2007年我國半導體產業回顧與未來展望

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工研院IEK ITIS計畫彭茂榮 產業分析師

7 W% B  j5 Z; M; x) n$ \8 u! M一、2007年營運成果檢視
根據工研院 IEK ITIS計畫統計，2007年台灣整體IC產業產值可達新台幣14,574億元，較2006年成長4.6%。其中設計業產值為新台幣3,997億元，較2006年成長23.6%；製造業為新台幣7,274億元，較2006年衰退5.1%；封裝業為新台幣2,280億元，較2006年成長8.2%；測試業為新台幣1,023億元，較2006年成長10.7%。

5 j0 Y% ?+ e/ }+ w1 E, j( i此外，在產業附加價值方面，2006年台灣IC產業附加價值為3,287億新台幣，較2005年成長18%，若依全國2006年GDP約11兆1,468億新台幣計算，台灣的IC產業對GDP的貢獻約為2.9%。2007年台灣IC產業附加價值為3,485億新台幣，較2006年成長6.0%。以下就IC設計、製造、封裝、測試業營運表現作一說明。

! `' D" w9 M) M3 G3 \表一 台灣IC產業產值
$ G& r: {3 l% \: a- }; }                                                                           單位：億新台幣
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資料來源：工研院IEK ITIS計畫(2008/2)

1. 設計業
2007年第二季和第三季有明顯成長，2007年第四季設計業營收表現產值達到新台幣1,005億元，較第三季衰退14.6%，但相較去年同期(2006年第四季)則成長8.5%。觀察其因素主要由於2007年第四季中國白牌手機市場庫存水位過高，其相關IC產品線之業者營收亦大幅縮減，造成第四季相關產品營收表現下滑。資訊類晶片組與光儲存類IC表現也相較第三季不理想，由於光儲存晶片組等已成為低毛利率的產品線，且各個產品線仍有不少的競爭壓力環伺。至於資訊類的晶片組方面，在大廠環伺之下，台灣PC 晶片組市佔率版圖縮減，導致營收成長衰退。

展望2008年IC設計業之發展，由於消費性電子等系統產品的滲透率預計將有所提升，如低價電腦、UMPC、乙太網路、多媒體手機等，以及推出新平台及技術，如Intel之Santa Rosa平台、802.11n、Vista之企業用戶需求浮現等等，新產品或技術效益預計將發酵，可望帶動繪圖晶片、記憶體、晶片組、CPU等電腦晶片的世代交替，預估利基型記憶體IC、LCD相關IC、類比IC、手機晶片等領域則為2008年IC設計業主要的成長動能。
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2. 製造業
2007年IC製造業只有第三季是正成長，其他都是衰退的局面。在晶圓代工方面，2007年第四季表現持平，較第三季成長0.8%，產值達到新台幣1,245億元，但較去年同期(2006年第四季)則大幅成長了17.1%。在十月出貨達到高峰後呈現逐月下滑的走勢，主要仍受到了季節性需求減緩的影響。產品方面無線通訊晶片仍支撐晶圓代工出貨的成長，除此之外消費性電子IC，諸如LCD 驅動IC出貨量伴隨LCD TV的熱賣也為晶圓代工業帶來不錯的成長動能。展望2008年第一季，隨著晶圓代工客戶提前下單備貨，以及美國次級房貸衝擊下恐將影響美國家庭消費意願及能力，都將使得部分晶圓代工客戶呈現觀望的態度，晶圓代工產業較第2007年第四季將呈現微幅衰退的局面。台灣晶圓代工產業產值將較2007年第四季下滑8.7%。

  o5 w8 H8 i6 \5 w就DRAM而言，2007年第四季仍受到市場上DRAM產能供過於求的強大陰影下，使得全球DRAM產品的ASP持續下探，主流512Mb DDR2一度跌破1美元的關卡。全球DRAM廠商都受到不同程度的傷害，台灣DRAM廠商也不例外，台灣IC製造業自有產品(主要為DRAM)產值較2007年第三季下滑21.9%，但較去年同期(2006年第四季)則下滑了47.3%。展望2008年第一季，由於全球DRAM廠商已不約而同的縮減2008年資本支出幅度，或減緩建廠進度，以及8吋晶圓廠加速退出標準型DRAM製造行列的趨勢持續下。全球DRAM產品供過於求的壓力可望減緩。台灣廠商配合製程快速從90奈米轉進至70奈米製程，並拉高1G的出貨比重，都將使得台灣DRAM產業產值在2008年的第一季的跌幅可望縮減。


