2007年度最佳產品獎：記憶體IC類

chip123

以上哪些產品能幫助您提升設計能力及節約成本？哪種解決方案能夠幫助您保持創新？哪些技術您認為是最好的？
+ v4 Z/ y% u5 a5 J8 z* f) v% @為什麼？大家看法有何差異呢？台灣好像沒有相關各個領域的產品獎？
( E% x" t: ^4 P7 _; x% w誰將榮獲年度最佳產品獎？由您決定！由台灣的RD工程師您們決定！由您點評討論？     :o
6 Z3 o/ @; m3 F" C9 V原始資料來http://www.eetchina.com/ace/VOTE.HTM
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* y" x# t2 d6 G+ W: d8 ?0 qnvSRAM  Cypress半導體
5 X1 h$ v9 [7 ^" ]9 n9 b0 CCypress半導體公司所推出的非易失性SRAM記憶體(nvSRAMs)在斷電情況下，無需電池就能實現內部資料的存儲。在RAID應用中，nvSRAM在提供高速資料傳輸的同時還能確保斷電情況下的資料完整性。對影印機而言，nvSRAM提供了較快的資料存取速度，不再需要電池。掌上型儀錶也受益於nvSRAM提供的資料緩存功能，能快速存取上傳到伺服器的資料。
因該符合RoHS指令的nvSRAM採用外部電容充電以取代電池，所以可以採用標準PCB組裝工藝來生產，大大節約成本。 nvSRAM的存取時間極短(25ns)，有1MB/3V、256KB/3V、256KB/5V、64KB/5V和16KB/5V等規格。該系列器件具有高度可擴展性，所有配置均採用32引腳SOIC封裝，亦可提供採用48引腳SSOP封裝的1MB和256KB nvSRAM。據稱，該系列nvSRAM至少能將資料保存20年之久。
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2 Z. {' H, ]9 Z  Q5 BMR2A16A  飛思卡爾        
2 \" x$ w7 r( C0 m9 {- F磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)是一項創新的記憶體技術，採用磁矩(而非電荷)來確定記憶體位元單元的開關狀態。它可單獨代替片內多種的記憶體。從而能夠更快地實現針對新一代記憶體密集型產品的更經濟的解決方案。
& ]4 j4 a0 ^1 O: O5 F飛思卡爾的第一款商用MRAM產品的名稱為MR2A16A，可在商用產品溫度範圍內運行，運行電壓為3.3 伏，讀寫週期為35納秒。它是256K words by 16 bits的非同步記憶體。該產品採用行業標準的SRAM引線輸出引腳，從而實現了系統設計的靈活性，而不會發生匯流排衝突。 MR2A16A是那些需要永久存儲和快速讀寫關鍵資料應用、以及替代battery-backed SRAM單元的理想解決方案。該產品採用400毫米的TSOP type-II RoHS封裝，在飛思卡爾位於亞利桑那州的200毫米Chandler Fab製造，適用于多種商業應用，包括聯網、安全、資料存儲、遊戲和印表機等。
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( |7 u  r! o. {& Z, ^MirrorBit ORNAND Spansion公司        
1 a0 a: b$ j5 B$ c1 m6 NMirrorBit ORNAND架構採用標準的NAND命令集和引腳，以便輕鬆集成現有硬體設計。此外，MirrorBit ORNAND MS快閃記憶體系列還支援兩個其他的命令集：Xtreme模式和Partial Page Read。
$ O; k$ _9 ~5 N  @9 v/ m( R- @Spansion公司的1.8VMirrorBit ORNAND MS系列快閃記憶體產品採用了先進的90nm制程技術並包括兩種容量，即512Mb和1Gb，並提供了高性能的代碼執行和資料存儲能力，創造了極具吸引力的用戶體驗，包括：
1) 豐富的多媒體性能: ——MP3: CD品質的MP3重播。
數碼照相機: 可支援高達500萬圖元的照片。
數位視頻: DVD品質的MPEG4視頻重播和錄製，超過30fps的VGA解析度。
2) 卓越的資料傳輸速度：實現無線LAN 802.11b和USB 2.0的全速上傳和下載。
3) 低功耗：與單純的代碼映射技術相比，在待機模式時可節省能耗。 通過使用MirrorBit NOR和ORNAND解決方案，用戶可以體驗到：快速引導：引導時間比單純的代碼映射系統快54%。

) W( {1 _$ `; a# `  M$ vM25P80/M25P16 意法半導體        
M25P80和M25P16採用了0.11納米製造技術，工作電壓範圍從2.7V到3.6V, 工作溫度範圍從-40到+85℃。軟體功能包括整體擦除和磁區擦除、靈活的頁編程指令和防寫，JEDEC標準兩位元組電子簽名簡化了設備身份驗證，同時向後相容一位元組電子簽名。資料保存期限20年，每個磁區可承受100,000次擦寫迴圈。
. p4 A8 Z+ Q& h  ]: Y" _) z  {0 s* H這兩款快閃記憶體是8Mb(1M×8)和16Mb(2M×8)串列快閃記憶體，具有先進的防寫機制，支援速度達50MHz的SPI相容匯流排的存取操作，能夠把程式快速載入到設備的RAM記憶體中。用一條四線高速串列介面替代並行記憶體介面，這種設計可以使用更小的封裝，需要的引腳的數量較少，從而實現了節省成本和電路板空間的目的。此外，系統CPU或ASIC的引腳數量也相應地被減少。

0 s9 P8 k9 d# O0 F6 K! }4 |Managed NAND Flash  美光科技        
美光Managed NAND Flash使用了該公司的多晶片封裝(MCP)技術，在一個小型的BGA封裝中結合了高速多媒體卡(MMC)控制器和NAND快閃記憶體。內建的MMC控制器負責處理錯誤校正、塊擦除以及缺陷管理功能。
; q; B$ k7 I4 {4 ~通過將NAND快閃記憶體與高速多媒體卡控制器相結合，為高密度移動存儲樹立了一個新的標準。一體化的快閃記憶體和控制器模組將大大優化移動設備廠商的設計，並簡化其NAND快閃記憶體的採購流程。
; ~1 ]$ {$ d+ R' J; o美光Managed NAND快閃記憶體將美光高品質、低成本的NAND快閃記憶體和高速多媒體卡控制器進行BGA封裝，將帶壞塊和壞位(NAND)的編程/擦除/讀取記憶體變成一個簡單的讀/寫記憶體。該產品主要用於手持設備，如手機、PDA、手持電子設備、數碼攝像機、遊戲機等。