2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：
- v$ t% \' @, P6 _8 M% M
不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，

在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

- [2 e9 d) L- n7 o! Z& U. f; NMC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10

上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

( L7 M; _& V0 G8 L, W% X是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?

麻煩大家了

KKboy

8 Z/ T2 [8 g  v+ F
as200112同學 您好，
好巧不巧我去年有比過此比賽，
我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
3 f) O9 `- `8 u% Z' ~9 E# x4 H此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
) ^" H( O% T2 j- P8 w/ g5 R- s(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
4 W! ~( q0 q( u/ SDNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
" _# f# h6 z! }/ U$ g1 P$ C而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......
9 k, ^5 s9 H+ ]% j" m6 x( x
如果有錯請見諒
. H; W2 |  p9 ]& E/ A, r+ g! i希望對你有幫助，祝你今年能得名。