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[問題求助] Hspice如何模擬fully differential OPA

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1#
發表於 2009-8-27 16:21:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問雙端輸入、雙端輸出的OP Amp該怎麼模擬呢?
: b! p0 E" \( X找了書來看,上面都只有單端的例子 = =
+ r- k$ a) q% ?現在跑fully differential感覺問題非常多 @@# w4 S6 N1 E, d/ g6 A0 G8 u* m3 z
* Y9 _9 f9 j3 s' y' o4 |% V) [7 X
我是跑folded cascode(輸入端為PMOS)  netlist po在下一樓3 e% k) Z4 b/ ]; G/ A! r
3 f+ ~1 p" g' |" N6 A% E% q! m; Y$ |- N
1.! B* N' R" Y) L4 V
首先,問題在於差動輸入端的描述
% ]: G) h1 K% U& f" f( k我是考慮VCM相同,然後再灌入差動小訊號* {- Z- e0 D3 L5 k7 m1 Z
! V, S$ B9 v4 o. y2 z
*輸入端的描述
& @( Q) `/ p3 j7 N% f" \vd 9 0 dc 0 ac 1
1 k# ~0 @( Q9 B4 _" Oevd1 in1 8 9 0 0.5+ t1 e7 K9 d  X* \! g
evd2 in2 8 9 0 -0.5
6 X- g2 ^! m) z: s( K2 h; kvcm 8 0 dc 0" e  G2 A# [' G
! m1 \" b. S' S6 R( ~
# c* R9 n9 X- Y. [" {) Y
這樣寫的話就是dc偏壓為0v,in1端 交流 0.5v,in2端 交流 -0.5v$ v# l" ?' z% M/ {! i4 n. W
不知道這樣來描述差動對的輸入端是否是正確的?
, ~8 D% K! `) @; R0 e* v
1 k0 c$ |& x. {1 ?7 G$ j+ |, w( L/ S/ B% [6 ~5 q" V. U( Y, t; Y

, E- h" f+ c& l& U. g, |; h2 o, A9 J
2.求雙端輸出的gain0 k. @: e5 Q6 G9 F3 _" h

& G/ Y& N: n, o% k. z; k/ m+ C*讀取輸出端的描述. G: e4 g7 R9 T# B4 o- L0 p# h
.print ac v(out1) v(out2) v(out1,out2)
5 |* U4 S) z; _" A.probe ac v(out1) v(out2) v(out1,out2)& O5 B7 L! K1 T
.print ac vdb(out1) vdb(out2) vdb(out1,out2)
: z0 ?9 \  g2 v' X.probe ac vdb(out1) vdb(out2) vdb(out1,out2)
% r. @1 O: L# K  m8 T
2 K. p3 I3 V: r' }6 W. Q9 A
我看書上求gain都直接看v(out),但是gain的定義不是 v(out)/v(in) 才對嗎?9 Y9 U* k3 K3 |: I3 R
真是非常困惑6 y  J% `' r& K2 f, h0 @
  _# A6 g/ ~6 @6 ^, b
還有我的電路明明是兩邊對稱的,但是out2端和out1端的電壓卻不是相同的值
. D2 g/ b; X2 ?8 S2 r1 l6 V' Q這到底是為什麼阿?& {+ N* `+ k8 y
(我去看執行.op後所得的小訊號參數,電路的兩端也是對稱的)7 B, X' K) j) @
(如果電路兩邊是對稱的,依照電子學差動觀念,應該gain只是差負號而已吧)
- L6 r2 r0 Z4 t: g
& Q. Y" w; b9 }& H0 Z. k
: i7 X; E# f. S再來就是想求CMRR,這應該先求得共模增益(Acm)吧?
2 l, Q1 u6 u' z8 n4 S: t( B這要怎麼求呢?. ?: n( S$ C/ D3 G& ^+ R
0 [) j7 e) g4 G( B% b

