晶圓代工22奈米競賽鳴槍,Global Foundries略勝台積電一籌

withstand80

晶圓代工業者Global Foundries來勢洶洶，除積極與台積電爭搶兩大繪圖晶片客戶超
6 D9 I, a$ D  C( J- O( F" |微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術上亦強調其將是目前晶圓代工廠最領先者，繼台積電日前
發表28奈米製程技術，Global Foundries亦不甘示弱，對外發表22奈米製程，預計最快
2012年進行生產，與台積電互別苗頭意味濃。
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台積電日前在京都VLSI大會上發表28奈米製程，是首代正式採用高k金屬柵(High-k Me
tal Gate；HKMG)製程技術，並將取代32奈米成為全世代製程，多數晶圓廠包括Global
Foundries亦都在32/28奈米製程選擇採用HKMG，Global Foundries預計32奈米最快在
- b  \0 I4 v$ Z9 n! ]2010年量產，與台積電28奈米2010年第1季時程相距不遠。

2 n+ q& h/ \- {/ h) I9 l5 _6 X2 U至於32/28奈米製程後續發展，Global Foundries率先宣布22奈米製程技術，同樣採用
7 R: {$ A. D- I  DHKMG技術，但將強化計算效能與延長電池使用壽命，可望對未來移動通訊晶片發展往前推進
一大步。台積電在22奈米製程則仍在研發階段，主要堅守自行研發路線，Global Foundri
es則是延續與IBM技術合作方式，取得IBM製程平台授權。
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半導體業者認為，目前看來在IBM技術陣營中，新加坡特許(Chartered Semiconductor)
已棄守45/40奈米、直接押寶在32奈米製程，但特許未來財務支撐力遠不如Global Foundri
8 }) c2 ]+ S: Res，因此，未來在32/28奈米及22奈米製程競賽，Global Foundries將是台積電主要競爭敵
" P: C5 a' a* Q( l, f% [2 b5 t手，日前超微40奈米產品爆出良率問題，便傳出其有意尋求與Global Foundries合作。

[ 本帖最後由 withstand80 於 2009-6-26 02:43 PM 編輯 ]

Richard2009

這家Global Foundries 全球市占率多少%阿
有7%嗎 還是5%
) D3 F: K& M0 Z/ C有打敗聯電嗎 有打敗特許 中芯嗎????
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4 ?' [5 K  t# v1 @$ v  t不會是雷聲大雨點小的公司吧

heavy91

(20100111 11:06:48)加州桑尼維爾和聖地牙哥--(美國商業資訊)--先進半導體生產技術的領導廠商GLOBALFOUNDRIES與先進無線技術、產品及服務的領先研發與創新企業高通公司（Qualcomm Incorporated）今日聯合宣佈，雙方已簽署了一份合作備忘錄，將就尖端技術展開合作。首先，GLOBALFOUNDRIES有意為高通公司提供尖端的45奈米低功耗（LP）和28奈米低功耗技術，並希望未來在先進製程節點上展開合作。
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高通CDMA技術資深副總裁兼營運總經理Jim Clifford表示：「隨著我們客戶對行動體驗的性能、低功耗、功能和可攜性要求越來越高，一個強大的製造和技術基礎也顯示出前所未有的重要性。GLOBALFOUNDRIES的產能和技術規劃藍圖使其完全具備了幫助我們實現下一代無線創新的能力。」
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+ @0 |8 n# j8 G* l, h4 E高通的整合無晶圓廠生產（IFM）模式在半導體開發週期中的各方之間建立了緊密的技術聯繫，從而提高了效率，降低了成本，並縮短了新產品的上市時間。高通的IFM策略的一個關鍵組成部分是一種多晶圓廠方式，在確保向高通的設備製造客戶供應產品的同時，使公司能夠靈活地因應需求的快速變化。這種IFM模式旨在加快高通的技術執行，以滿足無線半導體市場中將會出現的指數式成長。

heavy91

高通與GLOBALFOUNDRIES有意建立的這種關係將專注於高通的無線業務，並為包括方興未艾的智慧型小筆電（smartbook）設備等依CDMA2000®、WCDMA和4G/LTE蜂巢標準操作的手持產品提供技術。雙方都期望GLOBALFOUNDRIES在德勒斯登的Fab 1工廠將從2010年開始接受高通的設計。

