2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：
$ u' U& [6 q3 \2 A
0 b. W. y" j: o' p/ G不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，
# r+ W( d/ ^7 D  E6 _
在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

MC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10
  k0 h' q5 X& N/ o
; u. Q& X1 O" m2 s上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

* r$ E! i& }7 p: J6 n% J0 n: L8 L( p是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?
0 W8 r1 X2 j+ e. E
麻煩大家了

KKboy

4 R: C, a  H  L8 @* H' F, }5 O6 F
as200112同學 您好，
7 l$ @, f1 ]" k0 e$ @好巧不巧我去年有比過此比賽，
) i5 Q: b  U5 P* H' m7 K" g* l6 g. C我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
/ N, J8 m/ K, W此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
+ E" _5 j! ^6 X' f(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
DNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
& @- s2 ]' `# D1 Q' `( D如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
( t1 z; E. V# t7 f但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......
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  X# |0 ^% ~; P/ Q! G8 K如果有錯請見諒
( H1 f8 T) @1 B  i8 @: {* n6 A希望對你有幫助，祝你今年能得名。