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[問題求助] 模擬時要過幾個 Corner 才敢去 taped-out?

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1#
發表於 2008-8-13 23:36:51 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問板上的前輩,在模擬時你們都過幾個 Corner?7 z. s. Q" o* [" V1 p2 N; p
$ y; c8 q3 O+ ]/ G; j8 m9 r
我公司的學長是說過 SS@-40, TT@25, FF@135 這三個就好' z- ]( o* i, H/ d: F9 A& f5 g. t
也就是不跑 SF 與 FS
- d' J' I) q  X0 W- i- u/ N  n8 h
) Z( b3 C2 x6 ?- b; R大家呢?
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2#
發表於 2008-8-14 11:16:53 | 只看該作者
TT@25:這是一定要跑的% p1 z2 M6 z0 l
SS@-40  FF@135 : 這二種情況是最差的corner,如果都過的話,SF FS應該都會過,而且如果有用到BJT的話,有的Lib 就沒有FS SF 這二種corner可以跑。5 K/ E! |; j8 l7 H7 ^
而溫度也是看應用啦,有的低溫只要到-20 高溫到80度即可。
# H3 b# m" r! |" ^4 {5 e/ F' z9 t8 h7 m, D1 z
[ 本帖最後由 poseidonpid 於 2008-8-14 11:19 AM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-8-14 12:01:37 | 只看該作者
原帖由 poseidonpid 於 2008-8-14 11:16 AM 發表 5 C0 |" {2 I" V& L
TT@25:這是一定要跑的5 v- F4 Y9 |* w3 R( C7 q. o+ k
SS@-40  FF@135 : 這二種情況是最差的corner,如果都過的話,SF FS應該都會過,而且如果有用到BJT的話,有的Lib 就沒有FS SF 這二種corner可以跑。: j: r5 ~4 {& [5 u7 ?, ]2 z3 c% B
而溫度也是看應用啦,有的低溫只要到-20 高 ...

5 j# c  E4 s8 m( W' f% I/ X0 o6 U% C: a" o1 V5 E
對了,那請問一下& @  s1 g3 Z2 g, n6 y

& ]* @  i7 K& j1 K6 U4 [5 r如果要跑 SF, FS 的話,溫度是定在  25度就好了嗎?
4#
發表於 2008-8-14 13:16:42 | 只看該作者
一般來說,只要跑TT,FF,SS就可以了
& b* b! D6 \) I! m' l不過,如果是要負責產品的,我建議SF,FS都要跑,而且要配合高低溫變化9 \9 [/ N' z( T  D, i
一般來說,製程的漂移絕大部份都會在TT,尤其是TSMC或者UMC之類的製程廠,其製程技術都己能夠控制的非常精準) L& j5 w' ?. _. N2 e& Y! n$ ~
不過,如果是二線的製程廠,或者大陸廠,其實製程的漂移量還蠻大的,我曾遇過TT,FF,SS都符合SPEC.,但卻fail在SF或者FS corner,原因是製程廠的漂移量太大了,導致PMOS和NMOS在兩者最為極端的情況(SF和FS)跑到loss control的問題# b" N. j$ V, G8 e6 ]3 o8 U( o7 V
" g+ v1 b+ B, c
經此之後,我的要求就變成:若是一線的製程廠,確實TT,FF,SS應該就足夠了,但如果是二線的製程廠,那我會多跑SF,FS再配合高溫和低溫的變化,寧可在tape-out前多跑一些corner case,也千萬不要拿自己的設計能力的信譽來跟製程廠的技術對賭

