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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?* O; c' f3 Q5 o( C4 @
有好多种cap啊, W8 C2 ?- t$ g
pip 两层poly作两极板! w. U% R, n' w: V
MOS cap  就是PMOS&NMOS管
4 h; f3 @9 I0 v, }! {/ uMIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板. u3 W2 W! D* r0 \6 P9 D7 M
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff
+ l; q" D" \. a4 r' N: g等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um
1 ^' l5 l" Y, `' D. b8 s7 N/ |' |在畫 POLY2      Z um X Zum
9 K: g# X" J! B) _; v通常  下層版 較大  RULE 會有
! t! p% p6 A6 }1 e/ N# j做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1; X; M; ^6 Z( d$ N2 n3 S
做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2$ u( _8 n% t" r  a/ w: E5 m7 P  _
X & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~1 x/ ?! J' n  ?& q/ ^; J4 J7 X7 {
你可以去看看你是否有申請~
- o  l4 E$ ^9 N$ W8 W& l" R, j這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~) @; ]+ H1 G) ~6 j4 }6 H5 Q/ e0 o- D
由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...
5 G8 s; t: G1 V5 b5 q3 H& [* a但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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