6 V5 C. `8 R7 H, ~7 b2 t4 O0 @2 |$ ?" s  Y& G- X
3.輸出阻抗輸入電容/ R. ^6 p9 x+ u, n0 t
請問輸出阻抗要怎麼求?
5 D( ]# l1 m" v3 P單端的時候直接下 .tf v(out) vin
' d5 W/ N) \9 |1 G4 Z但是雙端該怎麼寫?
) b; q9 i9 @. s# t# U' M$ `另外,如果我想看不同頻率下的輸出阻抗變化,又該怎麼下指令呢?; u: h/ n  o7 {2 z3 \1 w2 I

- w5 z* M. C* o# S) x還有有辦法求得輸入電容嗎?(從input端看進來的等效電容): c( p5 U+ [. H* x
因為我設計的是sensor readout電路+ @7 c  I8 `8 H. N+ l
為了配合前一級,必須要讓輸入電容很小,才能讀得到sensor的值$ W3 L' M7 F9 V  ^* |8 J
4 `3 ?6 t( h5 n
0 G6 }4 @) v+ Y8 _) a! B7 X- {

) H" J5 E8 a& X8 s
3 G, _5 c; G' y4.輸入共模範圍輸出擺幅
% q- @' L$ X2 [5 e  J- z0 ]# N- v' R- P# _% y) k# J  K, z
這個問題在書上找不到1 s% X4 t  ?- O
是不是要自己看.op所得到那些vgs,vgd,vt值/ c1 l4 a. c) [$ _, Q8 K
然後再按照電子學所說一層cascode用掉一個overdrive voltage,再去加加減減?  K6 ]- F$ d  m6 g- T6 G& ?
hspice有比較快的方法可以獲得這些資訊嗎?. U5 P/ z; U# m, X

0 F5 |, a1 U$ U6 g9 R) U
$ R* P, B! e6 v/ f
' R5 ?! Z5 B3 k
" j9 Q7 j  e! X1 t$ k3 z# `以上問題. E/ j+ U& w1 q0 x9 T) }2 `
請您不吝賜教 感激不盡 <(_ _)>
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2#
 樓主| 發表於 2009-8-27 16:23:04 | 只看該作者
5.
7 Z0 D& Q: U* F$ ^* ]2 `6 l. [最後想請問一個寫netlist的小問題! W  q1 p! H2 R7 J. }6 \5 q) j6 u
在網路上看到一些例子,特別把mos寫成並聯好幾個0 |% y" I( K0 q6 j! @
mp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=30u/ G# l% c! K2 @- r
mp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=10u m=3& G3 |7 z4 |) p" [
這兩種寫法有什麼差別嗎?(模擬或layout上)5 h. |* [9 x7 X) a" ]" @0 X% u. [
如果不用下面的寫法會有什麼缺點?
! B& ^: ^1 U3 p! B4 f* c. g. J, Q, T& A$ @9 m" M8 X  O7 @

; T) |  O9 {3 F+ w' T$ v0 l  v  b( B: T3 `
1 l# R, x3 F7 \% ~: X" g) J
附上小弟寫的folded cascode(輸入為PMOS) netlist:
9 d2 Q5 G. j4 O6 i1 }0 _# \* p% V( \
folded
" F  y+ V! C# p1 k  F.global vdd vss
% J/ Q1 L, S* C) q* k0 a
! ~+ t8 z, j) o2 I8 t.option acout=0
7 ?/ z0 U( V) I, H
  d: k, p, e) _; ]1 I.option post=2
1 G+ _: ~2 N) a; Y! u.option probe
; J. ?) E7 y& N7 B2 u! C5 j+ E) b$ x0 c, }
.protect
5 @- `( A% v7 B( |/ ?2 @.lib ./rf018.l tt& D+ E' O4 V0 ^' C. y5 n1 N
.unprotect: j! S* V7 b* w. [( J

