比起標準的塑膠離散封裝(plastic discrete package),Gre enFET的「metal can」架構具備雙側面冷卻(dual-sided cooling)功能,得以大大加倍高頻率DC-DC降壓轉換器(buck converter)的電流處理容量。 8 n! {: h. I6 N$ b$ v; F- A * w2 B6 ]# C! N4 i; D4 l 在取得IR的技術授權後,富鼎先進電子一直針對新一代MOSEFT晶片技術生產的中小型GreenFET功率封裝產品進行測試和封裝,以確保相容性和長期的穩定性。這些產品在腳位及電路板面積上與SQ、ST、M P及MX DirectFET封裝完全相符,已在DC-DC電源功率轉換應用中的M OS功率半導體製造上具有領先地位。 ! ?+ L9 \6 R' J* ?* C( e( k
2 S8 l; J' y. S( a5 O 富鼎先進電子與IR建立起長期的合作關係的同時,大幅擴大了Gre enFET封裝技術所製作的先進POWER MOSFET產品系列。藉由結合最新的MOSFET晶片技術與這項重要的封裝選項,加上RoHS compliant及無鹵「綠色」封裝降低了對環境的衝擊,現在提供了客戶應用上更寬廣的選擇,以達成能源和成本效益上的解決方案。最新的MOSFET裝置具有極低的參數指數(Figure of merit,FOM),及出色的導電與快速切換的性能,加上GreenFET的雙側面冷卻功能,它們將強化公司在M OSFET產品供應商中的領先地位。