dummy 接點的問題

bbegg

想請問一下,
一般在擺DUMMY的時候,如果是電阻或電容的dummy,那DUMMY的電位應該接到哪一點??
* o  z0 p0 Y- V; `) d0 H7 w8 |VDD還是GND呢?

那在MOS的時候,如果是擺POLY當作dummy,那POLY需要接電位嗎?
% K' ]+ @& Y% W9 X4 `$ n. N如果需要的話需要接到哪點? VDD,GND或者其他電位??

謝謝

EbEbyaya

說得真詳細，學到不少

ian77316

回復 11# 小包

* Q2 ?2 L5 P+ e- P4 B
# e) n) y% X* X6 r" ]$ c. i' r0 S    挖!!這篇對小弟現在受用無窮阿~~非常感謝大大的經驗分享

8d8d90292

我頂~ 感謝各位前輩的教導

小弟又學了一招 謝謝

jacky80109

回復 10# 小包


  |5 H( {/ N9 w1 r" k    n+跟nwell是不一樣的東西，n+濃度較濃且深度較淺，並且有od的地方才有n+，nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw，不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的，以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在，但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說，我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠，因為psub的濃度沒有調好，造成nw和nw之間漏電，你想想，假設你這個時後把dummy的nw接到gnd，附近又有pmos接vdd的nw，是不是就有漏電的疑慮....
& a  ^: Q9 e5 L* T% p" y) S- X
為什麼這樣皆會有漏電的疑慮?你指的是說nw<dummy>和nw<不是dummy>會漏電?那漏電和p-sub的濃度為什麼有關?p-sub應該是gnd~nw應該部會接到比這個更低的電位吧?小弟有些不懂?
* \% d, n1 y* S; y9 l7 ~請大哥解惑一下~感恩

ian77316

推薦這篇文章
6 D3 X: c6 j- R' ?% L- [* T
這對小弟現在非常有幫助~~

h2off0202

稍稍補充一下
建議MOS的S D G B都接同一點
應為我們公司就有應為BODY接不同點而漏電的問題發生(HV製程)

toffee186

小包大大說的真是詳細，謝謝啦~之前還沒有注意到dummy有這麼多種

kid1412kid

小包大大說的真詳細，小弟受教了

chone1205

都可以接~當然已就近電位嚕

dendeicide

小包大大講的真詳細，讓小弟學到了一些。

592gigi

我一般就就近接。。。。

semico_ljj

dummy 要接死，不能浮空

motofatfat

就近接 不論 是 POWER OR GROUND
POLY 最好 不要浮接 以免感應到
被長期 所在 某個 訊號

小包

如果在mos的兩邊要擺dummy mos有數種接法，你可以參考一下：
+ O0 I# p$ ~- K; U* c5 c% N  Y1、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起，source/drain接vdd（pmos）或gnd（nmos），如此一來dummy mos就變成了mos電容，但需考慮的是gate的訊號線是否容許存在額外的電容。
+ Y3 d$ B+ b- N. _2、dummy mos 的gate/ source/ drain都接到vdd（pmos）或gnd（nmos），這樣就是把mos都關掉。
3、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起，source/drain short接到某個訊號，這樣雖然mos有通，但因為source/ drain已經用metal short了，所以底下通道可能沒有載子通過，metal的阻值遠小於通道，所以載子會走metal。
) W6 x7 B2 I! t* w; b' B4、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起，source接vdd（pmos）或gnd（nmos），drain floating。

小包

n+跟nwell是不一樣的東西，n+濃度較濃且深度較淺，並且有od的地方才有n+，nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw，不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的，以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在，但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說，我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠，因為psub的濃度沒有調好，造成nw和nw之間漏電，你想想，假設你這個時後把dummy的nw接到gnd，附近又有pmos接vdd的nw，是不是就有漏電的疑慮…而你問的「N+电阻是不是也应该接VDD呢？不然是不是也会有漏电问题？」反過來想，n+電阻跟nmos差別只在一個有上頭有跨poly一個沒有，而poly只是控制mos的開關，也就是說把nmos的length拉長一點，也是可以當電阻用阿，那你會把dummy的nmos接到vdd去嗎?

pph_cq

这么说那N+电阻是不是也应该接VDD呢？不然是不是也会有漏电问题？

小包

通常一般的nw dummy電阻接gnd是不會有什麼問題，不過因為dummy就是擺在一堆電阻的最邊邊，如果附近有其他nw但不是接到最高電位，譬如說接到某個訊號，據說會有漏電還是怎樣的…這個是我們公司的產品說的，所以我們的nw dummy都是接vdd，保証沒問題~

pph_cq

nwell电阻为什么要接VDD？接gnd不可以吗？我们好像所有的dummy不管是何类型都接gnd的。

小包

mos matching的dummy poly底下是沒有od的，所以沒有電容的問題（如果是放dummy mos的話接法就不同了~）。dummy n+電阻接gnd和dummy p+電阻接vdd，雖然有個pn接面，但是兩頭都short在一起了，diode也不存在。dummy電阻 short需要電阻的2個端點同時short，若只接其中一點的話還不如floating。