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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。4 N0 M- v/ T. E+ S% q: K  D
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
( a# p! X. q) o; N$ a: ]3 k1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些/ i1 ]# P6 D9 X8 m5 C
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
6 Z: P) o' K3 g$ V3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
  S# {6 U8 ~7 b: M: }( S+ F! x4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~: @; e: X. a" j1 s
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~7 f# n5 w/ W! S
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~
) P6 R# X! `% [  R6 ?! d- h4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。; o& Q! y$ Y9 a' V: l3 N- o

) s4 V1 q7 T: v& |3 E[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
- U$ n$ y- j  d非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
( D( z) M7 r( U# e4 f- z1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?* |  T0 J- b: U, h6 U
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸! _- @$ I2 d/ x1 s9 [
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意. c! w' O# g$ \6 ~
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
& V$ X" W8 u/ G, F1 I
9 C5 R( j$ {, i1 q4 [# E  D1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。  R. e3 B% n, A# z, U/ o8 Q; G
2。一般會比pad稍為小一點。
  G( R3 ]% P5 d6 N3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
  ^( L% Z) v- Z4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
# ^) T/ A+ `! |7 }3 i|||||
# |0 @8 C6 A8 h/ Y0 @6 l+ W|||||
/ M7 ^8 {8 D- a. p/ Q- J|||||→普通8 B$ v. y5 \4 k% l
3 b) h+ A& k* V
|||||' l5 ?2 y- f( t
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
% @% z& l  Z6 o! w! C: k谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手* C: T3 w$ z2 T3 O' W
這些專業知識
% v' l' W1 o  C2 s5 F! d- R8 e: W8 G對我來說' s# @0 m1 ~# \
是非常有幫助的
5 |; j. N1 F: v, h9 ?感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手& v8 y2 L- a; z! h3 p% l) u. ~2 }; ^
這些專業知識
. G1 V) y) C# H. w5 o對我來說
; J# G8 M" V& M6 w是非常有幫助的+ m% \8 D5 |- \& R6 M+ f
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
3 B) d5 U; @0 V+ \5 @4 W先學下來以備不時之需囉7 [* Y* l- y9 D$ h% {
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下
0 }! A" n$ F( g3 H& C哈哈哈
) R) f4 `' J0 e- c2 n2 E$ r8 W7 P谢谢分享
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