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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。5 _! D8 g  w! [8 F8 d
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
5 J. n% _2 B8 X4 V& |1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些( F( k5 B2 X  A5 [  J, a& D( i8 H- [
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到+ o/ K$ `8 Q. t
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
' R3 w. E, A. ]5 o) T2 n0 P4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~3 X0 @& l7 F2 c: q
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
, M/ o( }( T" {# z- i( }3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~* R3 [* ?: Z. t3 B' d" |* l- c
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。, C& _  l$ W4 A1 u- R# U" _

; Y: e% W% D- K  T' ?* _[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子1 B2 B$ K9 P5 G, O
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
# A5 ^) @# P+ R1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?! W+ M! c' ]9 o& D/ |* W
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
( B, W! h% i9 u2 o4 U3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意0 t# `4 L+ w: b# q
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
1 W8 C2 p7 X  f+ F, j, G( A1 I7 o1 y* a$ {! J3 }
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。/ q% D# `$ Q# Z6 Q. H& o) M
2。一般會比pad稍為小一點。5 f+ ~6 J; G1 O2 [6 d2 Z
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。3 I* d% k# P+ b3 ^' b
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
! ~+ f1 ~+ d+ u- o$ K|||||  Y+ u8 d& y4 A& z. b
|||||# T$ ]5 A  r' S
|||||→普通
9 r1 ]* v0 ~* H; ?9 h% ^- I6 W9 y( k; _: k
|||||" E% T; ~$ g. C1 }# p6 l9 Q
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 " L! I6 x' @  g6 ]; N) f
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手0 `7 F# u; Q. \' o
這些專業知識) x9 K9 \9 U4 O! U0 L
對我來說$ h) @5 O. h" |# L/ ?
是非常有幫助的
1 T2 W4 p& D1 b" v" O感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
; k! S! g) h5 ]1 m: P% Z# ]這些專業知識3 h7 O9 y+ K2 _
對我來說
/ m7 t( d( }. ^0 l: u是非常有幫助的' y! X6 @; B* Z; M4 f% k. ?
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
% }, M; P) h. a先學下來以備不時之需囉
( R3 A6 F' P# ~& D4 f# z4 l2 _+ s謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下
* D, G  K  `2 n+ ]; Y( F1 o哈哈哈
0 ~# I% b& a" s2 l谢谢分享
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