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[問題求助] MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去

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1#
發表於 2010-4-29 09:38:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去5 C/ U( {$ r8 p$ s* [7 |
可以跨的話要用什麼線跨MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去
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2#
發表於 2010-6-21 13:49:10 | 只看該作者
除非因空間問題經designer同意後才跨線,尤其是製程越來越精密,跨線過去就會影響電容值,chip不確定的因素又多一個.
3#
發表於 2010-7-1 16:17:13 | 只看該作者
最簡單的就是問RD 不然 就是要靠經驗去累積了   希望對你有幫助
4#
發表於 2010-7-10 13:53:12 | 只看該作者
常用的就是MOS电容,MIM电容,其它似乎很少用到了。5 N' {  _4 J; e9 z9 j5 r- }; w# @
从不增加寄生电容,从而couple 信号到电容上这个角度,尽量不要走线;* z; a) f* V# K" I+ E- z& I; K: p+ O
但是在MOS电容充当decoupling cap时,上面可以走线;MIM电容一般都用在对精度有要求的场合,一般都放在Nwell里,来隔离衬底Noise的影响,因此在下面走线基本不能考虑。
" h3 u7 ]" K; g4 U总之,首先看电容的构成,再看电容在电路里的用途,不是绝对的。
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