請問關於tsmc018製程裡面的pwell

tshiu

請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL
8 B: A& x- z( v; b6 ~PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎
(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)

tshiu

目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序
可以增加NMOS的參雜濃度

小緯仔

當你sub的電位不一樣時
4 B( J8 ?$ B: ~% b* b                                                   
也可以使用！

singt1496

通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…

motofatfat

看你ㄉ 製程 決定
& M+ E( Y* T# c, t! G2 t通常 T ㄉ  PWELL 光罩
都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來
' Q  A) u7 p5 H2 e7 C所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　
6 N' F8 |7 g- j9 y, z和　光罩製程資料
　
/ c( S0 ~, T  h" i3 G/ U/ L7 sPWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程