bandgap referece中的ＢＪＴ

tiantsmart

bandgap referece中的ＢＪＴ的电流即ＩＰＴＡＴ的电流一般取多少啊？与什么因素有关？或者受什么约束？
! }+ D, Z0 I# J- o) V
  v1 `- }/ G4 p: O5 u: Y
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[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:49 PM 編輯 ]

tiantsmart

谢谢给了高亮，有请大大们给个解答，我还是个新手，最近在做bandgap reference,请指教！

iamif520

這很重要耶~以後要做完整的電路也要有Vref這塊~
懇請高手賜教

tiantsmart

怎么没人解答呢？是不是我的问题太简单了，都不屑回答呢？

semico_ljj

以前倒是没有考虑过这种问题

finster

這個很難有肯定的答案
因為不同的應用與產品,所訂的規格與要求就不同
若以SOC或者給PLL,ADC等類比電路,基本上我都是訂10uA,會訂這個值最主要是因為剛好整數,而且容易藉由這個current來產生出其他所需的voltage or current
8 z9 c0 u6 D% _另外,我以前有設計給LDO電路所需的bias voltage and current,它的current就非常小,在正常操作下就要小於1uA
% ^# i: u$ M5 F3 Q1 S1 h所以,不同的產品屬性所需的current就會不一樣,很難有肯定的答案

semico_ljj

"小於1uA"设计有个问题，电阻就会很大，这时会引入更大的噪声！
实际电路这么小的电流没有设计过，不知有没有什么要特殊考虑的地方？
谢谢！

shaq

原帖由 semico_ljj 於 2008-12-5 02:33 PM 發表
"小於1uA"设计有个问题，电阻就会很大，这时会引入更大的噪声！
% k& C5 m: R  h# `; {' y实际电路这么小的电流没有设&#357 ...

1 i( ]1 l$ Z6 y0 M; |0 l" f! \( F: C
% A2 m* n+ J- G電流基本上可以流很遠啊，電壓比較怕 IR drop
5 t  Q* _) n6 }9 I
/ T+ ?! ?! A. x, Z想請問您「�阻就�很大」是指？？

lightgo

噪声应该是一个因素吧

guang3000

见过反向的和公司的，在50uA左右，个人觉得op的mismatch问题更难弄

Sgw

同意樓上說的，OP的mismatch和offset真的很難搞，不知道有沒有大大能有效降低這些效應…

guang3000

见过反向的和公司的，在50uA左右

( q* o2 T+ ?( s7 _" ^- o6 b
, _3 u+ k- A; U/ e6 f! Q6 D+ Z我指的是两路的电路总和，单路25uA左右

122013137

粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])

122013137

粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])

nesty.tseng

OP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
' }/ `, o( x( w) v' ]公式推導可以看razavi的書

frankiejiang

原帖由 nesty.tseng 於 2009-1-9 02:53 PM 發表
! F+ w! t: s; k' i% COP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
% {, p3 f1 ?  g9 K公式推導可以看razavi的書

6 V: I- V9 {7 G, @3 v; i; r请问大大这个在第几章第几节？
谢谢！

allentel

Chapter 11 Bandgap reference

11.3

馬蓋

請問在bandgap 下的 bipolar PNP 的 beta 要大於多少阿 ? 如果只有20  會影響到準確度嗎 ?

sjhor

若是寄生的 bipolar 建議去問製程廠所提供的，
因為它們會知道使用在哪一個範圍會是一個較佳的值。
他的變異和限制都會比較了解。

mycmf

製程廠給的BJT通常不準, 必須找方法作Calibration