力成科技與IBM簽訂「超密腳距覆晶技術」顧問合約

jiming

2008/1/15-力成科技股份有限公司宣佈與IBM合作，就超密腳距覆晶技術(Ultra Fine-Pitch Flip Chip Technology)簽訂顧問合約。近來覆晶技術應用於數位電子消費產品上愈來愈普遍，包括手機、數位相機以及各種小尺寸電子產品。為因應產品日趨袖珍化與功能多元化的市場需求，力成科技致力於開發高整合度的覆晶封裝解決方案，以更優異的速度、電性、內部結構與空間節省等優點，提供客戶更具競爭力與高效能的產品。依據雙方提出的規劃，力成科技將引進金柱凸點(gold stud bump)技術興建量產線，並於2008年啟用。

! d) q5 z, v. a! R7 F3 V4 n　傳統封裝技術中，晶片(die)需藉由打線才得以連接承座(carrier)。覆晶技術則無須使用任何打線，而是將晶片直接連接於相關的外部線路上，這種安裝也稱作「可控制坍塌晶片連接(Controlled Collapse Chip Connection或C4)」技術；然後以封裝承座(可為基底subtrate或引線框leadframe)作為晶片與外部線路之間的連結。覆晶封裝的晶片(die)與承座(carrier)之間的導通是透過直接位於晶片表面的導電「凸柱」來連接；最後將裝有凸柱的晶片翻過來，晶面朝下地直接承載在承座上。
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　為支援新增的應用程式，工程師必須在有限空間內有效地整合系統的先進功能與特性。今年力成科技將積極開發輕薄短小裝置，首先從記憶體半導體裝置的封裝與測試著手。覆晶技術為WLP (晶圓級封裝)、多接腳SoC (系統級晶片)、高頻操作裝置，以及以凸柱對凸柱連接的終極袖珍CSP (晶片尺寸封裝)之關鍵技術。顧問作業將以應用於薄片型(fine pad pitch)裝置的超密腳距覆晶技術為重點；力成科技將取得IBM的技術支援，包括封裝設計、高頻電氣性能模擬、處理參數最佳化，以及故障分析方法等。該項顧問服務為期約7個月。

. y- Y/ @0 K. m8 P+ w% D　力成科技技術總監Ronald Takao Iwata指出：「我們讚賞IBM在半導體封裝技術上的成就，並對其將協助PTI生產覆晶封裝的顧問服務深具信心。」

yhchang

很好的封裝技術就等於是提供了很小的等效電感
這樣子設計者不管是內部的電路或是外部的IO介面都可以在更穩定的電壓下操作