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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝
" m* @& Q8 I4 R6 [: ]; d我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多). a, m8 n' X2 E. M$ B- ]8 D. H
1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.; k0 e" P& K7 a
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }
; c, Z4 L0 D1 T( L2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
) K, ~/ D* |& e8 m/ v8 S0 o- s; V                   EMPTY_AREA AND NWi }
7 m; p1 U2 v- m6 w+ t  q  r! t3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD
( W3 w: u) H$ Y: ?0 d! h                     layer.4 z$ w6 Z3 U& K, C, p) a/ b
                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }, F1 ]1 x7 ?% x. o
3 Z+ R% q  l9 {6 f/ o& ^1 H
麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer
, S5 V" F8 A8 Z 整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check
4 ^( w9 E8 F6 e& k在 DRC command file 先把它 mark 掉 ; R: ?$ m+ e! W  q" ~5 i4 P
在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些
  \9 i* |8 B* y; N: F  [////#DEFINE FULL_CHIP4 H  X+ T) v& t1 c' ^) G# g
仔細研究一下 design rule
0 b! i% {' F$ V7 d) V9 F. S# D應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?
& L; \+ a+ K+ @! P8 v: r還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
( y# J! Z3 U0 S9 c4 I! Y
( M* c) q4 D4 p還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width 8 @7 r% u9 t1 ?* _0 s  s6 P, c; K4 A" Y
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
$ N6 ^7 @& C. ?$ P1 a也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
9 d; k: I+ N/ k$ `/ N8 X6 U; I$ r( k) L( Y* Q7 i- T
[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉
2 w! f6 z$ f  z' y" \就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
; t9 ?3 b  y( Z# ]+ \" b在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
/ |, k2 G2 o5 z: V如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;
, ?& U% T" Z" o 還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
! D6 A5 z# H0 p! m是的  有人說  rule file 也有人說  command file
1 b7 d3 J. B, b5 ]  i2 C8 ?# p8 [- [2 [" ]
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width :
0 u( S2 N$ {7 _" O) @  n* V2 T, u  s變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
3 d( F8 R0 d0 v) s  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?8 W) n, |' @) c% _! M7 e
沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮 & D4 `( s8 L9 y. @2 i. c2 J
例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ
9 x4 Z; e* _4 ?: ^5 M2 }通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論. K- N1 d4 j& D
後 做決定 有時電路有其考量  參考參考
! \: J+ J, {8 d
- k8 `" a; Q  @' _% ^:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~- N* p# P& h1 w2 [  k* F' o% T/ F
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表 " m$ N* h( a* W! C
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
* j9 w2 a/ g% Q0 J0 n, _9 q+ {- ]那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?
) i# l( [9 _# U4 Q" H原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…
2 _7 z8 x; J' z% P, q( ^這個名稱還滿好笑的……
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