請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

answerbyme · 發表於 2010-6-6 00:13:23

小弟LAYOUT完電路後，有碰到密度問題，後來也補上各個METAL密度後，DRC後密度已經解決了...
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤，我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!

motofatfat · 發表於 2010-6-10 14:27:46

把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
才能知道如何解 , 不是TSMC 提供的這無妨
PAD CELL　粉多時候是經驗直

m851055 · 發表於 2010-6-10 17:58:10

請把rules的描述詳細說明，可能的話也把圖示PO上來。

answerbyme · 發表於 2010-6-11 14:50:59

回復 3# m851055
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!

m851055 · 發表於 2010-6-11 19:25:17

就把大於35um的Metal做個slots就好了，要不就是用多條小於35um的metal畫。

answerbyme · 發表於 2010-6-13 01:22:15

回復 5# m851055

多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
可否解釋一下...不好意思!!

m851055 · 發表於 2010-6-13 07:36:46

回復 6# answerbyme

大於35um 的metal在中心處挖掉metal，一般DRC paper尚有可參考圖示

motofatfat · 發表於 2010-6-14 14:46:42

slots  就是開個凹槽通常 2X15 或是 2X10
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
看看  有時候可以忽略

ponyshih · 發表於 2010-6-15 14:24:28

如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.

answerbyme · 發表於 2010-6-15 16:04:08

回復 9# ponyshih

謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!

nebula0911 · 發表於 2010-6-30 11:06:13

關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!

semico_ljj · 發表於 2010-7-1 11:53:57

理解slot 最好的方法是看Design Rule！

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