3. 封裝、測試業
6 u( O2 E. T$ C5 o6 Y' B) j, Q2001年以來，封裝產業每年成長率皆維持在二位數字以上，但由於2007年前三季封裝產業表現平平，因此，第四季封裝產業的營運狀況，就成為封裝產業全年成長率保十的關鍵季度。然而，全球消費的疲弱必竟還是殘酷地反映在廠商的營業收入。總計，2007年第四季封裝整體產業成長率僅有3.2%，全年成長率則為六年來首次低於二位數的8.2%。至於2008年雖然有美國經濟衰退的陰影，但仍有奧運、美國大選、封裝產能有效控制…等有利因素支持，預估全年成長率可在8%~10%之間。

9 V7 P) l2 n4 I在IC測試業的部分，由於台灣測試產值有五成以上來自DRAM及Flash測試，受到DRAM及Flash價格持續下滑之嚴響，2007年第四季測試產值成長率僅有2.9%，一線測試廠商之毛利率也面臨30%之關卡保衛。展望2008年DRAM及Flash價格可望持穩，測試價格的下降幅度可控制在5%左右。甚至測試廠商開始加重邏輯產品之營收比重，期望藉由多重產品線，也降低營運風險。全年成長率可在10%左右。

二、展望2008年
; ~& w& [, |5 w" C6 z7 W$ d展望2008年台灣整體IC產業產值可達新台幣15,860億元，較2007年成長8.8%。其中設計業產值為新台幣4,500億元，較2007年成長12.6%；製造業為新台幣7,660億元，較2007年成長5.3%；封裝業為新台幣2,550億元，較2007年成長11.8%；測試業為新台幣1,150億元，較2007年成長12.4%。在產業附加價值方面，預估2008年台灣IC產業附加價值為3,860億新台幣，較2007年成長10.8%。

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工研院IEK ITIS計畫研究經理 林志勳
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2007我國電子零組件海內外產值為新台幣7,305億元，較2006年成長10%，其中以化合物半導體元件及能源元件成長率高於產業平均值。

2008年受到全球經濟成長遲滯，使得資訊、通訊等下游應用產品成長趨緩影響，我國電子零組件成長將趨緩，預估僅較2007年成長8%，達新台幣7,897億元。
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圖一  2007年我國電子零組件產值
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資料來源：工研院IEK ITIS計畫(2007/12)
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受到電子零組件低價化，以及原物料價格持續上漲影響，我國電子零組件產業附加價值率自2004年後呈現出逐年下滑的趨勢，不過在產值逐年成長帶動下，產業附加價值仍持續成長趨勢，估計2007年我國電子零組件附加價值達新台幣1,663億元，較2006年成長8%。
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圖二 2003∼2007年我國電子零組件附加價值
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資料來源：工研院IEK ITIS計畫 (2008/02)
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1 d) M5 l+ C+ ~8 u. ~# j化合物半導體元件：
  m* z0 D; K0 P( w4 ], r2007我國化合物半導體產值達新台幣588億元，較去年同期成長18%，其中以LED為主要成長動力。2007年在手機用白光LED市場佔有率快速成長，配合成功切入數位相框、車載顯示器等中尺寸背光源市場，使得產值呈現成長趨勢。預期2008年7吋以下顯示器仍是我國LED產業主要應用市場。NB背光源，受限於產品認證、專利、產品可靠度等問題，整體市場佔有率仍偏低，估計2008年化合物半導體元件產值將成長至新台幣652億元。
* Q$ w9 i! D$ ]8 I" L" H, T被動元件：
. X  Q# m. f. z8 Y: j* ~, ?2007年NB、 TFT-LCD市場銷售量的成長，對於被動元件需求穩定成長，但受到產品單價下跌影響，導致我國被動元件產值與2007年相當。另為了因應價格下跌，2007年被動元件海外生產比重大幅攀升。估計2008年我國被動元件產值將較2007年成長5%，達新台幣1309億元。
( @, j. {) i  e3 o4 _" n印刷電路板：
受到下游市場需求成長帶動，2007年我國PCB產業產值達新台幣3,402億元。2008年受到大陸生產據點天然災害，以及北美需求市場衰退兩大負面因素影響，估計2008年我國被動元件產值僅較2007年成長5%，達新台幣3,577億元。
接續元件：
受惠於LCD TV景氣回升、消費性電子產品依舊穩定成長，及iPhone開始出貨等市場成長帶動，2007連接器產業產值達新台幣1,315億元，較去年同期成長10%。預估2008年將成長至新台幣1,445億元。
能源元件：
2007我國能源元件總產值為新台幣759億元，其中電池組仍是我國發展的主力。日本松下電池生產線意外，導致鋰二次電池缺貨與價格上漲，但由於我國在NB用二次電池市場佔有率極低，因此被未受太大影響。估計2008年我國能源元件產值將達新台幣910億元，其中電池組仍是成長主力。且由於電池芯價格上漲，為了維持電池組終端產品售價不變，我國將有更多機會取得國際大廠代工訂單。

