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[問題求助] 模擬時要過幾個 Corner 才敢去 taped-out?

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1#
發表於 2008-8-13 23:36:51 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問板上的前輩,在模擬時你們都過幾個 Corner?
+ v# r- A# f, P5 c, M7 R! w- g  k7 J. }6 p5 y/ L6 m7 e
我公司的學長是說過 SS@-40, TT@25, FF@135 這三個就好5 q& E! P6 b, E$ ~$ ]4 @
也就是不跑 SF 與 FS0 I3 M6 m5 J  _# f
) H- ?' `/ {  ^5 P0 y, J+ i
大家呢?
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2#
發表於 2008-8-14 11:16:53 | 只看該作者
TT@25:這是一定要跑的
( Z$ \5 a6 Z& F5 ISS@-40  FF@135 : 這二種情況是最差的corner,如果都過的話,SF FS應該都會過,而且如果有用到BJT的話,有的Lib 就沒有FS SF 這二種corner可以跑。
, D; y! ]4 v/ x$ t8 p( v而溫度也是看應用啦,有的低溫只要到-20 高溫到80度即可。
. o/ Z5 K8 P/ s8 m# E# v% m% M
$ O3 ]) M. q- ~' t- s/ n4 b4 T6 g1 u[ 本帖最後由 poseidonpid 於 2008-8-14 11:19 AM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-8-14 12:01:37 | 只看該作者
原帖由 poseidonpid 於 2008-8-14 11:16 AM 發表
" J: [- o4 l. b5 _0 U* J! tTT@25:這是一定要跑的- F  Z3 `; e5 Q
SS@-40  FF@135 : 這二種情況是最差的corner,如果都過的話,SF FS應該都會過,而且如果有用到BJT的話,有的Lib 就沒有FS SF 這二種corner可以跑。
3 Q0 Y8 ~! ?% e而溫度也是看應用啦,有的低溫只要到-20 高 ...

) |9 D1 L) _0 Q& H% g5 e( ?6 M; ~& c7 [; @" }" k1 k
對了,那請問一下" D0 ?" \! A  G
, ~" c8 `, i3 Y1 `
如果要跑 SF, FS 的話,溫度是定在  25度就好了嗎?
4#
發表於 2008-8-14 13:16:42 | 只看該作者
一般來說,只要跑TT,FF,SS就可以了
2 ~( b/ V  V  h  }: R! j* l! J( K" v不過,如果是要負責產品的,我建議SF,FS都要跑,而且要配合高低溫變化
) z) z/ b) Y) V一般來說,製程的漂移絕大部份都會在TT,尤其是TSMC或者UMC之類的製程廠,其製程技術都己能夠控制的非常精準
) \" Q3 h+ k# k$ Y0 Z3 n; b) t不過,如果是二線的製程廠,或者大陸廠,其實製程的漂移量還蠻大的,我曾遇過TT,FF,SS都符合SPEC.,但卻fail在SF或者FS corner,原因是製程廠的漂移量太大了,導致PMOS和NMOS在兩者最為極端的情況(SF和FS)跑到loss control的問題! j. F2 o9 n4 Z/ X

3 \: U$ @4 [0 e7 ?9 P經此之後,我的要求就變成:若是一線的製程廠,確實TT,FF,SS應該就足夠了,但如果是二線的製程廠,那我會多跑SF,FS再配合高溫和低溫的變化,寧可在tape-out前多跑一些corner case,也千萬不要拿自己的設計能力的信譽來跟製程廠的技術對賭

