metal走45度角有什麽影響

sudaren

各位大大，請教一下metal走45度有什麽影響呢？謝謝啦！

shkao0201

1.減少銳角以檢顛電場強度.
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.

veteran

走線距離變短，RC delay相對變小。

  Q1 E. Q3 v7 u" sVeteran

ecalfs

reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
可提高metal 可靠度 .....

sudaren

謝謝！！！metal走45度對作mask有沒有影響呢？

semico_ljj

没有，可以用135度转角尽量就使用！

sudaren

这么说来，45度角很有优势嘛，为什么在core cell中很少用呢？各位大大，帮我解答一下啦，谢谢！！！

semico_ljj

在自动布局布线中，工具一般不支持

ponyshih

因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.

sudaren

謝謝大大們的分享，感激涕零，在這裡真的能學到好多東西哦，尤其是我這樣的新手。

katherine

謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看

clarkhuang

只要你可以避免OFFGRID 都沒問題

OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看

fuzzyer

尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
) m5 _: O+ N6 g# t但是 45度斜角  有時是電流的關係

yytseng

45度角
( V* Y; S# C( J+ w1.DRC 檢查軟體運算時間++
9 O- j/ k5 t) a2.RC Extraction 不準 運算時間+++
3.P&R 時間 +++
- i: F8 T: t$ G+ l& U$ c4.最重要的原因 製程良率 ----
$ J9 D8 g5 e( z
/ }) T0 C) `! j) z6 S$ ~2 k7 HCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
* Z; m/ t5 n8 f; l8 B# h* p所以 90度角 還是證明他的價值存在

. B/ \7 y- s0 i/ G至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況
# W, M( q9 v+ c4 M6 g" j) `5 u0 A而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢

katherine

謝謝大大的分享，非常需要，GOOD!~~~

clarkhuang

就這問題跟幾個朋友討論了一下

  K2 x* B: z. W/ b得到以下結論

目前的製程技術已經到哪邊了???
你所需要的製程技術是否需要???
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
" p% I; k3 s" r8 \8 Q4 @
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
7 @8 s" y8 ^3 ]
8 L  v6 y' _, x. R我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
) C5 {: i, y4 Y/ p; y7 `+ p
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)

重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
3 _9 Y' g8 W5 t$ c) T2 n" Z/ a
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝

雷迪斯

進來看一下
/ n0 S- L8 H- q* j' d* @又學到好多事物
  ^: [. a# l; F8 q$ m! ^第一次知道layout可以90度以外
# b$ g% S& N# c- Y! {2 J3 f$ I謝謝!

tshiu

高頻電路才有差啦
我同學做SAR ADC因為速度慢
繞線其實有接到就好了
1 h0 R! H' }5 w6 j4 O直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
做sheilding保護敏感的訊號比較重要

ncLM

一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些，综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。

allenapi

在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?