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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表
- g6 U  M/ f/ k0 U0 L3 Q方案一:. N/ O2 k+ g) b$ q+ Q4 `
  AB     AB+ i3 r( `! m, R  X
        x. J/ f' m5 L# Q6 ^( i3 a; I, U" }
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central
$ {6 T) a) o  P" ^0 W3 ~6 }! [, g, O2 C7 Y6 C3 ]5 z
如果不共用
+ i. ?2 W! H. I8 p A      B          A      B
+ E: l' {) k. J/ c) K0 X        x        X         x
' o6 C" g% j$ v: b3 F B      A          B      A   9 i0 X0 K  G. T- B
   ...

* U4 K; R, x8 \, j, b# b5 F" |5 \* @1 }! V7 o# W1 ], {
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.1 @- e/ Z7 U( s2 v! b- ^
' X! O. \0 b  @
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.: n- V/ x/ ^# ?  s
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表
6 M  @# q' T' ?! R4 `" l8 o以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.9 q- ?2 q* e% O0 c4 d5 \2 L. L4 S
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

/ Y  n8 ]3 V0 B" p4 _  s" j3 n0 ?  f4 B+ x$ G/ s9 U9 M/ d
+1
) _% `5 S  c! y2 y0 u5 b& ?- z) a" v& r( b
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊
2 L+ K6 A' K; d! t1  面积小$ {, q! H0 ]& |0 y
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
& r# G7 G3 R/ l3 符合common central  
% Y# S) |8 m+ K) q8 F( m5 t( R/ U) {' B1 H# D, {9 g: E6 K
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者
+ F/ O# D2 ?/ Q. T$ m% o( M
' I+ U1 Z8 G/ b4 ?, E5 t* l# K( V+ b

. ^7 B. F& ?5 @4 o( A
9 v. a  Y+ a6 ^" p8 I* @
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
3 a5 c8 a& s5 _! a( b, w- C: g! ?  f4 E/ g# t0 {0 h9 ?+ ^
ABBA       ABBA
& L. V  u) Y  ~. k8 }  u- NBAAB  和  ABBA
! I. D$ l0 p6 j/ ~5 _+ N# B
5 [% l# z1 Q; D! [1 {: Y這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!: y( D6 ]: U0 Q
看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method * U2 S% D& ?; I
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl & ?  R- Q( g) O5 I# x& h

! M8 r9 B7 h1 [' J3 h1 b
  W, Z8 U/ G3 D" `8 d+ }    我都用第2種方式~common-centroid
* a) N# E! q+ A2 L7 q/ T    省面積~而且特性較好~  A* o: M5 U% G2 p, ?( d! Z
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
& r8 X1 z) A. e9 k# u1 c" x6 u$ _/ J
. _* H4 {! u% g" [( a# {我也想知道不共用的理由是什麼?5 ~3 J+ M  `0 ]3 h5 _
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。
  J& B, ^* x$ |% Z* h& n7 D
0 O! x2 I  {+ T1 n8 z7 h2 k' U現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的
! A- r9 [. t4 |; u; C4 N& ^
( `, L" l7 N9 J( S  R& w- D, _8 o依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。
2 N+ F' d7 d" F$ P$ J8 E事情並沒有絕對,只有合理性,5 A* G5 T0 i" g5 Q" a; L
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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