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5#
發表於 2008-8-14 18:00:47 | 只看該作者
我推薦45種corner都要sim$ ~, Y' w1 w7 u$ t) ?- s
至於是哪45種..(TT,FF,SS,FS.SF)*(125, 60, -40)*(highV, V, lowV)=5*3*3=45
+ U/ W$ _7 I" T5 n0 u相信TT,FF,SS,FS,SF大家都知道
: E9 ~" P7 G5 w5 g. X3 E  x! P125,60,-40是溫度1 |& K0 W/ J- S
high V, V, low V 指的是VDD的變動..一般是+-10%
+ A. q0 v; Y6 c: K9 _因為之前有做過一個chip..就是沒check過全部的corner..剛好在很特定的情況下chip會死) b( K  y7 g0 z) o: ~# b
畢竟...在chip tape out 之前..怎麼sim都還來得及) |3 e) k2 W: z: L  g, r
等到chip tape out...就一切都來不及了..畢竟每改版一次..都是花一大筆錢..
% I0 F) U( q) K/ L可能你會問..45個corner..有必要嗎..???.
9 W. K5 Q) \0 Q  S4 O可以利用script來減少你sim的複雜度...
  y5 X6 T4 ?* s; a相信我...事前工作做的越好..總比等到chip回來之後被老闆叫去罰站來的好...
6#
 樓主| 發表於 2008-8-14 18:07:03 | 只看該作者
原帖由 billywei 於 2008-8-14 06:00 PM 發表 3 q" N0 X& R' _: }+ k
我推薦45種corner都要sim
* `; }" |4 z5 H+ p0 @至於是哪45種..(TT,FF,SS,FS.SF)*(125, 60, -40)*(highV, V, lowV)=5*3*3=45/ z) c. Z& {- C* P, v; l' ^
相信TT,FF,SS,FS,SF大家都知道
$ f6 G7 }+ y+ h# g3 ?! N& |+ w% {* c  d125,60,-40是溫度
7 K; S% o8 A1 c" Zhigh V, V, low V 指的是VDD的變動..一般是+-10%
; ]3 v# o5 y1 ~. P# E因為之前 ...

- X9 K+ ?3 N# L% ?0 v' s# o1 z7 }# |+ g0 ?/ f1 y9 R
雖然可用 script 解決重覆輸入的問題,但有時大電路 sim. 下去就1~2天的...有的還要 sim. 好幾個星期(ex. sigma-delta modulator)3 V( C/ O+ Z8 P, P( q
# u7 m; \8 T" S! ?  y
45個 corner 都跑完的話...嗯....好像有點困難 -.-
! [+ @, g# P# W, }  @# k4 ?( W2 c# @  q: H
而且如果一次丟滿全公司的工作站,那其他人不就不用玩了 XDDDD
7#
發表於 2008-9-2 19:24:28 | 只看該作者
日本某公司(做MCU的大公司)規定要模擬405個條件才可Tap-out...$ J( A) _+ Q  Q% O; U( [4 W# d0 I
我覺得最重要是由CHIP的單價決定....
8#
發表於 2010-9-9 10:08:04 | 只看該作者
我們這邊以前做過一個電路,沒有跑過工藝角,流片回來竟然還能用4 |" e) H3 J+ x6 g1 z7 w4 |
前兩天我跑工藝角,竟然還有人問我在幹什麼。。。。
9#
發表於 2010-9-28 15:59:23 | 只看該作者
我個人的習慣是做block時就把corner, 溫度, VDD, 電阻這四種的variation都組合跑過
4 x! J1 w! w9 r/ k( ?5 K3 j但有些是你在選電路架構時就會先考慮了: E8 T+ J" Q) ]2 n6 D  A& V
例如VDD variation的影響(PSRR, cascode不要壓到...,etc.), R variation影響(type, matching, TC..,etc)
1 `. |7 e$ C! D等完成後就可以縮小到跑corner+溫度就好, 有時間再把VDD 跟電阻加進來驗證
: T+ A; z, h& @& V' gSF, FS 有時很tricky, 若你電路裡有P/NMOS串成一串的電路, 而且會應用到其Vth特性時, 建議要看一下~~3 {# i$ i) ?( y7 X1 g, D
+ c' s6 p& r2 f, v" J& p4 L# Y& ~, r
若每個block都先check過了, top整合時就挑幾個critical case跑, 時間越多就跑越多組
10#
發表於 2010-10-5 19:25:21 | 只看該作者
還得跑下monte carlo吧,我前一段聽有人說他們MC要跑100個點的
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