. W. C! d8 X. G1 M' ^; {/ [4 r7 zGLOBALFOUNDRIES的執行長Douglas Grose表示：「作為全球最大、最為成功的半導體設計公司之一，高通需要獲得業界最先進的技術，以及使其快速上市的能力。透過將尖端的整合元件製造商（IDM）模式的益處融入晶圓代工業，我們讓客戶的先進產品能在最短的時間內上市，實現量產，並達到穩定的良率。我們非常高興能有機會在高通這樣的市場領導者致力於創造新的無線產品類別和未來技術之時與其合作。」

& {+ S, i+ N# _6 x) j" j除了先進的技術節點以外，雙方還有意探索其他可能展開合作的領域，如晶片封裝合作和3D封裝技術等。

wesleysung

回復 2# Richard2009
0 r2 l, a0 i" {/ v0 P. P  h
: G5 [# @0 R% U" X3 A  L! z
    特許已經賣給globalfoundries了

heavy91

GLOBALFOUNDRIES完成合併，成為全球首家真正的全球性代工廠-GLOBALFOUNDRIES和特許半導體合併為一個品牌，作為全方位服務代工廠公司角逐市場領導地位
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(20100115 15:25:56)加州桑尼維爾 -- (美國商業資訊) -- GLOBALFOUNDRIES公司今天宣佈，該公司與特許半導體製造公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）已正式完成業務合併，以GLOBALFOUNDRIES為公司品牌展開營運。這項公告代表著全球首家真正在亞洲、歐洲和美國擁有全球性製造和技術業務足跡的全方位服務半導體代工廠——新GLOBALFOUNDRIES成立。
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GLOBALFOUNDRIES執行長Doug Grose表示：「由於全球領先的晶片設計公司在推動創新方面面臨著越來越大的壓力，因此他們需要一個全方位服務代工廠合作夥伴，這個合作夥伴必須有能力投資並保持雄心勃勃的尖端技術藍圖，同時提供全方位的服務。憑藉我們投資人的願景和全球團隊幾個月以來的專注工作，現在我們已經設立了一家全球性的新公司，引領代工廠市場先進技術的發展，讓我們的客戶能夠採用先進的技術並獲得全球最優秀的人才。」

heavy91

合併後的公司在全球約擁有10,000名員工，公司總部位於美國矽谷，在新加坡和德國德勒斯登擁有先進的製造部門，在紐約州薩拉托加縣（Saratoga County）擁有一家在正在興建中的全新先進晶圓廠。為這些部門提供支援的是一個由研發、設計實現（design enablement）和客戶支援組成的全球網路，分佈於新加坡、中國大陸、臺灣、日本、美國、德國和英國。
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+ f, n$ F  g3 |! n3 G新GLOBALFOUNDRIES隨即成為全球最大的半導體代工廠之一，迄今為止GLOBALFOUNDRIES和特許半導體2009年營收超過20億美元。GLOBALFOUNDRIES成立時擁有來自半導體生態系統的150多家客戶，並計畫強化現有的關係，大力開發新客戶。現有客戶包括全球多家頂級無晶圓廠和輕晶圓廠公司，如AMD、高通（Qualcomm）、意法半導體（STMicro）和IBM等。
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/ ~) O  Z' @' a$ D% g. x& hVLSI研究公司執行長Dan Hutcheson表示：「代工廠業務的整體前提正在發生變化。代工廠的客戶清楚地認識到，他們需要的是與代工廠合作夥伴進行深層次的協作，而非委託製造服務。GLOBALFOUNDRIES曾經是尖端技術領域一家頂級整合元件製造商 (IDM) 的一部分，因此完全有實力推動代工廠商業模式的根本轉變。」

6 Y  P* A% ~- ^; u4 E: kGLOBALFOUNDRIES目前在新加坡擁有5家200毫米晶圓廠和一家300毫米晶圓廠，在德國德勒斯登也有一家先進的300毫米晶圓廠區。為了滿足日益壯大的客戶群需求，該公司制定了一項雄心勃勃的產能擴充計畫，其中包括德勒斯登一廠 (Fab 1) 和新加坡七廠 (Fab 7) 的擴建，以及在紐約州薩拉托加縣新建一家先進的300毫米晶圓廠。位於紐約州的這家工廠將重命名為八廠 (Fab 8)，計畫於2012年開始投產。

