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美光推出第三代低延遲記憶體 RLDRAM
美光與領先晶片組和客製 ASIC 設計公司合作開發高頻寬、低延遲網路解決方案
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(台北訊,2010年7月14日) 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM (RLDRAM○R 3記憶體),一種高頻寬記憶體技術,能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用和雲端計算的蓬勃發展,產生了對更高效網路基礎設施的需求,以能線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比,美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度,同時將延遲減至最低,降低了功耗,在網路應用中效能更好。
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# H/ x ?2 C5 M美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示,隨著網路內容消費的不斷增長,人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術,美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。- J$ ]8 F3 Q5 ]8 e
對於現有的RLDRAM 2,美光將繼續提供最高水準的技術支援,並計畫長期生產該產品。此外,美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程,提高系統效能,降低功耗。1 |5 D: w6 P6 c5 ]7 j( h
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RLDRAM 3記憶體產品特點8 C6 Z8 v" `* W8 ?1 c6 w: o8 t- P
美光新的RLDRAM 3記憶體的主要特點及優點包含:6 n) M5 K7 r* G& y+ F% Y& y# r
低延遲:tRC不足10奈秒,隨機存取延時為業界最低/ K5 \: g, t I, P3 f% G* t4 z7 B
高容量:576Mb-1Gb,靈活性高,可用於多種設計4 O7 E0 T3 A) }% q/ S) U
高速率:達2133Mb/s,資料存取速度更快
2 }4 I1 N1 f% ]% v+ b9 U 高能效:1.2V IO和1.35V內核電壓,更省電 |
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