請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？

hyseresis

請問各位大大
% E( f. x2 p0 I* p2 r請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？
7 _/ j3 w/ Z+ i為什麼W=1U,L=20U,是為了提高阻值嗎？
' K1 N+ B' K! e6 c. a6 w8 V# c# `這樣疊3個MOS有什麼作用ㄋ？

finster

如果只用一個MOS的話,那Length要為60um,
若用3個MOS的話,那Length則可為20um
對於layout來說,因為你MOS的Length太長對於實際空間的擺放會造成其他元件擺放上不好放置的問題
故而,通常會把很長的一個MOS拆成數個MOS的畫法
* p, a  l+ s1 x, `! K2 y除此之外,在SPICE Model中,通常會有Maxmim Length的限制,使用過長的Length並不是一個好習慣
$ W( j; b! m- k8 D+ @/ k6 w8 u因為那會使你MOS的元件特性會落在比較極端的區域,如此一來反而會衍生出不必要未知的變數出來

e2000

這樣做的意義在哪裡呢?能增加什麼嗎?阻抗嗎?這樣做輸出擺幅會掉吧?

renzhq

原帖由 basil 於 2008-12-13 11:43 PM 發表
有公式可知VGS=VT+sqrt(2*Id*L/(un*Cox*W))（假定工作饱和区）
3 ]& W4 V7 F  F7 c7 n$ {三个相同的管子串联，沟道长度=3*L，这样就可以提高VGS电压，
" x' |2 G% R) D: |$ U1 o* I& Z8 y增大管子开&#215 ...

" B1 }" ~  p+ }7 ~; m/ T那逐級導通 為了什么呢？有特殊的用途麼？

poseidonpid

fmgay 和 basil 這二位應該回答得很清楚了~

5 O0 u8 S8 r8 R上面的二位要不要想一下 或是跑個模擬就會比較清楚了吧??

caesarxl

同问，为何不采用一个管子？？？？？？？？？？
}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}

122013137

为什不直接采用一个管子

fmgay

首先,三个mos管串联和一个管子是一样的,
6 k. q  e. F. z; E# |至于为什么要画成三个管子,我觉得是因为foundry给的model中有限制器件的栅宽小于等于20um,这个限制在分段式模型中仿真器就会报错,为了避免仿真器报错,通常将栅宽很长的器件分成几个器件串联的形式.

basil

有公式可知VGS=VT+sqrt(2*Id*L/(un*Cox*W))（假定工作饱和区）
9 u0 c& ^# w& n( _" \/ V4 E! u- @三个相同的管子串联，沟道长度=3*L，这样就可以提高VGS电压，
7 {" F4 V; f- B1 ?6 i& P6 F增大管子开启电压。
至于为什不直接采用一个管子实现的原因，我想：一方面是固然有画版图的
7 |# C# X% U3 c6 K4 R% F+ Q9 _因素，另一方面可以看到三个管子的VGS的电压是不一样，三个
管子的导通的顺序是不同的，这样就是逐级开通，从M6到M5,再到M4，而采用
' T: t) x4 D$ P6 L) J8 F. }4 C单个管子就不能实现这个功能,大家可以仿真一下，两种转移曲线是不一样的。
7 j. r/ I) z' C( H; }& E
/ Q2 C+ q( v' B8 E; t[ 本帖最後由 basil 於 2008-12-13 11:47 PM 編輯 ]

Zuman

原帖由 semico_ljj 於 2008-12-9 09:54 PM 發表
* t- m* X1 ^$ n0 e- A5 Q有没有注意到设计成3个串联的1/20,和一个1/60的NMOS有什么区别？考虑过麽？

/ P  ^: |4 N2 W& C7 {我觉得相对单个管子，这种并联的静态功耗比较小，因为电流比较小！
: f9 Y) J6 ]# M5 @& H
[ 本帖最後由 Zuman 於 2008-12-13 09:57 PM 編輯 ]

semico_ljj

有没有注意到设计成3个串联的1/20,和一个1/60的NMOS有什么区别？考虑过麽？

caesarxl

明白∼
1 x) j1 h+ g. \" R" ]- r/ ~3 I2 W只是，这电路图没有画完吧？
怎么前面一个inverter没有输出？？？后一个没有输入？？？

hyseresis

原帖由 hyseresis 於 2008-12-3 11:19 AM 發表
+ M& Q! X- F  u- D請問各位大大
# v- @1 Z' k" K2 @) |請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？
為什麼W=1U,L=20U,是為了提高阻值嗎？
這樣疊3個MOS有什麼作用ㄋ？

: D1 x6 |. v0 s& b: ~: A. e: v. a
) I% z6 h7 V. n自己跑過模擬後就知道了
原來功用是可以拉高threshold

ukyo

這叫MOS串聯，
M4-M6可以看成是一顆
W=1u, L=60u的MOS

這是為了把input threshold向上拉高