heavy91

隨著這些計畫的到位，預計到2014年，該公司的全球年產能將達到160萬片300毫米晶圓。此外每年還有220萬片200毫米晶圓，為客戶提供全方位的代工技術，從主流到前端技術無所不包，合計相當於580萬片200毫米晶圓。
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GLOBALFOUNDRIES營運長Chia Song Hwee指出：「迄今為止，全球最大的無晶圓廠、輕晶圓廠和綜合製造商都沒有真正的端對端製造合作夥伴的替代選擇。這家新設立的公司面臨著龐大的商機，不僅僅提供一個替代選擇，而且還成為全球許多頂級晶片設計公司的首選供應商。憑藉先進技術的領先地位、雄心勃勃的產能藍圖，以及一系列全面的主流技術和代工服務，我們已經為與業界其他代工廠展開競爭並戰勝他們做好了充分的準備。」

新GLOBALFOUNDRIES為市場帶來了一系列尖端技術能力和服務。該公司是代工產業40/45奈米技術量產時間最短的企業，可望在32奈米和「前閘極」(Gate First) 高K介質金屬閘極技術方面再次取得同樣的成就。該公司以其所說的「虛擬整合元件製造商」(Virtual IDM) 途徑為基礎，採用同時拓展至封裝、IP解決方案和設計實現領域的協作式研發途徑。

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(台北訊) 2008年10月半導體大廠超微(AMD)與中東阿布達比先進技術投資公司(Advanced Technology Investment
3 w% M5 R& U5 YCo.；ATIC)合作，除接受來自ATIC的7億美元資金，讓經營狀況獲得改善外，AMD更將半導體製造部門切割
% Z# x. V9 Z/ q4 V予以獨立，並與ATIC合資成立以晶圓代工為核心業務的新公司GlobalFoundries。GlobalFoundries的成立，除為
; L! ?0 t+ T, \# w- n0 I4 vAMD代工外，也將爭取其他半導體客戶訂單，成為台積電、聯電、中芯等既有晶圓代工大廠的競爭對手，
DIGITIMES Research分析師柴煥欣預估，GlobalFoundries加入競爭，將使晶圓代工市場供過於求疑慮升溫。
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8 a# E, _' n. ?8 N- V1 r: y1 c事實上，GlobalFoundries成立以來，就挾著ATIC雄厚資金而來勢洶洶，先鎖定台積電高階主管與研發人才重金
挖角，接著更大手筆購併全球第3大晶圓代工廠特許半導體(Chartered)，2010年以來，購併聯電與海力士(Hynix)
的傳聞更時有所聞。
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柴煥欣說明，合併Chartered後的GlobalFoundries產能大幅提升，雖離全球晶圓代工龍頭台積電仍有一大段差距，
% M2 j( D9 G; t! l但已微幅領先聯電，尤其在12吋晶圓產更大幅超過聯電，單就產能而言，GlobalFoundries已超越聯電，成為擁有
全球第2大產能的晶圓代工廠。

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除產能擴充外，GlobalFoundries對先進製程研發亦不遺餘力，柴煥欣進一步說明，從GlobalFoundries近期公布
技術藍圖規劃來觀察，將在2010年導入32奈米製程量產，速度與台積電相當，至於再次世代28奈米製程，則
6 [' |8 w; t7 M預計於2011年研發成功並導入量產，而22奈米製程則將在2013年推出，其製程研發進度已與世界一線級晶圓
3 g$ K, R+ Q* v; i代工廠並駕齊驅。
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# D5 ~4 ]  @+ S& W" i  s: @1 N不可否認，GlobalFoundries加入全球晶圓代工市場競爭行列，確實引起其他晶圓代工業者的注意與高度警戒，
- F0 |9 ?/ q0 l1 k4 _( B這也讓全球主要晶圓代工業者紛紛投入高階製程研發與擴充產能的行列。以目前各主要晶圓代工廠擴產規劃
來分析，柴煥欣預估，至2012年，全球晶圓代工業供過於求的疑慮可能持續升高。
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heavy91

(台北訊)自2009年3月GlobalFoundries正式成立以來，先承接超微(AMD)半導體製造部門位於德國德勒斯登
$ `3 r7 J% g# G(Dresden) Fab-36、Fab-38兩座8吋晶圓廠，並將這兩座8吋晶圓廠合併並升級為12吋晶圓廠外，還在美國
! I+ u/ |5 s3 l$ b: f* D) K  F紐約建構新的12吋晶圓廠Fab-8，該廠預計將於2012年完工。