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5#
發表於 2008-8-14 18:00:47 | 只看該作者
我推薦45種corner都要sim  d# E9 Z8 G6 d! y* U0 h: ?
至於是哪45種..(TT,FF,SS,FS.SF)*(125, 60, -40)*(highV, V, lowV)=5*3*3=45+ Y7 |1 `, S1 O, _% ^. P8 R
相信TT,FF,SS,FS,SF大家都知道
) i, C3 M4 A8 k125,60,-40是溫度
& Q) U# w7 l3 o- A; e+ @high V, V, low V 指的是VDD的變動..一般是+-10%
0 ], |6 a3 j5 }因為之前有做過一個chip..就是沒check過全部的corner..剛好在很特定的情況下chip會死5 G4 g" r$ U/ }$ k8 q; s
畢竟...在chip tape out 之前..怎麼sim都還來得及4 f" r0 g' {! ^! }1 G7 Q
等到chip tape out...就一切都來不及了..畢竟每改版一次..都是花一大筆錢..
" {9 X4 u1 O( ^可能你會問..45個corner..有必要嗎..???.3 Q+ g7 ?7 s5 G/ w9 e. J/ m7 N
可以利用script來減少你sim的複雜度...& e7 m) @3 o" W; M) u
相信我...事前工作做的越好..總比等到chip回來之後被老闆叫去罰站來的好...
6#
 樓主| 發表於 2008-8-14 18:07:03 | 只看該作者
原帖由 billywei 於 2008-8-14 06:00 PM 發表 * o; {% J8 Y" ~  F! \4 ^
我推薦45種corner都要sim
% u: v+ n: X; `' I至於是哪45種..(TT,FF,SS,FS.SF)*(125, 60, -40)*(highV, V, lowV)=5*3*3=45$ R' t6 I* n! o7 Y& l: w
相信TT,FF,SS,FS,SF大家都知道& x3 P3 j% `  `$ K! a1 M5 v
125,60,-40是溫度
& v1 I5 l3 L7 {6 N7 w# Thigh V, V, low V 指的是VDD的變動..一般是+-10%/ F* o  o6 x  ~) n4 q' p
因為之前 ...
& A/ f" o" }4 U. e' i7 R  x4 R/ u
$ x$ j$ y5 a, O1 X  h, U8 A2 w
雖然可用 script 解決重覆輸入的問題,但有時大電路 sim. 下去就1~2天的...有的還要 sim. 好幾個星期(ex. sigma-delta modulator)$ |+ ?, W6 I0 V
2 n: D; E2 l2 z2 i0 G" R
45個 corner 都跑完的話...嗯....好像有點困難 -.-$ Q7 g  u  r; D; _

7 D- F0 _# C6 n: Q+ r& J7 ~而且如果一次丟滿全公司的工作站,那其他人不就不用玩了 XDDDD
7#
發表於 2008-9-2 19:24:28 | 只看該作者
日本某公司(做MCU的大公司)規定要模擬405個條件才可Tap-out...
( t1 C: R$ ]1 ]2 ?2 y我覺得最重要是由CHIP的單價決定....
8#
發表於 2010-9-9 10:08:04 | 只看該作者
我們這邊以前做過一個電路,沒有跑過工藝角,流片回來竟然還能用
  g+ @. u9 z0 |/ h前兩天我跑工藝角,竟然還有人問我在幹什麼。。。。
9#
發表於 2010-9-28 15:59:23 | 只看該作者
我個人的習慣是做block時就把corner, 溫度, VDD, 電阻這四種的variation都組合跑過* A. p6 z* q- q. l. S
但有些是你在選電路架構時就會先考慮了3 _* [- i& u% }* P% B
例如VDD variation的影響(PSRR, cascode不要壓到...,etc.), R variation影響(type, matching, TC..,etc)
, Q9 C5 j6 m$ H: e4 K7 G7 p等完成後就可以縮小到跑corner+溫度就好, 有時間再把VDD 跟電阻加進來驗證
, c8 x( U8 }# m) J0 w& y$ t: HSF, FS 有時很tricky, 若你電路裡有P/NMOS串成一串的電路, 而且會應用到其Vth特性時, 建議要看一下~~
( R) J& h  ]7 F8 j1 \2 `7 _; W  b$ P# Z
若每個block都先check過了, top整合時就挑幾個critical case跑, 時間越多就跑越多組
10#
發表於 2010-10-5 19:25:21 | 只看該作者
還得跑下monte carlo吧,我前一段聽有人說他們MC要跑100個點的
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