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Emerging materials from nano-CMOS and beyond 講議分享

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1#
發表於 2008-1-9 09:12:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

講者:Dr. Wei-Xin Ni, Director General, NDL 國家奈米元件實驗室主任 倪衛新 博士

66p, 4.8MB PDF, 6 RDB

􀂉 Materials bottlenecks for achieving high performance of nm-scaled Si-CMOS chips and beyond
􀂉 Key issues for heterogeneous integration of functional materials
- Heterogeneous integration with Ge
- Heterogeneous integration with III-V
- Heterogeneous integration with other functional materials
􀂉 Summary and future outlook

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2#
發表於 2008-2-13 03:11:59 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

現在製程  TSMC都已經進步到 32奈米了2 [1 n2 P3 q5 G5 \5 _
記憶體製程 台灣大廠也準備要朝 58奈米 邁進了* a, e, x- W* l( m% N9 F
相信這應該是個不錯的簡報!
3#
發表於 2009-9-23 22:33:49 | 只看該作者
謝謝大大的分享
- T3 Y( }  B9 i9 J剛進入這個領域 所以需要多多吸收知識
- Q& F/ V0 Q6 ]8 ~, S: C% t) F趕快來去看看~
4#
發表於 2011-7-8 23:53:10 | 只看該作者
了解下这方面的知识!
5#
發表於 2011-9-21 17:25:49 | 只看該作者
謝謝分享
9 _2 K4 W$ c8 l沒看過這份7 s) Y# j4 h0 @! `6 o
支持大大
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