更重要的是，Global Foundries於2009年第4季宣布收購全球第3大晶圓代工廠特許半導體(Chartered)，並已於
' X; W8 C5 f2 J2010年1月20日正式將Chartered併入GlobalFoundries。
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DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，GlobalFoundries挾著阿布達比先進技術投資公司(Advanced Technology
/ @- |3 A  i+ ?( H- Z2 C7 @9 U2 NInvestment Co.；ATIC)雄厚資金來勢洶洶，在12吋產能擴充一舉超越聯電，成為全球擁有12吋晶圓產能第2大
: P2 `& d' K, q$ f& q1 Y的晶圓代工廠。
3 n/ v$ [/ X! A; s3 G% _0 v0 F
, {2 f1 Z/ o5 Z. K+ R7 R7 p柴煥欣進一步說明，在微縮製程發展進度上，GlobalFoundries更是直逼晶圓代工領導廠商台積電，這也讓全球
( i# M6 _- _/ d) g. w主要晶圓代工業者2010年資本支出大幅增加，除用在12吋先進製程產能轉換與擴充外，對次世代32/28奈米製
程開發腳步更是加快速度。然而，要進入32/28奈米製程，高介電系數金屬閘極(High-k Matel Gate；HKMG)製
程就成為必要發展技術。

heavy91

除各晶圓代工業者積極投入高介電系數金屬閘極製程研發外，柴煥欣說明，正因高介電系數金屬閘極技術所
; e- O1 y) h0 @/ e7 y3 n製造出來的晶片具備低耗電與高效能優勢，因此，晶圓代工業者也將28奈米製程整合成兩種閘極技術，鎖定
不同終端市場應用，希望藉此創造晶圓代工產業未來成長動能。
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柴煥欣分析，台積電在取得40奈米製程市場優勢後，在28奈米製程，甚至20奈米製程世代的研發，亦是不遺
餘力，就是希望就此拉大與其他競爭對手間差距。但後起之秀的GlobalFoundries亦不容忽視，在先進製程研發
腳步上緊追台積電之後。
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透過產能擴充進度、先進製程技術藍圖的推進，及先進製程低耗電與高效能兩個不同平台所應對終端市場布
, W# X( `0 n9 K6 u6 U: d局，可以看出GlobalFoundries布局策略，將以從台積電手中瓜分訂單視為未來重要營運指標，柴煥欣預估，
! M  N4 E6 H' p4 H' F; rGlobalFoundries將會在2012年正式挑戰台積電。

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公司透過在德國德勒斯登和美國紐約的擴建專案提高全球產能以滿足客戶需求成長  ATIC詳述在阿布達比新建先進技術集群
  F. n" i8 x) y8 x2 \6 K" w
' ]5 p5 G* F4 b' c臺灣臺北--(美國商業資訊)--GLOBALFOUNDRIES今天公佈了透過在300毫米經營部門執行一系列新專案拓展其全球半導體製造業務的計畫。這些專案旨在為短期和長期客戶需求的預期成長提供支援，由兩項重要的新計畫組成：
, T: R- ~) U4 ?# Y* B" a  [
$ J0 \0 D+ R4 p/ W•在德國德勒斯登的晶圓一廠 (Fab 1) 建造更多的晶圓製造設備，旨在增加45/40/28奈米產能，完工後，整體產量將增加至每月80,000片晶圓

7 n0 Q* Q$ z5 x, @: {" t& z•擴建紐約晶圓八廠目前興建中的無塵室專案，以便為提高28/22/20奈米產能並使完工後整個晶圓廠的產量增加至每月60,000片晶圓創造條件

透過在先進技術產能方面進行更多投資，GLOBALFOUNDRIES繼續採取雄心勃勃的長期策略，推動先進技術的持續成長和保持技術領先地位。預計這些新擴建專案還將在晶圓一廠和晶圓八廠 (Fab 8) 廠區創造數百個就業機會。

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GLOBALFOUNDRIES營運長謝松輝 (Chia Song Hwee) 表示：「我們的300毫米晶圓廠一直處於業界最先進和最高效率的地位。如今我們延續了我們在精益代工製造和世界級晶圓廠效能方面的傳統，讓它在更廣闊的範圍推出，以滿足全球領先晶片設計公司的需求。憑藉這個雄心勃勃的產能擴張計畫，我們能夠為新舊客戶提供最快的解決方案，讓他們能夠將先進產品量產上市，確保成功。」

