6/22 新竹 JEDEC最新行動裝置記憶體標準系列活動- 行動裝置記憶體高峰論壇

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6/20中國深圳, 6/22台灣新竹, 6/24韓國首爾巡迴舉行
摘錄JEDEC 5月23日於美國維琴尼亞洲阿靈頓發布新聞稿

由JEDEC固態技術協會主辦，各區相關協會單位聯合協辦之 “行動裝置記憶體高峰論壇(MOBILE MEMORY FORUM) ” ，將於6月20日於中國深圳、6月22日於台灣新竹及6月24日於韓國首爾巡迴舉行，發表最新行動裝置記憶體元件技術之最新標準，特別邀請相關設計工程師及業界先進蒞臨，本活動聚焦最新關鍵行動裝置記憶體設計標準及發展，這一系列活動將聚焦於以下幾個主要技術及可能受到衝擊影響的記憶體元件市場，包括: Universal Flash Storage (UFS), LPDDR3, WideIO and Solid State Drives等。

LPDDR3
規格標準主要為下一世代之智慧型手機(smart phones) 及平板電腦(tablets)等應用提供高速頻寬(6.4GBps-12.8GBps)而設計. 同時LPDDR3仍承襲LPDDR2 節能省電, 快速時脈切換 等諸多優點.

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WideIO
& C9 A! H3 m  m* ]因應手持式行動裝置之高速頻寬需求, JEDEC 特別制定WideIO  規格標準,該標準為一突破性技術,可應用於手持式遊戲機(Handheld gaming),智慧型手機(smart phones) 及平板電腦(tablets) 等行動裝置. WideIO 並結合先進之3D立體 堆疊封裝 及矽穿孔技術 (Through Silicon Via-TSV) , 特別適用於需高速頻寬(12.8GBps)之系統封裝(System on a Chip-SoC) 使用. ( 如3D Gaming, HD Video等)
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UFS
因應手持式行動裝置之高速大容量儲存需求,JEDEC 特別制定通用型快閃儲存系統(Universal Flash Storage-UFS)
  e, c$ \8 |# B4 u; f4 q規格標準,該標準可同時適用於箝入式(embedded)及可移除式(removable) 之快閃儲存系統之多樣性需求
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+ t% M+ L, V8 p; XJEDEC主席Mian Quddus將蒞臨主持開幕及座談，他並表示: “對行動裝置元件表現，預期持續增長，也取決於是否滿足對多變的行動裝置記憶體解決方案之需求，與會者將透過本活動，將能探索到行動裝置記憶體先進技術及新標準是現今及未來最有影響力的應用，及可預先發現潛在的衝擊”

邀請您蒞臨6月22日於台灣新竹國賓大飯店舉辦之行動裝置記憶體高峰論壇，JEDEC或TSIA會員免費，非會員NT$500，歡迎媒體朋友免費蒞臨參加上午11:15舉行的Panel Discussion，請盡早上網預約您免費席次http://www.jedec.org/events-meetings/mobile-memory-forum-taiwan