! F# G3 i* ?5 _/ Smp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=30u2 ?8 [) f: ~1 s
mp2 2 in2   7 vdd pch l=0.35u w=30u
/ e- y; Y5 F" ~mp3 5  5  vdd vdd pch l=0.35u w=15u, a' x( D0 Y. ^/ s
mp4 6  5  vdd vdd pch l=0.35u w=15u
- b1 f6 }" j5 `3 w. v4 p8 smp5 out2  out2  5 vdd pch l=0.35u w=20u4 P1 H9 j7 N* V; p4 l" J4 E
mp6 out1  out2  6 vdd pch l=0.35u w=20u
  f- z1 O4 l; Ump7 7 b1 vdd vdd pch l=0.35u w=50u. M5 O5 Z2 [& `, [  i
mn1 out2 b2 1 vss nch l=0.35u w=5u% C# m: E5 f8 s9 Q% S; _
mn2 out1 b2 2 vss nch l=0.35u w=5u
% q; i  K* U+ {! Q! Smn3 1 b3 vss vss nch l=0.35u w=25u3 e7 L: y0 v$ G; N+ z% t( C
mn4 2 b3 vss vss nch l=0.35u w=25u; H0 d# s2 e  J5 o) A* q+ v

" s( m& V2 _. H9 u$ ~*輸入端的描述! D" j- b( a7 Q7 I; U
vd 9 0 dc 0 ac 1
5 }* q" G) T$ T6 O& u7 R/ j6 Pevd1 in1 8 9 0 0.5
# ^5 a2 a. h4 {: q' }" ^4 sevd2 in2 8 9 0 -0.59 [( C: x/ j7 i! ]5 W: d1 I
vcm 8 0 dc 0

, g3 y& X0 @2 X! @vdd vdd 0 dc 3.3v# l. X+ \. z9 E3 X$ k! G+ u
vss vss 0 dc -3.3v
& i+ Q3 ~: Y- [! c6 i. V/ `& g8 Y. C3 V  M
vb1 b1 0 2.4
6 y$ |: k* x9 N- gvb2 b2 0 -1.2
! x( P7 [9 e2 b- t" G# T4 Ovb3 b3 0 -2.4) l+ `4 M/ c! \! u' i! P
, t5 B9 R' T# l1 B. u
.op
! e3 X# w1 o  x1 r.ac dec 10 100 100g
* M8 A& U# A4 A; [+ b
# Z8 @. d8 k. T1 w. w) P' V, r*讀取輸出端的描述* @2 F! C6 d. g* s& x+ |: O
.print ac v(out1) v(out2) v(out1,out2)
7 f5 C) z, }( v' s, n3 j. Z.probe ac v(out1) v(out2) v(out1,out2)
6 p1 b& C! Y4 k! n4 |.print ac vdb(out1) vdb(out2) vdb(out1,out2)& X( ~# ]& Y8 q+ }+ p$ [4 x0 A) ~
.probe ac vdb(out1) vdb(out2) vdb(out1,out2)! t- H9 d' p: l- O+ n/ k