在該公司領先的德勒斯登晶圓一廠製造廠區，擴建重點將是增加新產能，為45/40/28奈米技術的更多成長機會和初期22奈米技術的開發提供支援。這次擴建將在晶圓一廠新建一個擁有近110,000平方英尺的無塵室廠房，使該晶圓廠在今後兩年的產量最大能夠達到每月80,000片晶圓。晶圓一廠是歐洲最大的晶圓廠，其先進的晶圓製造設備占地面積將相當於8個足球場。預計該擴建專案將於2011年開始投產，營建工作計畫立即展開。不過，晶圓一廠的擴建專案依然還有待於德國政府和歐盟委員會一個州援助方案的批准。

為了支援22/20奈米技術的長期成長，GLOBALFOUNDRIES計畫擴建晶圓八廠。晶圓八廠是該公司目前正在紐約州薩拉托加縣路德森林科技園區 (Luther Forest Technology Campus) 建造的先進晶圓廠。擴建將使無塵室的規模擴大90,000平方英尺，使可用的無塵室總面積達到約300,000平方英尺，先進晶圓製造設備占地面積約相當於6個足球場。

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包括無塵室支援基礎架構和辦公面積在內的設備總占地面積將達到130多萬平方英尺，預計將於2012年投產，並於2013年年初實現量產。無塵室的擴充考慮到今後要添加的裝置和設備，為全面完工後實現每月約60,000片晶圓的總產量目標提供支援。

除了晶圓一廠和晶圓八廠的產能擴充之外，GLOBALFOUNDRIES的大股東 ATIC (Advanced Technology Investment Company) 公佈了在阿布達比新建先進技術集群的初步計畫。該集群緊鄰阿布達比國際機場，占地3平方公里，非常適合在該地區建立先進技術集群。該地區緊鄰區域性運輸中心並且擁有良好的基礎架構。GLOBALFOUNDRIES致力於與ATIC合作，在短期內將分享在集群建立領域最佳實務和專長，從長遠發展看，將在該地區建立重要的技術和製造業務。該集群的目標是成為全球技術和製造網路的中東樞紐，為ATIC成員公司在資本密集型先進技術領域的長期資本部署提供支援。

ATIC執行長Ibrahim Ajami表示：「新GLOBALFOUNDRIES的成立必定造就一個擁有競爭這個資本密集型市場產業領先地位所需規模和資源的世界級技術和製造公司。對ATIC而言，這也代表著成為阿布達比半導體產業領導者這項願景的第一步。在我們開始採取行動在未來數年建立一個世界級的先進技術集群之際，我們於今天公佈下一個階段的計畫。當我們在阿布達比創造業界又一項創舉之際，我們期待著與GLOBALFOUNDRIES團隊合作，利用在新加坡、德勒斯登和紐約的共同成功經驗。」
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除了在德勒斯登和紐約的擴建計畫外，GLOBALFOUNDRIES還在繼續進行先前公佈的新加坡晶圓七廠 (Fab 7) 的擴建專案，以實現每月50,000片晶圓的生產目標，比目前水準高出近50%。在擴建期間，晶圓七廠將繼續專注於65奈米至40奈米技術節點的製造技術。

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完全整合的公開取閱AMS流程將於2010年第4季向客戶推出

加州密爾必達--(美國商業資訊)--在今天的全球技術大會暨成立大會上，GLOBALFOUNDRIES展示了業界第一個公開取閱（open-access）的28奈米類比/混合訊號 (AMS) 生產設計流程開發套件。該公司將此AMS流程作為平台向客戶提供，以建構經過驗證的鑄造製程，並打造成功的設計。GLOBALFOUNDRIES已經和Cadence Design Systems達成合作，將共同推出此AMS生產設計流程。

