请问：TSMC工艺下画版图遇到的问题？

lily3637

1画版图的时候出现这个的错误提示，如何解决？
1 T, D  s# b6 d. mLAT.3P { @ N-well pickup OD to PMOS space > 30um
  NWELi_US = SIZE NWELi BY - 0.085 // 0.12/1.415 = 0.085
  // 30/1.415 = 21.201, (0.6 + 2 * 0.085)/1.415 = 0.544
% T% W" {) `- T3 S5 Y; w  NTAP_OS = SIZE NTAP BY 21.201 INSIDE OF NWELi_US STEP 0.544 TRUNCATE 0.544
  PASD_FAR = PASD NOT NTAP_OS
. s+ \& J- h4 ]# g8 c! E5 U/ n# s  PASD_FAR_FILTER = SIZE PASD_FAR BY 30
  NTAP_NEAR = NTAP INTERACT PASD_FAR_FILTER
  // doing an more accurate sizing
+ b- p& L7 ?; _( P) n' u; m, p  NTAP_NEAR_OS = SIZE NTAP_NEAR BY 0.10
  NTAP_90_CORNER = INT NTAP_NEAR_OS < 0.06 ABUT==90 INTERSECTING ONLY REGION
5 i& z3 m$ A% a  A  NTAP_OCT = NTAP_NEAR_OS NOT NTAP_90_CORNER
4 y" P: U; }* A2 l0 |* I0 f  NTAP_135_CORNER = INT NTAP_OCT < 0.04 ABUT>134<136 INTERSECTING ONLY REGION
  NTAP_HEX = NTAP_OCT NOT NTAP_135_CORNER
  // 30-0.10 = 29.9
  NTAP_HEX_OS = SIZE NTAP_HEX BY 29.9 INSIDE OF NWELi_US STEP 0.544 TRUNCATE 0.544
' O6 t( ~/ a. E. N4 D/ T: y  PASD_FAR NOT NTAP_HEX_OS
/ ]& C8 E) U$ [9 q3 K2 u) ]}
2.PMOS衬底要接VDD，请问要怎么接？

ulf

這條是再說pick up不夠密集吧?
6 q$ }  }2 J2 P  X因為rule規定30um之內要有一個pick up
" A  P& F9 d* c! \  BPMOS的話 就是給個VDD的pick up吧?

5 Y; r# i( B; ?0 a應該是這樣吧? 因為我也是剛接觸的新人
% X/ u2 {1 ~  G請多指教 謝謝

. E" v+ D+ o1 g( \怎麼接..
- @- L- E* ?& s# R; o就作一個N+ OD 然後從VDD接電源上去給它
這樣就是PMOS的pick up了

* p& _: y: Y: A$ v/ T% l[ 本帖最後由 ulf 於 2008-8-15 11:09 PM 編輯 ]

瓦片小屋

这个就是你的电源与地的衬底打的不过密集，与衬底连接的两个点相对于你报错的地方都超过了30um，所以才会报这样的错误。

o_alice

多加点subtrate，这对layout是有好处的。

linger809

这个问题指的是你的nwell pick up和pmos距离太远了，虽然pmos的衬底也是接到了vdd,但是由于距离
太远，衬底偏置效应就会很严重，所以报出来的结果是有LATCH UP风险，最远的pickup只能是30um,rule
3 b% h4 ?' I6 ~: z规定不能再比30大，>30　LATCH UP风险就会变的很大.同理nmos是一样的道理.

motofatfat

PICK UP  指 BODY 那個 PIN 轉換成 LAYOUT
. k3 Z1 i6 ~2 ?0 R7 C- `PMOS ㄉ BODY 是 NWELL    用 N+OD 連接  即 NWELL 中 ㄉ N+OD
- p  s! K" N: |# INMOS ㄉ BODY 是 P-SUB     用 P+OD 連接  即 P-SUB 中ㄉ P+OD

terriours

这条rule是为了防止latch-up的，意思是说你的nwell的偏执做的不够，应该在每30um的地方有这样一个nwell的偏执，只要在每30um的地方加一条nwell偏执就可以了。