BJT 架構的 Bandgap，最低電流消耗可壓到多少？

shaq

Dear all,
# a( ~1 L, f; L) X
, y0 [) R- J' y4 ]6 v我想作一個 BJT 架構的 Bandgap，不知道哪種架構可將電流消耗壓到 1uA @ VDD=3.0V 以下？
# O5 \! q1 i7 ?% Q5 D* G
1 c; g7 q/ W! R3 P7 {( @. g2 UVref 不一定要小於 1.25.  VDD最低工作電壓在 2V

5 K% Q; U8 o6 APSRR 暫不要求。
6 p. K" V) }- h& J3 t  [( X
有人可指點一二嗎？

[ 本帖最後由 shaq 於 2009-4-9 05:38 PM 編輯 ]

donlion

subthreshold还行，bjt够戗。。。。。。。。。。。。。。。。

yalon

用一般的架構都可以ㄚ....
5 V3 t3 n. \6 i' }9 Oop type or current-mirro type. 1u ok ㄚ~~小弟有試過ㄛ.

2 `$ c7 ^- @+ {0 |6 a1 |只是 silicon 上 跟 hspice simulation 會有比一般 20ua, 電路有較大的誤差.
. ]9 Q7 n! ?, v: c$ r  z3 c9 n- R
建議你花多一點時間在 post-sim 跟  device size match , optimization 上.
因為低電流, 相對"抗噪性" 便會變差.
0 K( k7 Q6 s$ N( L* K
8 B9 M- V2 h% F# [( U例如: hspice 告訴你 vbg 1mv/ppm.
5 g" x! ?, t  [7 G& R但wafer 會給你 30mv/ppm. ------ 別意外ㄛ.

3 i2 \. ?/ n( h5 S1 h共勉.  
解釋如有不當  願請賜教   感恩ㄛ

Mr_Adams

1u 的話，bjt會不會 beta roll off了。。。

finster

我是沒有設計過那麼低的
不過,我同事倒是有試過,基本上如yalon會員所述,採用那一種架構其實都可以作到低於1uA的規格
# E/ U& O( h# K* @4 b7 E+ d& u' }: D2 o2 e只不過,面積會比平常的大很多,所採用的size也都會是long channel的形式
7 u( l5 {* u: g+ Q2 @尤其是電阻部份,會比平常的大至2~6倍左右不等
因為想壓低電流消耗,必需把各個分支電流給降到最小,故而電阻的阻值也就必需相對增大不少,故而面積部份會相對變大很多
; k" w) U0 N/ q9 D; M& b這是相對所必需付出的代價
另外,若採用op架構形式的bandgap reference circuit,其op的頻率響應速度也會因為要壓低電流消耗而必需降到很慢,這是相對的限制,故而在設計時需留意此一缺點(條件限制)

122013137

bjt會不會 beta roll off了，，，，，，，，，，，，，

hi.china59

Please visit the following website, for more detailed information
) O9 o/ E- \8 a9 o! Z# p# c/ l2 {http://www.eetop.cn/bbs/thread-189570-1-1.html

semico_ljj

2uA可以实现！

semico_ljj

1uA   bjt的beda会不太准

yuyingdugu

2uA可以实现！
semico_ljj 發表於 2009-10-4 10:47 AM

" Y& d4 Z' r$ ^5 V6 e
( \% v# f# m* |, r% S. }! p
4 |0 A# C" x0 b5 ~) K1 T    2uA，电阻要做到很大，不知道工业上能否使用？

semico_ljj

不知道为什么要这么小，电阻很难做的啊面积太大了！5uA～8uA还是比较常见靠谱的！