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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 ; ]9 j) N4 N. |5 G
方案一:( j* ]3 O7 ?- W1 a- j
  AB     AB* R  U( Z, p9 @: ^, J7 n: U
        x
) o8 J7 T3 B% j1 ~  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central) k+ ~$ y# y2 X) O, m- a0 s0 Y

! K) f, L; u1 `1 i1 p如果不共用
4 i% j: \; Y5 u3 F+ p A      B          A      B
3 f4 G, g' Q0 Y  m2 f+ d2 J/ J        x        X         x9 L/ h4 [( R: [5 E% i
 B      A          B      A   : H2 s- j8 o! G3 w9 b8 M2 @5 g
   ...
1 e3 M# I; U" l+ I9 o

% T" K  }; j" `; J方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
9 G# ^7 {0 W' r7 m- f) c' B1 O3 G' @0 d" M" M* D* ^
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
! T/ ]! D$ Z/ u8 gRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 8 V: u6 D% G  L4 V+ U
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.& Q/ Y  \: p2 ~6 D8 s& {% Z
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

, w" ?* X" H6 P3 C+ V3 R+ W4 }# E" U0 r/ P  E
+1$ u, ?& @, {( t! p8 Y, ]
# [$ f( g/ p# b# ^
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊# p4 E- h9 p+ I8 _7 K- j
1  面积小
/ _. ^( @! v" }2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
, }: o* e7 o. T, O: x3 符合common central  
1 F& x* C; C0 x/ |5 v4 l; A, Q1 e& ]1 s' q6 K
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者

* @/ @7 y; E2 t6 \  D( r. C+ ?) ~6 X
5 j: a& x4 |) j

6 G8 x8 K3 I  J1 Z
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
1 k1 T. i3 e9 c5 W9 S$ \# K
9 g5 ]. z# M; \3 G+ Y/ D' S/ M2 oABBA       ABBA
0 j& G! a& X" n5 |6 ~BAAB  和  ABBA) }9 L. I! E# K7 [. f" e( A

8 t( C4 B/ S7 B' [; L; z' D這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!# `. a  J+ K! [/ V0 D7 d
看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method $ Y5 D# X$ e6 y8 V9 ~
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl . b4 p+ ]+ t+ V- q
5 l1 g, [) l5 P. e; f& ~: [2 d

0 K9 ~* L# d! K3 ]1 h: ~    我都用第2種方式~common-centroid/ g% O& N1 \. {
    省面積~而且特性較好~" D& [6 d, ~, u* M
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl " }* X5 Y+ g6 q4 _

, h8 T) p. y% p- f我也想知道不共用的理由是什麼?; x3 {# a& ^% y2 ^/ j; K  @
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。& f( ?6 ~* R. P& d$ g& C% [
: W, N, V& c/ M
現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的
* S, |5 ^" b0 t/ V% r5 T  |* N& M7 s* L: y
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。
2 e: V2 {* \7 e4 I( j- }9 {事情並沒有絕對,只有合理性,
9 \2 N4 u- U1 g5 U8 Grd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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