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工研院IEK ITIS計畫產業分析師   葉仰哲

一.全球電子材料市場持續成長
) K( j9 b7 O) K
2 o  n. F' x- z2007年全球電子材料市場需求約861億美元(參見圖一)，較2006年成長10.8%，若以電子材料各次產業的市場規模大小觀之，平面顯示器材料市場約256億美元，為電子材料中需求最大的 (比重為29.8%)；其次是半導體材料(27.3%)、IC構裝材料與印刷電路板材料皆約17%上下，而太陽電池材料市場值僅有86.1億美元不到9%，但受環保趨勢帶動以及缺料影響而最受到矚目。
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圖一 全球電子材料市場預估
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8 E3 Z8 o% K1 c' p- k' T4 h資料來源：工研院IEK ITIS計畫(2008/02)


3 ?& Q1 F5 U" }" K1 Y二.我國電子材料市場結構與全球不同
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# A( m% B% F0 c我國電子材料市場需求比重不同於全球市場，由於我國的構裝產業與TFT-LCD產業均已位居世界第一，因此該等產業所應用的上游原材料，躍居為我國電子材料產業最大需求項目。2007年由於國內電子產業產能持續開出的因素下，電子材料之市場需求將達新台幣6,424億元，年成長率估計約20%(見圖二)，整體成長力道隨著下游應用產業的攀升，預估到2008年應該可維持在15%左右，而達新台幣7,329億元。

2 e# }- m  }! l; v& K$ ?( w0 \: o圖二  全球電子材料市場預估

7 h- ]& e7 q" D1 c, ?資料來源：工研院IEK ITIS計畫(2008/02)


在IC構裝產業營收逐季成長的帶動下，連帶對上游IC構裝材料的需求更為殷切，2007年我國IC構裝材料的市場規模達新台幣1,481億元，較2006年成長23%。若以構裝型態來看，高階構裝製程的比重不斷提升，使得錫球、IC載板的成長更為迅速，而台灣又是液晶面板的主要生產國家之一，在LCD TV市場帶動下，未來TCP與COF板的需求將大幅增加。
) y( y! a1 Q3 i0 P
: w2 ~4 U4 ?# u0 p) F  o. B我國在平面顯示器材料需求上以TFT-LCD為主，即使面臨面板價格下滑引發的材料價格下跌，但2007年在各家TFT-LCD廠的7.5代與六代線陸續量產的帶動下，平面顯示器材料需求大幅擴增，但在前半年面板價格不佳，材料價格大幅滑落影響下，市場需求年成長率達15.8%，僅達新台幣2,428億元。2008年在LCD TV下游需求市場的帶動下，各家生產線產能將滿載的促動下，預估TFT-LCD材料的需求規模將提高至新台幣2,760億元，但材料單價仍將持續下滑。隨著下游面板廠商的積極投資，LCD材料的需求將逐步增加；然而在面板廠商欲降低成本的壓力下，價格雖會逐步下滑，但市場需求值仍會逐步擴增，預估2005~2009年的年複合成長率17.6%。
# w+ l1 b2 B) i5 r0 I* e% S- K
3 x0 [# N4 O) F, p' G7 u. }三.環保意識抬頭與基本原物料大漲對電子材料產業之影響

