; p9 L$ w; l, V) @

4 ]- Y9 v' u) `& ^# Q: F3 c* }% D$ M+ a% C& U6 u8 [
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩/ q+ o& f+ p" _" H
+ Y8 [7 w) z" d3 p' c7 c
ABBA       ABBA8 z. K, H% o' c( r
BAAB  和  ABBA
: r  a0 U4 N2 i, B- X, x
8 s. P! K, C$ b; o這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!
* W% O# G2 e9 A7 u2 Q5 d+ |. S6 H看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method ' u& G  x! n% \0 s
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl
  Y* k. z' e: |
; v0 X. M3 d" |3 l" \( c4 Z6 t  \9 Y3 d; D4 V6 ?
    我都用第2種方式~common-centroid
& t9 D1 j1 b" f) T    省面積~而且特性較好~3 H% g6 v! }  R2 s
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl ! q* `9 p2 O2 ?& B% e9 L

3 H; c8 }$ j' O" Z我也想知道不共用的理由是什麼?! A1 u6 q% ]& q) P! _  V% R$ E( U7 v
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。
9 r5 M0 I( x& d  Y4 N4 a1 v# q+ n! V2 ?6 X6 U7 ^" ~: u8 y
現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的
+ y7 T0 j. m! k; q# o% x: d; m3 j; P$ x1 K: V3 `; h
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。+ W6 v' _$ X4 v: }4 W( m/ e3 {
事情並沒有絕對,只有合理性,: m' F) Z: q9 ]" `" `- I% }
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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