GLOBALFOUNDRIES的設計方法總監Richard Trihy表示：「要在先進技術節點上激發創新，協作和公開無疑是最為重要的。我們與我們的生態系統合作夥伴緊密合作，以提供最佳的設計解決方案。客戶可以在我們與Cadence合作開發的28奈米生產設計流程先進平台上進行建構，從而使自己的設計和產品與眾不同。」
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該AMS流程的設計特點在於突出GLOBALFOUNDRIES的28 奈米前閘極高介電金屬閘極 (HKMG) 技術的先進功能。AMS流程中包括以晶片為導向的指示和提高製程性的建議。客戶將可使用IP、函式庫、參考套件和鑄造附屬品，這可讓客戶對其設計和流程進行再創作，從而滿足其個人的設計要求。GLOBALFOUNDRIES還將成為業界首家支援配備DRC+流程的公司，GLOBALFOUNDRIES的這一透過晶片驗證的解決方案已超越標準的設計規則檢查 (DRC)，它使用以形狀為基礎的二維模式匹配將速度提高100 倍，不但能識別複雜的製造問題，還能保證精確性。
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GLOBALFOUNDRIES已經和Cadence達成合作，在2010的第三季共同推出AMS生產設計流程的主要元素，並由GLOBALFOUNDRIES PDK支援所有流程步驟。參考流程中包括PCell，它可啟用Cadence Virtuoso自訂設計工具中的重要先進功能。完整的生產級AMS流程預計在2010年第四季向客戶推出，晶片驗證則計畫在2011年初。

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Cadence的產品管理組主管David Desharnais表示：「對於那些研究先進節點的公司，積極的開發專案對其有著非常明顯且積極的產能影響，因此Cadence始終是其生態系統合作夥伴的選擇對象。我們與GLOBALFOUNDRIES合作開發此28奈米完全整合的公開取閱AMS生產流程，向業界提供通往晶片實現（Silicon Realization）的確切路徑，晶片實現是EDA360視野的主要基本元件之一。」
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該 AMS流程包含類比電路設計與混合訊號設計，利用GLOBALFOUNDRIES PDK和合作夥伴的標準元件函式庫（standard cell library）展示混合類比與數位設計。參考流程中所含設計的各個方面包括管理附屬問題、快速電路佈局原型研究、類比佈局方針和路由、模擬（如角選擇、蒙地卡羅）、電感器合成、金屬填充和EM/IR分析。
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* X: T  k- ?# R; Z2 j* H該設計流程還透過白皮書、共同攜手因應挑戰和GLOBALFOUNDRIES建議的解決方案進行了增強。此外，該設計流程還在生產過程採用頂級實體簽核（physical signoff）步驟，將 GLOBALFOUNDRIES 28奈米要求應用於DRC、微影模擬和CMP。
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2 ]9 X8 V$ @" s2 B關於2010年全球技術大會
GLOBALFOUNDRIES首屆全球技術大會包括產業領袖的演講和GLOBALFOUNDRIES管理及技術團隊的報告，特別強調公司如何透過利用與客戶及合作夥伴的全球協作取得及時量產（time-to-volume）的領先地位。2010年全球技術大會於9月1日 (週三) 在位於加州矽谷中心的聖塔克拉拉會議中心開幕，揭開2010年全球技術大會一系列Road Show活動，這些活動將在中國大陸、台灣、日本和歐洲等國際策略市場舉行。如需2010年全球技術大會詳情，請瀏覽http://www.globalfoundries.com/gtc2010/。

atitizz

)先進技術針對飛思卡爾下一代工業及多重市場微控制器平台應用

# T. S, ~7 w0 h加州密爾必達--(美國商業資訊)--在今天召開的首屆全球技術大會（Global Technology Conference）上，GLOBALFOUNDRIES和飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor）公佈了一系列採用90奈米快閃記憶體技術的新薄膜儲存器（TFS）快閃記憶體產品的上市計畫。這種先進技術預計將用於飛思卡爾的微控制器（MCU）之中，針對從消費電子產品和家用電器到醫療設備和智慧計量系統的各種應用。

飛思卡爾的TFS技術具有FlexMemory功能，可設定電子式可抹除可編程記憶體（EEPROM），應用於ColdFire+™和Kinetis™系列32位元微控制器。這種以薄膜記憶體為概念的下一代非揮發性記憶體（NVM）產品將採用GLOBALFOUNDRIES的90奈米技術製造。早期測試晶片已經在位於新加坡的GLOBALFOUNDRIES晶圓七廠（Fab 7）進行生產，預計技術認證將於2011年上半年完成。

90奈米TFS技術與其他傳統的非揮發性記憶體架構不同，採用了一種創新型矽奈米晶體技術，提供產業領先的可擴展技術，具有位元級的可靠性、速度、功率和尺寸。

7 Y% [$ W2 n# ?7 x9 E& fGLOBALFOUNDRIES技術與研發資深副總裁Gregg Bartlett表示：「我們將協作途徑帶給代工廠產業，我們與飛思卡爾的合作就是一個很好的例子。我們運用在及時量產的產業領先能力，與飛思卡爾在產品開發早期階段展開密切合作，將這種創新型快閃記憶體技術推向市場。」