2007年全球油價高漲，帶動太陽光電的市場需求，同時金、銅等各項原物料礦產的價格也連帶上揚，加上環保意識抬頭，歐盟的RoHS、J-Moss以及中國版RoHS等環保法規陸續施行，將使電子材料的發展受到影響。

2 C, c) s$ n: h0 ^$ \$ P- P; ~1.金屬原料高漲對構裝材料的影響
構裝材料的方面，導線架的製造往多陣列發展，以節省銅的使用；因為技術進步覆晶封裝的盛行使得導線架使用量變少，因此捨低階封裝用導線架而轉往高價值的QFN等發展。金線的報價與黃金價格高度相關，金價高漲之下改變導線架設計或改用3D封裝以減少金的用量改用覆晶封裝減少金線的使用機會；模封材料方面，環氧樹脂價格隨石油價格而上漲，及電子產品朝輕薄短小發展，封裝儘量以減少環氧樹脂用量為目標，並配合環保指令，減少鹵素用於阻燃劑的成份；錫球方面，無鉛化的需求使得錫球成份以錫、銀、銅為主銀價高漲使得錫球的銀成份依照應用端需求而做調整。
# X8 ]2 {0 x$ s+ @
" l/ S4 ^$ h- d  h0 C' w& h2.環保意識抬頭對LCD材料的影響
LCD材料方面，目前的光源以使用CCFL為主，因為CCFL含有汞蒸氣，如何改善CCFL發光效率，減少燈管使用的數量，或是改發無汞燈管，甚至全面改用LED作為光源，因此LED的封裝、散熱材料將成未下一個商機。

9 Z. [; K: v# M3 l7 m另一方面，可以使用光學膜提高光利用率以節省耗電，但會有成本提高的缺點。依3M推算使用增亮膜節能效益，若所有液晶電視製造商能於2006~2010年的五年期間，在21吋以上的液晶螢幕上採用增亮膜技術的話，全球將節省3,300萬桶原油或2,300萬噸煤增亮膜可提高燈管光線的利用率，以增加液晶螢幕的亮度，因此若搭配此產品，不僅可提昇亮度及觀賞視角，更可減少燈管使用量(未來每台液晶螢幕將可降至10支以下)。一旦減少燈管數目，液晶螢幕的耗電量、汞含量(2005年減少170公斤)以及熱能的產生均會大幅降低，對於綠色環保也將有所助益。
1 ?) n% P/ Y. q/ q2 I
8 E% w% b0 c+ s3 `但在增加光學膜也會增加成本的情形下，如何將集光、勻光、增亮等各項光學膜功能加以整合，減少光學膜的使用量，以降低成本，成為2008年擴散膜以及稜鏡片廠商努力的重點。
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$ e: v$ T8 R- O9 S+ Z" L其他LCD材料方面，彩色濾光片大廠宣布2010年將以Ink-Jet製造技術，配合SHARP量產十代線的彩色濾光片，也因此噴墨式彩色光阻的研發將成為重點；TFT面板廠商均有研發Local Dimming技術予以省電，但Local Dimming點滅迅速不適合使用CCFL，LED反應速率快的另一項優點將被重視。
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四.2008年觀察重點

" T/ r7 F+ B  a# Q* r/ Y在2008年下游業者或是使用新材料，或是因為供需問題而缺料，對下游產業造成影響，前者的情況以半導體中的High k材料為代表，後者則是太陽光電用的多晶矽材料，預計2008年仍將持續缺貨。

