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[問題求助] 如何實現layout

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1#
發表於 2008-10-24 11:35:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下在.35um的p-sub製程中,如何將nmos的body和source接一起,而不接地?
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2#
發表於 2008-10-24 11:51:39 | 只看該作者
沒辦法吧
" N) a9 u7 L, S, Q5 p7 V6 _) F5 x3 J8 D: e
不是違法電性$ F% @9 d0 i6 ]' v) t$ t

) f! R% D& z; m6 a5 r8 g+ f  _我是這麼認為啦
6 m% D4 m" L' Y1 C1 S% x$ e
7 ^; B8 \& s' N  S# G可能有錯誤=.=+
3#
發表於 2008-10-24 12:32:42 | 只看該作者
Dear deg326 :
- a' o( \8 ^% U+ a 你要把 nmos 的 pwell 跟 P-sub 隔開,
3 c. A1 K: a# U$ c+ S* }, r Process 上你就須要有 Deep-nwell 這一道製程 (dnwell).+ b( F4 f9 H1 T% D5 r" \
; j! C* R9 }( w
如果沒有 整個 nmos 的 buck 是跟 substrate 是連在一起的ㄛ.
* m4 P9 Y5 a+ J5 U+ {# ]6 ~9 z
" L1 [! u  _3 r+ S' g3 L& X共勉.
$ w: X- G$ G8 I- f. ~
4#
 樓主| 發表於 2008-10-24 14:52:47 | 只看該作者
感謝各位大大的回答,小弟要的答案已找到= =+ 。
$ p1 q5 C8 @- L# B/ l. J+ N在我使用的製程中,不是twin well,也就是說沒有dnwell,所以只好改變接法了。
5#
發表於 2008-10-26 11:43:17 | 只看該作者
很多製程不是都有ISO NMOS提供給使用,4 q7 U; a! P7 f% D
這樣NMOS的S%B就可以不用接GND。
6#
 樓主| 發表於 2008-10-27 10:23:50 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

小弟剛找了一下4 I/ ~, i% K) D! I
lvs檔中並無iso
6 `/ C3 o1 F) Z# f, ~不過還是感謝大大提供這訊息
! G! |, a; K  D+ F! t; J至少以後要這樣做的話
6 b( b  y' M4 t. t, _* Z可以有個概念
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