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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝
& I5 b5 Y  o8 P, g7 [+ n我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)
! b1 F8 ^* V: B- q" {1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's., f6 Y2 p6 r0 D
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }& C3 U0 J* a! q6 q/ `
2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
' H- g; r8 z' [9 G( Y# i                   EMPTY_AREA AND NWi }( q" Y; o+ g2 \( p
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD
( r  i9 ~$ l! h$ `                     layer.
8 P% `0 ^/ Y# r" j6 Z6 [* C                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
! Q5 }8 w: b" ~9 G; _0 G0 G9 J1 j5 y1 m3 j
麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer # T1 \# ~; Y' e! z0 D# }/ g
整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check- _' c( c6 M- J
在 DRC command file 先把它 mark 掉 0 y# k0 v0 f2 p5 V) h  R' k. k1 i* C
在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些
# ]# O; D% y' z4 _9 b& t////#DEFINE FULL_CHIP
# |' y% _1 l3 ?5 q8 [! B仔細研究一下 design rule
' x5 q) l1 g' V' K! b$ l3 C$ m應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?( a1 `0 q' q( g  T- ?% d% x+ ]  m! v
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
* R: U* M0 l! c* H; z
; ^3 M" @# }/ [" V4 A還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width ; v% E$ `  T+ ^, v
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise- B6 C' u' E+ V7 L9 Z" E
也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?$ h1 u! m. s) L% w! {4 Y$ \

- R, z5 m/ L3 `; D[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉9 Z! y' w6 [& n7 S6 e0 k
就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
( u6 ]! n: ?$ ?在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
) A6 S* c1 ]4 C7 ^' i! v$ {如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;
5 `8 l" K' @- q3 F; g- b' k  `. Q 還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?6 f+ [1 }& `( T/ z! I
是的  有人說  rule file 也有人說  command file
0 @: q" S  i6 |/ p$ ?
  B; Q. L+ v" ?# Z, T8 \2 `) S還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width : ' R+ X% X# i6 x" t* ]
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise/ {; K( [" V4 R$ ^( }! E! Y! E: x
  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
6 v3 x7 c1 V# y& w/ j  e沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮 & u, B- y8 B+ l! [2 S" F( v
例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ/ l2 q+ N8 x- C8 E4 W, S: P& }
通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論
7 A$ D4 G& w( N. q後 做決定 有時電路有其考量  參考參考
4 `" N) z5 O( ~8 |7 ]5 S. J4 W- g" I& a% M
:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~, t, W) m: t9 N: W" @9 w
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表 7 g' p% w; n1 K$ M5 t& v
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~" l# r$ i" G- g3 g' D- m
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?
; F3 n1 y+ b7 q原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…! c- i) D: X8 C3 ^; D& f
這個名稱還滿好笑的……
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