4 [+ z- x1 z; Y- l( @1.半導體中High k材料
半導體中High k材料主要的功能是用來隔絕閘極的漏電流，目前在90奈米的半導體IC多半可利用氧化矽(SiO2)當作閘極絕緣膜，但進入65奈米元件時，絕緣膜厚度在4nm以下時，會發生量子力學中所謂的『穿隧效應』，當絕緣膜厚度薄至2nm以下時，在閘極不施加電壓的情況下，也會產生漏電流現象，導致元件無法正常運作，因此無論是Intel, IBM, AMD，日本或韓國均投入High k材料的研發，目前Intel也已經宣布在2008年量產的CPU將導入High K材料，以HfO2取代SiO2；同時High K材料在記憶體絕緣膜應用的使用率已經愈來愈高，如任天堂『Wii』中的DRAM(NEC製造)即採用High k材料ZrO2作為絕緣膜，一般DRAM會選擇Hf和Zr作為絕緣膜材料，而Flash會選Al或是Al-Hf混合物，2008年High K材料將成為半導體中最受注目的材料之一。
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& h' \: _/ A" |' M1 v7 x2.多晶矽材料供需影響太陽光電產業發展
* ^6 K6 a6 M: U' r# o- p在材料端無法充份滿足的狀況下，太陽光電產業似乎有過熱的情形，且也有泡沫化的聲音傳出來。最主要在於材料的供需問題，目前多晶矽合約單價約為每公斤60~70美元，對於一般的太陽能電池廠而言已是最大的底限，未來就算要成長也有所限度；但對於多晶矽大廠而言，一定會努力維持高價位來獲得最高的利潤，因此對於其產量及產能的擴充都有相當的計算，想要達到供需平衡是相當困難的。但現象並非無法解決，目前已經有些進展的流體化床製程，以及易於放大的冶金法製程，已經有多家廠商投入，未來若能順利開出產能，將是左右供需平衡的關鍵；另外，中國大陸也在多晶矽方面努力開發，加上取消了出口退稅措施，多晶矽在境內量產的呼聲也相當地大，若真的量產成功，將是個可怕的價格破壞者。

圖三  太陽能用多晶矽未來供需預測
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資料來源：工研院IEK ITIS計畫(2007/09)

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$ A" g/ h" B. M* `8 y- M. n目前主要的多晶矽大廠仍然會將其未來產量控制在供不應求的狀態來控制其高價位，但若是加上潛力的新興廠商的產量（假設60%會開出），則最快在2008年可以達到供過於求的狀況，屆時多晶矽價格將可望跌至每公斤40美元左右的水準，矽晶圓太陽能電池廠商也開始擁有價格競爭的能量，此類電池也將會邁入成熟階段。

五.結論與展望
$ j) }2 O7 k# k2007年全球電子材料的市場可望達到845億美元，較2006 年成長率達8.5%，其中以平面顯示器相關材料的比重最高，預期2008年仍將有一成以上的成長。由於國內下游電子資訊產業產能的貢獻下，2007年電子材料之市場需求將達新台幣6,324億元。展望2008年有15%的成長，達到新台幣7,243億元，其中太陽光電材料的需求成長幅度最大。
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! M. W5 m& Y1 a  y& Y環保趨勢與原物料價格的上漲，帶動LCD光學膜的商機，對於構裝材料特別是導線架造影響，但電子材料正面臨原料價格上漲與短缺，同時的下游客戶的垂直整合與新進者均帶來壓力。

可以預見未來電子材料產業的競爭將越形激烈，追求高利潤的型態面臨挑戰；而電子材料廠商的生存關鍵在於開發符合環保法規的材料，同時必須要突破領導大廠的專利限制；如何倚靠減量/再使用/回收(3R)以提高收益，成為廠商在利潤降低的趨勢下必須的選擇。

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工研院IEK ITIS計畫產業分析師  李佩縈
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7 {' C; a2 ]4 N3 o' G一、第三季半導體產業概況

根據WSTS統計，08Q3全球半導體市場銷售值達689億美元，較上季(08Q2)成長6.5%，較去年同期(07Q3)成長1.6%；銷售量達1,531億顆，較上季(08Q2)成長4.3%，較去年同期(07Q3)衰退2.1%；ASP為0.450美元，較上季(08Q2)成長2.1%，較去年同期(07Q3)成長3.7%。
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0 v* s& L  n4 t& S: m08Q3美國半導體市場銷售值達96億美元，較上季(08Q2)衰退5.7%，較去年同期(07Q3)衰退15.7%；日本半導體市場銷售值達128億美元，較上季(08Q2)成長7.8%，較去年同期(07Q3)衰退0.02%；歐洲半導體市場銷售值達104億美元，較上季(08Q2)成長3.2%，較去年同期(07Q3)衰退1.5%；亞洲區半導體市場銷售值達361億美元，較上季(08Q2)成長10.9%，較去年同期(07Q3)成長9.2%。

