求助关于GCPMOS管的版图

scy8080

如果GCNMOS管做电源的CLAMP电路，drain连接到电源上，source连接到地，很好理解，drain到POLY距离拉大，能减少电源电流对poly的冲击
而对于GCPMOS管做电源的CLAMP电路，drain(到POLY的距离更大的有源区）是否也应该连到电源哪？
谢谢

ritafung

我想是這樣子吧~
2 ~$ B$ D( h& _# F8 ]; c1 Y, O; BNWell Process + Psub, NWell 便要連接到正電源,PMOS drain連接地pin

scy8080

我想知道的是PMOS管的情况！！！

对于反相器，通常情况，我们认为pMOS管连到电源的有源区为source,连接到输出的为漏；

8 R. p) M+ X6 c$ N  }" j8 c; h/ WGCNMOS的clamp电路，drain连接到正电源，body/source接到VSS,正ESD pulse打到电源，NMOS的寄生BJT导通使ESD电流到地 pin，
而对于GCPMOS管的clamp电路，应该如何考虑？

ritafung

drain是要連到正電源 (assume product 沒有負電壓), body / source 就連接到 VSS
$ u, Y, q. _  M當正ESD pulse打到正電源,它會透過NMOS內的parasitic BJT把電流流到 grounded pin

scy8080

drain(到POLY的距离更大的有源区）是连到电源还是连接到地好？能否给个解释？谢谢

semico_ljj

就像GCNMOS一样处理吧！

scy8080

我现在用得这个工艺，foundry推荐用GCPMOS的，但是不知道版图上drain和source怎么处理？

7 x8 N+ D) N! W* w& [! T! @: s[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-12-19 09:52 AM 編輯 ]

semico_ljj

GCPMOS比较费面积！画小了不起作用

ritafung

你是否想用GCNMOS? 我們很少用PMOS 通電,因為它的BJT gain是很低
: h3 B6 X( G" @. f8 S, C& `) w如果是用NMOS的話,drain 是連接到power, source 是連接到ground.