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提供一個之前用的方法,
9 p, l- |' `; H$ t# j+ q |由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
+ u) f# z! Q& @; u: m在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
2 R( x* t$ S* lVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
: h7 ?/ i; W& J# R$ O" l' V
" U# o# ~ f) ~4 u1 c5 q由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)6 P" F0 G2 j, b9 U
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]. `4 U7 V0 {- h0 d/ H
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)) ^9 q0 D$ _# v3 X4 {# E+ G, i8 I
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
, }1 `# f$ O% C5 f6 I6 V, k1 i* _3 W" _8 X
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
- H P% G$ m: A' \: O# oKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
: p- i% V" X: Y: z1 m = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]1 g* e3 o$ I- c: D- o
, T- M+ d0 J# d( d! D之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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