|
主要規格5 F$ j; K# x8 \. d$ I. R& O
: V2 z! v, f9 i: I• 低導通電阻:18.4mΩ
. Q( A. @- b0 E# ]3 e3 C$ F! N• 低工作電壓:0.75V
2 K5 }1 F- L$ B2 q N' z3 C4 A; T• 低待機電流:0.6UA[4]
' t/ d' N6 n8 v" u# m5 Z! F• 反向電流阻隔電路 , ?; M1 i1 ^( S5 V% L J
• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)
: V$ f' f+ t) S& h# d+ {) A. c• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) ( d7 m) Z" K, O/ J0 l) W# K
4 h f8 u& Q0 F r/ u6 o
注5 F7 R' D B6 b7 q
[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。& \6 \' E F' x, v: B
[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。6 _+ ~, x# s+ J: |' Z1 Z/ ~
[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。% D J2 k/ P$ e4 B% f
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
|