2008年12月17日- DALSA 公司 (TSX: DSA)旗下首屈一指的專業與客製化晶圓製造服務供應商DALSA Semiconductor日前宣布,已完成透過奈米金屬化技術領導者Alchimer S.A. (法國Massy) 之eG ViaCoatTM製程,在穿矽導孔結構(TSV)上建立均勻銅金屬種晶層之測試。完成這些成功測試後,DALSA計畫取得Alchimer的技術授權,以強化其微機電系統製造能力。
5 J; X& p+ c% oDALSA Semiconductor技術研發副總裁Luc Ouellet表示:「多年來,DALSA Semiconductor 已針對其3D整合技術,運用先鑽孔( via-first)製造出低成本的微機電產品,透過Alchimer的銅eG ViaCoat 方式,我們將能以更快速的操作頻率及更高的功率密度,甚至以更低的阻抗及更高的熱散,來支援消費性微機電產品開發。Alchimer的TSV方式是一項策略性技術,其能使我們在此具成本敏感性的市場中大量生產MEMS 元件。」 + i* a- L& J& M+ v" }% t, j1 H1 S
) k6 k' y" `7 S1 P$ d7 C Alchimer的eG ViaCoat是一項電化學鍍膜製程,其能各種先進的3D封裝應用中支援TSV的銅金屬種晶金屬化。和乾式真空製程相比,eG ViaCoat能節省超過50%的持有成本。eG ViaCoat並於Semicon West 2008贏得 “Best of the West Award”大獎。
2 H+ R" K& j9 p0 `' O& {& n& k除與DALSA達成授權協議外,Alchimer亦在深層再回流TSV上展現優異的涵蓋率。再回流TSV的表面直徑小於底部的直徑,是透過速度更快的Bosch深層反應離子蝕刻(DRIE)製程所製造的特殊形狀。由於eG ViaCoat能在再回流結構上達到優異的階梯覆蓋率,它讓業者能採用高蝕刻速率的Bosch製程,讓DRIE步驟的成本減少50%。
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除了更快的DRIE步驟省下的成本,銅金屬種晶金屬化步驟還能節省許多開支。Alchimer亦成功展示後續在這些深層再回流TSV結構上填入無空洞銅金屬材料。
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1 K3 l- v9 y& B8 _2 lAlchimer執行長Steve Lerner表示:「我們非常高興能與DALSA合作,其不僅是微機電晶圓製造的領導者,更是一家承諾提供創新技術及高品質產品的公司。」
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關於 Alchimer
8 L; c$ C; ?/ i: n! b! Z1 J2 WAlchimer針對奈米薄膜電化學沉積開發並行銷化學配方及製程及IP,以提供半導體晶圓之銅互連及3D封裝之直通矽貫孔。該公司是從Commissariat à l’Energie Atomique分割獨立而出,於2001年創立時,並贏得法國研發及產業局(French Minister of Research and Industry)頒發「高科技公司創新」之國家首獎(First Nation Award),且獲評為「歐洲前100大具前瞻性公司」(Red Herring Top 100 European Company)。如需更多資訊,請參閱: www.alchimer.com." ]2 G; Y3 s; c! j- s
0 Q( X( P8 N7 k% W% k8 V關於 DALSA Corporation6 N. J' Y3 [) ], b* o8 E" g
DALSA 為高效能數位影像及半導體國際領導者,目前於全球擁有員工約 1000 位。該公司創立於1980年,主要從事設計、開發、製造及行銷數位影像產品及解決方案,除了提供半導體產品及服務外, DALSA的核心競爭力在於特定的IC及電子技術、軟體、及高度工程性半導體晶圓製程。 該公司的產品及服務包括影像感測元件(CCD 及CMOS)、電子數位相機、視覺處理器、影像處理軟體,以及半導體晶圓代工服務,以用於 MEMS、高壓半導體、影像感測及混合訊號CMOS 晶片。DALSA以“DSA”代號於多倫多證券交易所(Toronto Stock Exchang )上市,並於Waterloo、安大略及加拿大設有企業辦公室。 3 _/ ~8 P. u% i! z2 T0 I4 l
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