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就這問題跟幾個朋友討論了一下6 \9 B' e, F+ F5 c) C: ~! @/ ~
8 u6 \* _8 T8 {/ e2 a得到以下結論, q# d) w+ i8 c3 ], [! f) @
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目前的製程技術已經到哪邊了???3 _! g4 c; C- B3 O2 Y3 @: R: H
你所需要的製程技術是否需要???
* i2 N7 f0 m7 H( a* j! MDESING rule 都會注明是否可以使用45度角使用
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' v4 I7 X9 W" V9 D9 \" K其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了
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: X) U; {- K7 w9 h+ u我們可能拉一條線 FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
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$ @' P, B4 U, E0 C" w9 _* K. }2 R( |+ m所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)5 h* \; f+ c. {
V4 Y6 c( A( F重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的6 o' j, b; D1 e1 b( q# e
8 J5 h |2 a) ?$ J1 n如果對上述回覆有問題請多指教 謝謝 |
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