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[問題求助] 请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?

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1#
發表於 2010-5-21 15:14:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我准备用smic.18 1p6m rf工艺,需要在mim电容下面放器件来节省面积,有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?谢谢! s( t8 L# P- |- P  n% e! ?; _4 X
比如电容匹配性影响,寄生电容影响等,如何精确计算评估这些寄生影响,及后仿如何提取出这些参数影响呢。
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2#
發表於 2010-6-2 11:39:19 | 只看該作者
MIM底下最常放的東西是邏輯! [1 [6 m  T4 |0 J( U4 x
但是也要RD同意9 I: W) I/ |( h# Q: v7 D+ N. Q1 _' \, W
至於寄生電容收抽POSTSIM就知道啦
& c( H. @, C+ b' f2 C如果是很重要的電容要做match. F3 j7 z4 B$ [; ?
那當然不能放啦
& z5 o, M6 t2 J2 o要放也要RD同意
3#
 樓主| 發表於 2010-6-11 10:46:50 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
4#
發表於 2010-7-10 14:02:30 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。+ M4 l$ {( Q/ s0 {/ q9 q+ \: z
scy8080 發表於 2010-6-11 10:46 AM

9 @+ q; C6 h% Y' a2 S9 H, k
, X( V! i. t& X( j1 IFoundry的rule是为了保证MIM电容的可靠性和精度,实际上,我们在下面做过期间,不过我们的MIM电容和下面的MOS电容都是加在电源和地之间,起decoupling作用,是在HHNEC 0.13um工艺上实现的。
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