誰能為我解答，感激不盡

lucky

我在跑DRC時出現的問題，這是什麼意思呢?
1 `' H, \% H3 q- d5 Z
. Y- Y0 F3 j4 M5 BN-well pickup OD to PMOS space <=20um
9 G0 y+ K' F* `9 U
- E) ~0 t4 l$ ^) |
5 ]( r- N5 Z. \煩請為我解答感謝

frankaurora

意思是pmos的衬底接触与pmos的间距大于20u，带来的影响是会有latch up

despair

同樓上大大所說，這意思是指N-well 的substrate contact到PMOS OD中
$ y# p* R& {" ~8 |! `的部分區域距離大過於20um。

3 M; n% W0 x7 o8 |' ]通常會發生在mos圍上pick-ring時過大，導致mos離picj-up太遠
, U9 `7 J* {+ R9 H+ p( Q( @或者，mos本身w過大（大多超過36um以上），mos中心點位
# F- q+ @6 O& z: [* T, R% u置離pick-up太遠，超過20um也會有同樣的狀況。

lucky

感謝各樓上兩位大大的解釋，真的很感謝^^