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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝
6 t# G: ?( s. g% K$ ]/ t5 V8 R我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)" \/ F6 H0 _" g
1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.+ Z' J% q6 V  n; X/ r# [. Y
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }* t: Z2 t: `( K% G) s
2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
$ u$ U0 D9 Q0 D* W                   EMPTY_AREA AND NWi }# v* |" w8 h) i& \, z
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD * Z% [! W1 A5 E  O0 e8 d
                     layer.
. ^  f; `2 P$ k; F" R; R                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
. S# l" B9 b/ Y! v; e2 l0 v
7 J( N1 ^: k1 p& |: Z麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer
* Z5 x8 \2 e" I3 m7 u/ Y' ~ 整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check
$ u& ?6 h" k0 n5 a* q. N: v在 DRC command file 先把它 mark 掉
2 C) o# K/ J8 o+ \( ^% N, h在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些
; X% d! T% J/ E2 ~////#DEFINE FULL_CHIP& L  N, C9 {  z; U% R  |' M6 U
仔細研究一下 design rule ) n9 W( q2 G- I. \2 S8 c: |
應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?4 @; K3 ]1 t& k8 D+ k' `2 s5 _
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?- ?6 m$ u3 r7 M8 g& h

( y5 W% K* W& M  j. u7 O還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width ' {+ m+ d6 a, W
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise9 t! s, S2 M& W8 G/ I& ?
也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
! X3 o+ y! E+ y: [
! J/ M3 t* s4 F- g" C5 ]% I. N8 A[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉
2 e8 u4 d5 \5 M' S0 ]3 j就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP# j* T; [5 p) Z" t
在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
; u" H' o9 [. u( x如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;
( x9 [/ x3 j" w( |5 t 還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
1 ?4 U! [- E8 ]2 x9 l! ^) h是的  有人說  rule file 也有人說  command file; P( t  x; Y2 l8 x- N- h
" v% V+ ]% ]0 U, {2 k2 G
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width :
2 q! D( h. {0 ?! K3 m變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise0 E4 C" E& C1 \' ^' I" q9 a
  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?+ u% z) m8 B' ~; Y# k* g/ w
沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮
2 B1 R. H& D2 P+ R6 a 例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ
" a2 C; ^8 u7 b: t* F! b* G5 X通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論: w: `/ Z$ D8 F' A. w/ j
後 做決定 有時電路有其考量  參考參考
$ O8 P. j& l3 _3 U# f2 F' U' d$ ^0 ?4 r9 z
:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~0 f$ n  B# n: ?( X2 }. H$ u
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表 7 y# K2 ]$ U1 Y. V, m
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
4 y5 g2 i( l) d7 c5 l那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?# |( J0 X! e; {4 ?
原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…$ y- {! j2 d* M
這個名稱還滿好笑的……
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