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新的P3MS650100H及P3MS650103H 低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS) 降低峰值EMI時脈產生器非常適合用於空間受限的應用,如便攜電池供電設備,包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰,而符合相關規範是先決條件。這些通用新元件採用小型4引腳WDFN封裝,尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些展頻型時脈產生器,是提供業界最小的獨立式解決方案,及在時鐘源以和源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI。 & l) k. T2 Q: |% w' D3 D
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P3MS650100H及P3MS650103H支援的輸入電壓範圍為1.8伏(V)至3.3 V,典型偏差為0.45%至1.4%,在時鐘源降低EMI/RFI的頻率範圍在15兆赫茲(MHz)至60 MHz。工作溫度範圍為-20 ºC至+85 ºC。
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安森美半導體定制工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說:「需要符合EMI規範同時控制成本及把印刷電路板(PCB)佔用面積減至最小,是行動應用的重要挑戰。我們新的降低EMI IC克服這些挑戰,提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI的高性價比方案。設計工程師在設計週期及早採用這些元件,可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或遮罩來處理EMI/RFI問題。」
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2 R) W+ _! U1 ]$ j1 K* Z5 a安森美半導體計畫在2012年第1季度推出這系列更多針對不同頻率範圍及衍生版本的IC。
' t( i% s! V* P, B3 a) M6 P# eP3MS650xxxH採用4引腳WDFN封裝,每批量10,000片的單價為0.37美元。 |
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