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凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前推出LT4275 LTPoE++™、PoE +和相容於PoE的受電裝置(PD)介面控制器,主要用於要求達90W電源之應用。PoE +限制了PD最大功率至25.5W,這對於提供新型的高功率需求應用,如微微蜂巢式基地台 (picocell)、基地台,指示標誌和戶外攝影機是不足的。凌力爾特的LTPoE++標準透過將功率規畫擴展為包含四種不同的功率位準(38.7W、52.7W、70W和90W)而建構了完整的高功率LTPoE+ +系統,滿足市場需求。LTPoE+ +標準採用的分類法能輕易使LTPoE++供電裝置(PSE)控制器和LTPoE+ PD控制器彼此進行可靠的通訊,同時保持與IEEE標準設備間的互操作性。LT4275A (LTPoE++)、 LT4275B (PoE+)和LT4275C (PoE) 可僅透過一個IC便能有效的供電至PD負載。: i" u; N$ @7 a' N
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LT4275不同於整合功率MOSFET的傳統PD控制器,其控制外部MOSFET以大幅降低整體PD熱損,並達到最大功率效率,這對於更高功率位準相當重要。此創新方式可讓使用者按照其應用的特定散熱及效率需求決定MOSFET,必要時可使用低導通阻抗的 30mOhm MOSFET。LT4275可將PSE辨識為符合IEEE 802.3af 13W功率級的Type 1硬體、符合IEEE 802.3at 於25.5W功率級的Type 2 硬體,或符合38.7W至90W的功率位準的LTPoE++硬體,並相應供電。為達到有效的功率分配,PD使用者可配置代表PD電源使用的分類。100V abs最大額定輸入電壓代表LT4275的強固性,以及可在常見的乙太網路線突波情況下保護PD。可程式的輔助電源接腳具備署名損壞,提供支援至9V。LT4275還包括電源良好輸出、晶片上署名電阻、欠壓鎖住及完整的熱保護。# B/ f6 o! A% p1 ?' R/ R5 P
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LT4275具備工業和汽車等級版本,可分別支援-40°C至85°C以及-40°C至125°C的操作接面溫度範圍,該元件採用小型、符合RoHS標準的10接腳MSOP或 3mm x 3mm DFN封裝。以千顆量購計之單價為1.45美元起。LT4275提供對於凌力爾特現有PD產品的升級路徑,包括了LTC4265 PoE+ PD 控制器及對於任何凌力爾特最新PSE控制器的無縫連接,包括單埠LTC4274、4埠LTC4266以及12埠LTC4270/71晶片組。如需更多資訊,請參閱www.linear.com/LTPoE++
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$ L( ~6 B" b6 y/ o' F( ^LT4275特性摘要
c) f. G4 g- E$ d: u/ |' q• IEEE 802.3af/at 以及 LTPoE++受電裝置 (PD)控制器
: Z- f+ G, D! F$ Y2 x3 p- p• LTPoE++ 支援達90W的功率位準
: I8 f! H3 ?- i• LT4275A 支援以下所有標準:2 M+ h9 M- j1 t
o LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W & 90W# c& {, P2 \ A5 x. c+ H& l
o 符合IEEE 802.3at (25.5W)規範
( V* `4 |1 C7 U& J( f3 Vo 符合IEEE 802.3af (13W)規範 ( W( ~( N: E1 T1 s5 f, ?' A, Q
* C+ v7 N4 S2 m. b4 ^
• LT4275B 符合 IEEE 802.3at/af 規範
9 {( e1 R0 N, q• LT4275C 符合 IEEE 802.3af 規範6 Z' t% i% v6 I; N; k! A* U5 W2 J
• 100V 絕對最大輸入電壓
; D" [5 B# d8 O( k• 內建署名電阻
) o/ m# H: m" A# i" l$ F• 外部Hot Swap™ N通道MOSFET以達到最低功耗和最高系統效率
) b( k9 y. f( z# H0 M9 e# e2 z \• 可設定輔助功率支援至9V
% U! D* {4 F* a9 P• 採用10接腳 MSOP 以及 3mm x 3mm DFN 封裝 |
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