请教大家一个问题，关于High speed ESD

semico_ljj

请教大家一个问题，关于High speed ESD！
- e$ o& f; Y0 t& i. j0 M, q6 W) C, i: \常见的是用Diode设计的嘛？
有用CMOS实现的嘛？
谢谢！

cthsu1

要看你的 High-Speed 頻率有多快？
可以容忍的寄生電容值是多少？
- P& E* T1 `) u這樣才能決定 MOS 的大小。

semico_ljj

速度要求1~5G，不知道相应的寄生Cap一般需要在多少范围以内？也就是寄生Cap一般是多大！

semico_ljj

寄生Cap 20fF以内，这个是不是有点困难！？

cooper1234

一般 USB2.0 大約選擇 3pF 以下即可

HDMI / USB 3.0 / Display port  這種 3G以上等級 一定要使用 0.55pF以下容值.

semico_ljj

谢谢！现在就是在做USB30的IO口设计，比较困难！

allenapi

回復 6# semico_ljj

0 V" G1 a. \/ l6 }2 B要這麼低容值的 TVS Diode, 大概要找 美國 Protek Devices 這家公司的...

deltachen

謝謝大大的分享~知識因分享而壯大！

deltachen

謝謝大大的分享~知識因分享而壯大！

semico_ljj

回復 5# cooper1234

5 `5 N$ x9 M: \. a9 A8 u( X2 `这个推荐值怎么来的？

glacialwang

HDMI / USB 3.0 / Display port  這種 3G以上等級 一定要使用 0.55pF以下容值.

8 ?5 _$ x0 N0 m  _* l" G" r這問這是包含PAD的情況嗎？ 還是單純ESD diode 可接受的範圍？
若是只有ESD diode含metal的情況下 條件感覺起來好像沒有那麼嚴苛

semico_ljj

感觉0.55pf应该是整个的，包含pad在内的所有寄生电容值吧？

kiseijulin

用VARISTOR或是TVS DIODE，容值當然是越小越好

linger809

用VARISTOR或是TVS DIODE，容值當然是越小越好
" B' Y* C+ D* |2 Skiseijulin 發表於 2009-12-23 02:16 PM

. ]2 ?, a" F- b6 N* Z6 m9 N
' k6 r4 ~7 \( E, j$ l不清楚怎么使用VARISTOR來設計，能否詳細解釋一下，謝謝！

semico_ljj

回復 13# kiseijulin

请问他们都是怎么实现的？

alienwarejian

请问他们都是怎么实现的？

liaohero

請diode 來保護好~還是用cmos來保護好

smile2441

謝謝分享資訊 , 充實自己的資料庫

馬君宏@FB

VARISTOR多是用在surge吧...
  S# D: B2 W. m! A

xuguishuang

謝謝大大分享~~; 謝謝大大分享~~;