- x# N' h( B8 y& B) e根據SEMI(國際半導體設備材料產業協會)的最新Book-to-Bill訂單出貨報告， 2008年9月分北美半導體設備製造商3個月平均訂單金額為7.5億美元，出貨金額為9.9億美元，B/B Ratio訂單出貨比為0.76，創下7年來新低紀錄，訂單及出貨金額同步下滑，顯示半導體產業前景依舊渾沌不明，下游消費端需求疲弱，讓製造端緊縮資本支出，衝擊到半導體設備商訂單。

$ @2 ~$ }9 k7 w1 X+ A08Q3台灣整體IC產業產值(含設計、製造、封裝、測試)達新台幣3,787億元，較上季(08Q2)成長5.3%，較去年同期(07Q3)衰退6.5%。其中設計業產值為新台幣1,070億元，較上季(08Q2)成長10.9%，較去年同期(07Q3)衰退9.1%；製造業為新台幣1,842億元，較上季(08Q2)成長3.3%，較去年同期(07Q3)衰退7.2%；封裝業為新台幣610億元，較上季(08Q2)成長3.4%，較去年同期(07Q3)衰退1.6%；測試業為新台幣265億元，較上季(08Q2)成長3.1%，較去年同期(07Q3)衰退1.9%。
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5 Z# w) j# J8 _6 N" U觀察2008Q3影響台灣IC設計業產值主要因素，由於美國次級房貸風暴使消費者信心指數持續下降，終端需求壓抑，使得影響餘波盪漾。2008Q3由於系統端TFT面板及CSTN需求持續萎縮的情形下，顯示器相關晶片成長力道衰退，侵蝕顯示相關晶片的獲利表現。相較而言2008Q3NB則有較佳的成長性，也帶動台灣NB相關IC設計公司之營收表現。在消費性晶片方面，受到美國次級房貸的影響壓抑消費市場，消費類晶片持續不振，使得相關IC設計業者營收成長趨緩。類比晶片則是2008Q3在不景氣中表現相較出色的族群，由於市占率持續提昇，使得類比晶片設計公司營收成長。綜合上述，2008Q3台灣IC設計業產值達1,070億新台幣，較2007Q3衰退9.1%，較2008Q2成長10.9%。
5 d& ?6 k3 w9 R" I3 S0 t$ ]
2008年第三季台灣整體IC製造業的產值呈現微幅成長的情形。台灣的IC製造業主要由晶圓代工和DRAM製造所組成。在晶圓代工方面，2008年第三季產值達到1,235億新台幣，較上季(2008Q2) 微幅成長了3.4%，但較去年同期(2007Q3)則呈現小幅衰退2.0%的情況。在IC製造業自有產品的表現方面，2008年第三季產值為607億新台幣，較上季(2008Q2) 微幅成長了2.9%，而較去年同期(2007Q3)則大幅衰退了16.3%。這使得2008年第三季整體台灣IC製造業的產值達到1,842億新台幣，較上季微幅成長了3.3%，而較去年同期(2007Q3)則衰退了7.2%。整體而言，2008年第三季在台灣的晶圓代工表現相對穩健，但台灣的DRAM製造業受DRAM供過於求的影響，市場表現不如預期，廠商紛紛減產自救營收大減，使得台灣IC製造業的產值較上季只呈現微幅成長的態勢。

受到DRAM及NAND Flash減產效應以及全球景氣不見復甦的影響，2008年第三季台灣封裝業為新台幣610億元，較上季(08Q2)成長3.4%，較去年同期(07Q3)衰退1.6%；台灣IC測試業產值達到265億新台幣，較上季(2008Q2)成長3.1%，較去年同期(2007Q3)衰退1.9%。受到2007年起DRAM及NAND Flash產能過多、單價大幅下滑的影響，也造成DRAM及NAND Flash後段測試價格的巨幅下滑，加上受到國內記憶體業者開始推行相關的減產計畫，均使得原本已記憶體測試為重的業者產能利用率大幅下滑；然而另一方面，由於通訊產品經過半年的庫存調整，在第三季稍有起色，也讓產品線較廣的測試業者可藉由調整產品組合，維持營收。

