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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:4 i( Q; h- R3 q4 F" o7 _* j1 D9 a5 I
•汽車點火器用IGBT單管
; G3 B4 a4 A+ b* {針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
) y/ p3 X8 g6 L7 n9 }% k•新能源汽車用IGBT晶片及模組
! k0 [2 ^& h! b針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。7 B: a" C9 K& O
二、技術指標% K; ~9 b8 l. G, B) l5 p; h
•汽車點火器用IGBT晶片及單管: w/ O% Z& z2 Q' U% |4 b
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
6 Q4 i- K r; v% W1 o0 E; k4 r集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
/ d' _; g+ ~5 r F集電極直流電流 IC 10-40A ~4 U! Y# t6 q7 `* p- ?3 Z
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
1 k; S' ?' Z0 D+ u•新能源汽車用IGBT晶片及模組* B1 ^, j6 q% K) H
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
$ [- i1 W) B1 v2 w. @8 q; W集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V2 y" {& s+ ~1 q7 T, X+ A( ?. p
集電極直流電流 IC 100A 800A" X3 t, t! G+ i I* v7 Z
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
! M' S5 U/ F4 m8 m1 j# k三、經濟指標/ o2 `# V. b( Q4 j* q8 Q
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
3 x- V3 w0 ?# M( [0 k7 w•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。3 j8 H0 h' d/ F8 J6 ?
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, n; F: K' E0 g G" m$ n4 \合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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