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2000萬元RMB尋求 IGBT晶片的研發
公司以具有自主智慧財產權的IGBT晶片設計技術、製造工藝技術和檢測技術為核心依託,委託協力廠商生產製造IGBT晶片,新增設備,達到IGBT晶片量產規模,實現IGBT晶片的商業化產業化生產。通過收集與專案有關的國內外資料和使用者資訊,按專案研究目標和內容進行設計—研製生產—驗證—優化設計—性能指標測試資料分析—設計定型—小批量生產—批量生產來實現一系列專案產品的產業化開發。同時,在本項目領域,開發出具有自主智慧財產權、符合新時期使用者需求的IGBT晶片產品,並逐步推廣應用。0 O9 P( h, Z# [" E, F
5 b6 E. B. G) d/ K! p
產品主要技術指標:
. k5 D5 j3 L0 O% V8 Y" P( ^: `- B1. VCE(on) 集電極發射極間通態壓降 最小1.54V ,最大1.96V 7 q, R% n6 z1 e
2. V(BR)CES 集電極發射極間擊穿電壓 最小1200V! F' F/ N% F( J7 X. I( F* g
3. VGE(th) 門極開啟閥值電壓 最小4.4V,最大6.0V4 ^4 S9 ]$ M; u7 y
4. ICES 集電極發射極間漏電流 最大10uA
% g6 }* t- ?& }3 ~. w6 G) a, b5. IGES 門極發射極間漏電流 最大±1.1uA; R o7 L7 u6 V: e
2 H( X% c$ T* ^5 u8 i% S9 ~; ?% D6 q) ]! x6 P
合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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