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[問題求助] IC ESD 相關問題請教

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1#
發表於 2007-11-27 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是?反正只要驗證 OK,先以縮小面積為考量,是這樣嗎?
- k( I$ L7 W0 W+ a. Z; m
" H" p4 L9 ]& u( r2 a2. 假設發生 ESD 問題了,找到亮點了,傷到內部電路,也層層剝下去觀察,知道 damage 在哪個 device 了,如果它是 design issue,接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢?尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下,有什麼大方向可先行檢查一遍嗎? (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
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7#
發表於 2008-9-24 23:42:18 | 只看該作者
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路
& ~8 z; V' u4 K2 O3 i5 T5 U6 {想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
# z, b% c; q% b3 X: E我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.
6#
發表於 2008-9-24 23:37:55 | 只看該作者
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表
, B7 N' }' h5 {( r根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

: z6 w8 ~! I/ d$ ]1 j# E1 s$ D
( H5 [3 t7 g( o- g0 C
% o" R4 Z& S, }* A& k+ Q9 A7 o請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
5#
發表於 2008-9-8 23:04:21 | 只看該作者
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎?0 J6 r" R4 o, s" o
如果有的話,Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接?4 s( u3 ?7 f( S# M* x
是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護?0 D$ J1 X/ _0 {& i* T9 P( ^+ C
如果都沒有,死在裡面也不是什麼很奇怪的事。
( F, o9 `& r  o- y7 K- t: J9 I5 ]& y* {
# F2 n; I+ ^: ?' @/ o+ G不過,如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔),- l$ `$ ^  f1 X5 c9 [4 a$ `
可以把問題丟給他們,確認是Foundry的話,甚至可以談賠償,, W( G8 \+ X$ R! |) z# B, \
不過,通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
4#
發表於 2008-7-25 16:35:48 | 只看該作者
Foundry 的 ESD rule 通常都大,5 W' n( ~* Y; V& y3 m9 L; X
design by yourself is better
3#
發表於 2007-12-10 21:30:36 | 只看該作者
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
2#
發表於 2007-12-10 14:13:31 | 只看該作者
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍,這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料,就可以知道其耐受度。7 V0 `( z  Y5 h$ @( g
2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

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