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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。" [! @" e+ @1 [# j6 R
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
; d- t1 r8 h2 R3 Y  v* A1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些3 Q" p: {; k. @
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
( l4 s% E$ ?4 R  W8 L8 t6 q3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
  k& \( k; Q7 o) E4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~1 W( m& A" B2 B1 I& |5 m
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~/ N2 o2 M) N. K& _8 m- T; H2 D
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~3 P4 h  T* o0 J
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。3 ]9 b+ W% Z4 k/ P

+ ^' y" @+ K% p  B$ S; ^% N: T[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
) q% D" [" U& v7 t. S' L非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
5 g2 h- z2 p. P' c1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?& ]  t. J# H6 P6 l$ ~
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
' X5 y) b7 M1 m* O3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意8 G) t3 S( t4 T: k9 r
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 6 Q/ M) d+ x# z; z3 E: m
: @% M9 P' b$ S6 D0 [
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。" |7 O$ {( o" k% Y' I- m
2。一般會比pad稍為小一點。% ?6 Q1 A+ \2 {9 U6 U6 F
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。/ y: i+ s% l# G. r
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
1 n+ ^7 |  m0 x: D|||||
9 d) y, `  [9 R) a0 \  r" H|||||
# D" `* ^5 ?0 Q" ~) H0 p|||||→普通& O8 f& H9 o+ h7 R  k8 A. L

; `% U3 [5 i6 p: ]|||||# a! K" i' [& E# b* X2 n
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 , L$ C: T% C) V5 f5 B
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
6 G, O# T8 ?4 a: i1 o; e. |這些專業知識
1 ?. K0 u2 F: q7 A. D9 L對我來說
# B9 q; J: M0 [. K; W; i是非常有幫助的
2 a% j5 @3 @3 h. ~% b1 w感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手9 b. }3 t* b2 O9 r) v' f
這些專業知識3 C" H7 \4 f1 i$ C  n
對我來說& p5 h) h# H7 P* y+ D
是非常有幫助的" U  z* C" F' w3 v! d9 _5 Q" k
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
8 H# Q. t* x" S) O. P9 d+ ]9 }先學下來以備不時之需囉
9 J$ z2 X+ E, E! ~/ v謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下
, p- p! a5 j0 t" m5 h1 Q- z哈哈哈
7 Z$ U  X0 h8 n) @6 Q% m6 y3 K谢谢分享
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