飛思卡爾微控制器解決方案事業群資深副總裁兼總經理Reza Kazerounian表示：「飛思卡爾專注於開發與眾不同的嵌入式非揮發性處理技術，為客戶市場領先的微控制器解決方案提供支援。我們與GLOBALFOUNDRIES的合作夥伴關係將讓我們可以加快TFS技術的工業化，幫助我們走在嵌入式創新的前線。」

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GLOBALFOUNDRIES 推出業界首款採用 Gate First High-K 金屬閘極的 28 奈米ARM Cortex-A9 處理器平台
- y- N! o  v, [) T合格車輛將加快順利生產能力並且為專用積體電路客戶縮短上市時間

加州密爾必達--(美國商業資訊)--在今天召開的首屆全球技術大會上，GLOBALFOUNDRIES 宣佈其已根據 ARM Cortex™-A9 雙處理器 [（LSE：ARM）；（那斯達克股票代碼：ARMH）]，即業界首項 28 奈米 High-K 金屬閘極 (HKMG) 技術設計出合格車輛並進行試產。此 Technology Qualification Vehicle (TQV) 將允許 GLOBALFOUNDRIES 根據下一代雙核心 ARM 處理器最佳化其28 奈米 HKMG 客戶設計流程，從而為開發未來運算裝置的專用積體電路客戶加快上市速度。
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7 N  j- }$ Q4 b0 v  O: A% A聯合開發的TQV於8月在德國德勒斯登的GLOBALFOUNDRIES Fab 1進入試產 (tapeout) 階段，並且是去年宣佈的與 ARM 策略協作的一部分。晶片驗證結果預計將在2010年年底從fab返回。GLOBALFOUNDRIES設計支援團隊資深副總裁Mojy Chian表示：「對於從智慧手機設備到高效能有線應用的下一代產品，這是大量28奈米製造和技術領先地位的重大里程碑。透過在技術審核的早期階段與 ARM 緊密合作及設立新的效能和能效標準，使我們的客戶能夠快速將他們具有 ARM 實體 IP 的 ARM Cortex-A9 設計投入生產。」

TQV設計採用完全最佳化的ARM Cortex-A9實體 IP 套件，其中包括一系列標準元件函式庫、L1快取記憶體巨集，以及其他領域的密度最佳化記憶體。設計它的目的在於多方面模擬同類產品系統單晶片 (SoC)，從而在設計週期之間實現最大頻率分析以及較短周轉時間。

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採用一套完整的可測試性設計（Design for Testability，DFT）功能，Cortex-A9關鍵路徑的Silicon-Spice關聯和快取記憶體的位元映射速度可達到千兆赫（gigahertz）。

$ k2 c1 `1 ^8 x0 V8 T# JARM實體IP部門行政副總裁兼總經理Simon Segars表示：「隨著產業不斷採用先進製程技術，設計與製造之間進行密切合作的需求也不斷成長。」他還說：「將 ARM 領先的實體 IP 解決方案和 GLOBALFOUNDRIES 在量產方面的有效經驗完美結合，將提供強大的創新平台。我們的合作關係將使客戶能夠將基於高效能、低功耗 ARM 技術的設計快速投入28奈米HKMG技術市場。」
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- R: X" U5 x4 S+ F  q6 ~* nTQV 將瞄準高效能有線應用的 GLOBALFOUNDRIES 28 奈米High Performance (HP) 技術。該產品組合還將包括同時針對有線和高效能行動應用的 28 奈米 High Performance Plus (HPP) 技術，以及用於功率敏感型行動和消費應用的 Super Low Power (SLP) 技術。所有技術均採用了GLOBALFOUNDRIES針對HKMG的創新型閘極優先（Gate First）技術。這種方法在可伸縮性和可製造性方面均優於其他28奈米HKMG解決方案，顯著減小晶片尺寸和降低成本，同時相容先前技術節點經證實的設計元素和製程。

GLOBALFOUNDRIES 和 ARM 在2009年第3季首次公佈其最先進的SoC平台技術的詳情。與40奈米技術相比，這兩家公司預計新的晶片製造平台將提高40%的計算效能，降低30%的功耗，以及延長100%的備用電池使用壽命。