4 r8 p6 E( M. G( a- ?.end
3#
發表於 2009-8-27 17:06:39 | 只看該作者
和单端输出的一样模拟!只是Gain是原来地一半而已
4#
發表於 2009-9-2 00:23:19 | 只看該作者
GAIN是原來的一半?
, ^" S; p" @: o" k. \: j; }可否請問一下這是什麼意思阿
5#
發表於 2009-9-2 17:25:03 | 只看該作者
Gain差兩倍$ _, |" u8 H) `5 d/ c" V2 f& ]
因為是你實際上Gain是看VOP-VON! T: Q% Q0 b& j) n
差兩倍gain實際上也才差6dB左右. h5 x7 Y+ x- D( r/ H
所以都常都只看VOP/VIN大概是就是Gain大小
6#
發表於 2009-9-2 18:15:49 | 只看該作者
5.
' H$ `* C: ~; h. Y! M! c最後想請問一個寫netlist的小問題
$ N8 O7 @/ }" T2 E. R* g在網路上看到一些例子,特別把mos寫成並聯好幾個  N% k/ u9 m( H% _# l- E/ P+ m
mp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=30u; M7 ~3 ?/ l8 j+ g8 @7 M
mp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=10u m=38 l, X  B6 o$ b1 X) V/ w0 L0 m
這兩種寫法有什麼差別嗎?(模擬或layout上)0 b( P" O5 s0 `2 a  N- E( {
======================================
. i5 V. [6 ]0 t% S( b我絕得啦!雖然width感覺都相同2 W( p9 c( M& I% s5 k0 \1 f; j
但是跑hspice時候可以看到他們應該在不同的pch裡; V, b9 T+ T: @4 v0 @, _2 D" d
例如...pch.1   pch.2 所以裡面有些參數就不一樣& k6 }' j* z6 \8 x; k- M
像是Vt~~或者mobility...... @0 i; s) [1 Z4 G1 A0 z
在layout上~~直觀來看 用第二種方式他在Gate上的寄生電阻比較小! M  G- T- \. `" }9 J: T' s
# Y" N* C. |; v+ T  a+ _1 Y
以上是小弟的淺見...
7#
發表於 2009-11-27 11:42:23 | 只看該作者
謝謝大大的分享~知識因分享而壯大!
8#
發表於 2009-11-28 15:20:21 | 只看該作者
我也有類似的問題說,放到現在一直不知道為什麼?
0 T" ^* Y2 D1 Y) R希望能有高手大大來解答!!!
9#
發表於 2009-11-30 12:32:01 | 只看該作者
mp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=30u+ A) E$ ?8 g# A7 A& d8 e7 i
mp1 1 in1   7 vdd pch l=0.35u w=10u m=3& K) {7 |, D: |
上面這兩個不同的地方是,MOS會操作在不同區域,在spice model可以看到,不同width和length,1 S- L1 J# A6 ^5 ^5 K  M
可以劃分出許多操作區域,他的物理參數會不同。
10#
發表於 2009-11-30 16:06:44 | 只看該作者
再爬文 還好有看到大大有提早先問 得到答案了 謝謝!!
11#
發表於 2009-12-14 17:16:01 | 只看該作者
看到大大們這麼踴躍的回覆, 蠻多收穫的, 3Q~
12#
發表於 2009-12-17 15:55:21 | 只看該作者
仿真单边电路就可以了!
13#
發表於 2009-12-21 14:32:03 | 只看該作者
multiplier 一方面是由於參數設置時的問題,但更多的時候是考慮到後續匹配、寄生電阻的問題
14#
發表於 2009-12-24 02:54:55 | 只看該作者
謝謝各位大大的分享~正好在研究類似的問題 ~ 感謝踴躍分享 !
15#
發表於 2009-12-24 12:46:28 | 只看該作者
只要拿单边电路仿真就可以了!简单方便
16#
發表於 2009-12-31 16:51:14 | 只看該作者
1. 這樣共模+差模輸入的寫法沒有錯誤,電路是雙電源,共模設在中間點0V算合理。' f" l5 L5 n* }5 Q
2.小訊號輸入大小為 ac=1  所以gain=V(vout)/V(Vin) , Vin是1 所以省了 直接秀圖就可以知道增益。
8 m' W0 U% i! O. \' ]3.輸出電阻使用.tf 應該是直流訊號時的電阻。有沒有隨頻率變化這部分可能要看manual9 Z* p/ ^" _4 Y: s
4.Allen的書應該有。
9 r' M1 d1 f1 N) b! ~- o) k5.並聯與沒並聯影響到寄生電阻、寄生電容、layout時的mismatch,詳細可以看Razavi的書
17#
發表於 2011-4-12 16:54:52 | 只看該作者
收穫好大~~~
0 e# e% p% n1 _! @9 q4 F謝謝分享XD~~
18#
發表於 2011-4-26 13:37:47 | 只看該作者
問題蠻細的,程度應該不錯,但回答的還是有些令人不解,感謝大大無私分享,3Q~
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