請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？

hyseresis

請問各位大大
請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？
為什麼W=1U,L=20U,是為了提高阻值嗎？
這樣疊3個MOS有什麼作用ㄋ？

ukyo

這叫MOS串聯，
: n, \+ F8 i" g/ o& H4 eM4-M6可以看成是一顆
W=1u, L=60u的MOS
# u4 u* w. E6 q2 T* O
這是為了把input threshold向上拉高

hyseresis

原帖由 hyseresis 於 2008-12-3 11:19 AM 發表
- A) a3 L9 B4 [( X6 r( ]5 O請問各位大大
8 n5 ?4 ]* A1 K$ e; c9 D' h請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？
* E8 r; c$ F9 I- K為什麼W=1U,L=20U,是為了提高阻值嗎？
* w1 d1 i4 c# J' G) N這樣疊3個MOS有什麼作用ㄋ？

0 D3 X1 F! K8 {" C7 J. W5 }' l
自己跑過模擬後就知道了
; x! M' d' b9 ^& M$ t原來功用是可以拉高threshold

caesarxl

明白∼
只是，这电路图没有画完吧？
" h4 _4 w+ R% c6 H  W4 Y2 O怎么前面一个inverter没有输出？？？后一个没有输入？？？

semico_ljj

有没有注意到设计成3个串联的1/20,和一个1/60的NMOS有什么区别？考虑过麽？

Zuman

原帖由 semico_ljj 於 2008-12-9 09:54 PM 發表
有没有注意到设计成3个串联的1/20,和一个1/60的NMOS有什么区别？考虑过麽？

0 k" m5 I+ [  N3 S" K我觉得相对单个管子，这种并联的静态功耗比较小，因为电流比较小！

4 C2 I; ?% w' G[ 本帖最後由 Zuman 於 2008-12-13 09:57 PM 編輯 ]

basil

有公式可知VGS=VT+sqrt(2*Id*L/(un*Cox*W))（假定工作饱和区）
/ R2 b& T8 B5 H三个相同的管子串联，沟道长度=3*L，这样就可以提高VGS电压，
增大管子开启电压。
至于为什不直接采用一个管子实现的原因，我想：一方面是固然有画版图的
+ L( K) {" u! \' Y& D因素，另一方面可以看到三个管子的VGS的电压是不一样，三个
管子的导通的顺序是不同的，这样就是逐级开通，从M6到M5,再到M4，而采用
& {( c0 ~1 H  w# R; w7 D6 A单个管子就不能实现这个功能,大家可以仿真一下，两种转移曲线是不一样的。

9 i2 E2 f) o( [, s* Z[ 本帖最後由 basil 於 2008-12-13 11:47 PM 編輯 ]

fmgay

首先,三个mos管串联和一个管子是一样的,
- E  N, H. g) j) |" N( M$ T. f至于为什么要画成三个管子,我觉得是因为foundry给的model中有限制器件的栅宽小于等于20um,这个限制在分段式模型中仿真器就会报错,为了避免仿真器报错,通常将栅宽很长的器件分成几个器件串联的形式.

122013137

为什不直接采用一个管子

caesarxl

同问，为何不采用一个管子？？？？？？？？？？
}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}

poseidonpid

fmgay 和 basil 這二位應該回答得很清楚了~

上面的二位要不要想一下 或是跑個模擬就會比較清楚了吧??

renzhq

原帖由 basil 於 2008-12-13 11:43 PM 發表
有公式可知VGS=VT+sqrt(2*Id*L/(un*Cox*W))（假定工作饱和区）
三个相同的管子串联，沟道长度=3*L，这样就可以提高VGS电压，
& |. p5 j0 a1 J1 V7 _) S增大管子开&#215 ...

/ D" \& t8 _2 s) \0 f那逐級導通 為了什么呢？有特殊的用途麼？

e2000

這樣做的意義在哪裡呢?能增加什麼嗎?阻抗嗎?這樣做輸出擺幅會掉吧?

finster

如果只用一個MOS的話,那Length要為60um,
! g4 ~% z6 T. H& N% _* [8 t若用3個MOS的話,那Length則可為20um
對於layout來說,因為你MOS的Length太長對於實際空間的擺放會造成其他元件擺放上不好放置的問題
* }3 a' @3 N% e2 s! a& P4 N故而,通常會把很長的一個MOS拆成數個MOS的畫法
除此之外,在SPICE Model中,通常會有Maxmim Length的限制,使用過長的Length並不是一個好習慣
因為那會使你MOS的元件特性會落在比較極端的區域,如此一來反而會衍生出不必要未知的變數出來