bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
: d- b7 @" p& r6 K& E可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
' a: d7 a0 C$ N& C! @.35製程
op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
請各位大大幫忙
# g0 A) Q0 r$ j) V) M2 c0 S
0 s2 {7 m) J# k9 _9 S
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
1 x2 v" Y, G6 x/ M( w$ I; jbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
% P) {6 d0 s+ Q$ P' k+ i, \bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
' @/ L5 @3 S$ c+ A$ SBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

* k: ]- Y: B: ]5 M: `
& q* k: f" d( Z/ y
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
; i5 n9 s4 g+ m" Z" G) t至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
( I) E! c' c9 b6 x9 x! K
如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
5 O( E4 C: U" K2 Y8 E5 W) Q我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
( [& D# z& {8 l# @* F2 d* K5 j這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
% l9 o' m  Q$ N' ?$ f. C我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
% C5 ?* g- e: ^, ]$ o/ G7 Z- F! ]
你還是秀圖吧~~
1 p) M8 M% |/ `. F) ?1 I
. V$ v* v, l" a1 [5 V; `mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

帶差:

大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

但是我的OP增益卻下降到很低
: U* R  w2 d3 H2 m壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
5 `( e+ Z: F+ K% d) ~7 q- I請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教

[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

2 I9 U# T3 P  N/ N8 k下圖左半部是幹啥用的? start-up?

如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
) C! u7 f* a* {: z# H
如果不是...還請指教是幹啥的...
' C# Z: j- B! ?" h) r( S
3 h( [/ t! v* t4 l  s你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
4 \' w0 @7 [6 _/ F3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
9 ]( k1 \5 t3 s4 k( @. X7 T2 w" C  T4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
4 C- O8 k  Z6 r* O9 @: G# f下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
! T6 j4 A3 n* T請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
5 _; S( f! Y2 F8 C) H* s(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的
" `' g& X( R. T
& d" s/ r: E2 y+ M4 E$ q" F9 o% g& U6 \回finster大大
& H6 K% X  X( q! r/ v1 h我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

我的bjt顆數比為8:1
( J4 R" I+ B2 r: p) n# f) r我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
3 P7 q( ~1 ~3 v( B7 h# O# i我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

, b5 A- W1 u8 m/ X[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
( W- {  k# D) {
, e6 Z7 X- O/ m; \根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
' Y  F# c0 l' j- x
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
" |8 H( s  t0 R8 z- u0 R
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

, i, `$ i7 M2 G' j8 ]! H也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
! e) [* t& {6 R, A  @6 t+ S
, @4 J; i3 \8 }BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫

建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

0 M5 \+ c) i5 K* k8 |+ k# k" K.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