jiming

二、第三季重大事件分析
$ O' l8 X- }. ]$ y, e7 P) H* Q1.DRAM廠一再下修明年資本支出
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記憶體景氣在谷底進行延長賽，許多DRAM廠幾乎是被拖累到兩手空空，被逼得降低2009年的資本支出，也就是2009年已無錢可花。Hynix日前透露將降低2009年的資本支出，一定會比2008年2.6兆韓元還要再勒緊褲袋，目前最後數字仍未定案，但可能會降到2兆韓元或是更低。整體來看，現在除了Samsung之外，現在各家對於2009年的花錢計畫皆是相當保守，先保住命再來談擴產和市佔率。

  d) A* d, z( T1 j' N; \DRAM產業的成本競爭已到最激烈的階段，從去年第四季起各家的營業利潤率都已呈現負值，除了讓不具成本效益的8吋晶圓廠加速除役外，控制資本支出及產能是各家要面對的共同課題。然而，受到Qimonda、Nanya、Inotera從以往的溝糟技術轉換至堆疊技術的尷尬期，以及Hynix的策略聯盟夥伴ProMOS的技術移轉受到南韓政府的延宕，要至2009年第一季才能放量生產等因素，全球第一大廠南韓Samsung將趁勢擴產搶奪市場佔有率。也因此，Samsung並不會同步減產，並持續壓低產業的整體獲利水準，逼使競爭對手減產並讓出市場。

2.NXP大動作關廠 台積電、日月光受惠
1 U" L* a! t6 i$ m: B" \- K+ e8 O& l  mNXP在切割出無線通訊部門給STMicroelectronics後，如預期進行組織重組動作，NXP計劃縮減製造據點，初估將影響全球約4,500名員工，但每年將可節省約5.5億美元成本支出，而此次重組支出約為8億美元。NXP表示，此舉目的在為公司帶來健康的財務狀況，並為未來成長建立基礎。針對NXP最新組織重整動作，台系相關晶圓代工及封裝測試廠可望受惠。
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, Y; d, h8 {2 j' }NXP與STM分別切割無線通訊事業成立STM-NXP Wireless，並成為一家新的Fabless公司。近年來IDM面對Fabless公司強力的競爭，已感受到壓力。一方面分拆事業與其他公司進行合資追求專業化、大型化，另一方面順勢拋開IC製造這一段價值鏈，以減輕資金的負擔。使得公司能夠投入更多的資源在IC產品的設計上。這股IDM公司分拆、重組、資產輕量化的趨勢仍將持續的發酵，將帶給晶圓代工產業很大的商機。台灣的晶圓代工公司可積極爭取相關IDM公司轉型後的龐大市場機會。

* O" H* _2 E& G% q; T3.超微將切割製造部門 台積電接單可望加碼
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電腦晶片大廠超微計劃在年底前切割製造部門獨立，除了將部份晶圓設備售予策略合作夥伴，也將邀請策略夥伴投資新公司，市場點名台積電及特許最有機會接手設備或參與投資，但台積電認為可行性甚低且不予評論。不過，超微此一動作將會加速其委外代工，台積電可望全包超微的繪圖晶片及晶片組訂單。

9 R8 i7 s+ i4 X8 |+ TCPU 市場中的AMD面對Intel挾龐大的規模及資源步步進逼也呈現虧損連連的情形，雖然AMD擁有自己的12吋晶圓廠，也加入IBM與Chartered的策略聯盟並釋單給Chartered，但顯然力量仍不足以與Intel競爭。AMD被迫要投入更多的資源在產品設計開發方面，在IC製造的領域必須找到資源及力量更充足的公司來幫忙。台灣的晶圓代工公司顯然很能符合AMD的需要，一旦AMD決定走向Fabless，台灣的晶圓代工業者將是最大的受益者。
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7 a0 y; n/ N3 |# w- l三、未來展望

展望2008年，在全球經濟景氣短期仍難見好轉的情況下，終端電子產品需求仍將無法帶出亮眼的成長表現，連帶使得IC設計業者投單量縮、IDM委外訂單亦同步縮水，加上全球DRAM、Flash記憶體產業開始進行減產動作，均將嚴重影響IC封裝產業表現；面對此景氣的寒冬，預估2008年台灣IC產業產值可達14,088億元，較2007年衰退3.9%。其中設計業產值為3,916億新台幣，較2007年衰退2.0%；製造業為6,887億新台幣，較2007年衰退6.5%；封裝業為2,285億新台幣，較2007年成長0.2%；測試業為1,000億新台幣，較2007年衰退2.2%。